Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP08N055 оригінал, TO220
91,65 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDP08N055 – потужний польовий N-канальний транзистор MagnaChip у корпусі TO-220 для приводів і DC/DC перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмежений корпусом) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 92 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 мОм, макс. 5.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.8 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4137 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 188 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 480 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
MDP08N055 – польовий транзистор N-канал (Trench MOSFET) виробництва MagnaChip у корпусі TO-220. Параметри наведено за даташитом MDP08N055TH (MagnaChip). Напруга Vds – 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В). Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C (обмежений корпусом, за кремнієм 130 А) і 92 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 4.5 мОм, максимум 5.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, типове значення). Заряд затвора Qg – 61 нКл (Vdd 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4137 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 188 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вбудований діод: Vsd 0.9 В (макс. 1.2 В) при Is 50 А, trr 86 нс.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на N-канал, Vds не нижче 80 В, Id і Rds(on) при Vgs 10 В та корпус TO-220. Якщо Qg у заміни значно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора.
Де застосовують
- Приводи малої потужності для електровелосипедів і легкого електротранспорту
- DC/DC перетворювачі та загальні застосування
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 4.3 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Драйвер: заряд затвора Qg значно більший, ніж у MDP08N055. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.1 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити MDP08N055?
Потрібен N-канальний транзистор у TO-220 з Vds не нижче 80 В, струмом Id та опором Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими, ніж у MDP08N055. У нашому каталозі такі є, див. таблицю аналогів. Остаточно порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому струм 120 А, а не 130 А?
120 А – обмеження корпусу при Tc 25 °C. За кремнієм кристал дає 130 А, але корпус пропустить менше.
Для чого підходить MDP08N055?
Для приводів малої потужності електровелосипедів і легкого електротранспорту та для DC/DC перетворювачів.
Документація виробника: MDP08N055TH (MagnaChip).
У назві товару немає суфікса TH, а документ на MDP08N055TH: різниця лише в хвості позначення.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.