Польові транзистори

IRF5210 польовий транзистор TO-220AB, фото маркування

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = -10 В)	-40 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = -10 В)	-29 А
Rds(on) (VGS = -10 В, ID = -24 А)	0,06 Ом (макс.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	200 Вт
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF530N польовий транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF530N оригінал (100V,14A,88W) , TO220

В наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	17 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 9,0 А)	90 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	70 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	920 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF630N польовий транзистор, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF630N оригінал (200V,9A,0.4R,88W)

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	200 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = 10 В)	9,3 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = 10 В)	6,5 А
Імпульсний струм Idm	37 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 5,4 А)	0,30 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	82 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF640N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF640N оригінал (200V,18A,125W)

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга V(BR)DSS	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм ID (TC = 25 °C)	18 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	13 А (VGS = 10 В)
Опір RDS(on)	0,15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	67 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Потужність Pd (TC = 25 °C)	150 Вт
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF730 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF730 оригінал (400V,5.5A,100W,0.75R)

В наявності

136,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний Power MOSFET, 3-го покоління
Виробник	Vishay
Напруга VDS	400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID (TC = 25 °C)	5,5 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	3,5 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм IDM	22 А
Опір RDS(on)	1,0 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3,3 А)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	74 Вт
Заряд затвора Qg	38 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF7319 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7319 (30V,6.5A,-4.9A,2W) , so-8

В наявності

39,48 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	6.5 А / -4.9 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7380 (80V,3.6A,2W,0.073R) , so-8

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, два ключі в корпусі
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vdss	80 В
Струм Id	3.6 А при TA 25 °C, Vgs 10 В
Імпульсний струм Idm	29 А
Rds(on)	61 мОм тип., 73 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 2.2 А
Заряд Qg	15 нКл тип., 23 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	660 пФ
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

IRF7389 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7389 (F7389) (30V,7.3A,-5.3A,2.5W) , so-8

В наявності

23,97 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P (напівміст)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	7.3 А / -5.3 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.5 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

IRF740 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	TO-220
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В)	10 А
Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В)	6.3 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.)	0.55 Ом
Потужність Pd (Tc 25 °C)	125 Вт
Qg (макс.)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7413 , so-8

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	13 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	9.2 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 7.3 А, макс.)	0.011 Ом
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.7 А, макс.)	0.018 Ом
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1800 пФ
Виробник	International Rectifier (Infineon)

IRF7478 транзистор SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7478 , so-8

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (SMPS)
Корпус	SO-8
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	7.0 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	5.6 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 4.2 А, макс.)	26 мОм
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.5 А, макс.)	30 мОм
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	International Rectifier (Infineon)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7822 (30V,18A,3.1W,0.005R) , so-8

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Тип каналу	N-канал
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C, VGS 4.5 В)	18 А
Струм стоку Id (TA 70 °C, VGS 4.5 В)	13 А
Rds(on) макс. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	6.5 мОм
Rds(on) тип. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	5.0 мОм
Заряд затвора Qg тип. (VGS 5.0 В, ID 15 А, VDS 16 В)	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	5500 пФ
Розсіювана потужність Pd (TA 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±12 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF830 оригінал (Заміна для SVD830T )

В наявності

54,05 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	4.5 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	2.9 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 2.7 А, макс.)	1.5 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В, ID 3.1 А, VDS 400 В)	38 нКл
Вхідна ємність Ciss	610 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	74 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF840 ( IRF840A ) оригінал , TO220

В наявності

58,28 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	8.0 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	5.1 А
Rds(on) (VGS 10 В, Product Summary)	0.85 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	125 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

IRF9530N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9530N ( F9530N ) оригінал, TO220

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–14 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–10 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.20 Ом (VGS = –10 В, ID = –8.4 А)
Потужність Pd	79 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	58 нКл (ID = –8.4 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	760 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF9540N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9540N ( F9540N , IRF9540 ) оригінал, TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–23 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–16 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.117 Ом (VGS = –10 В, ID = –11 А)
Потужність Pd	140 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	97 нКл (ID = –11 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF9630 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9630 оригінал

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-6.5 А
Струм стоку Id (100 °C)	-4.0 А
Імпульсний струм стоку Idm	-26 А
Опір Rds(on) макс.	0.80 Ом
Розсіювана потужність Pd	74 Вт
Заряд затвора Qg макс.	29 нКл
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

IRF9640 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9640 (200V,11A), TO220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-11 А
Струм стоку Id (100 °C)	-6.8 А
Імпульсний струм стоку Idm	-44 А
Опір Rds(on)	0.50 Ом
Розсіювана потужність Pd	125 Вт
Заряд затвора Qg макс.	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix

IRF9Z24N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9Z24N оригінал

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-55 В
Струм стоку Id (25 °C)	-12 А
Струм стоку Id (100 °C)	-8.5 А
Імпульсний струм стоку Idm	-48 А
Опір Rds(on) макс.	0.175 Ом
Розсіювана потужність Pd	45 Вт
Заряд затвора Qg макс.	19 нКл
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Стан	Оригінал

IRF9Z34N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9Z34N оригінал

В наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Напруга Vds	-55 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	-19 А (VGS = -10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	-14 А (VGS = -10 В)
Rds(on)	0,10 Ом макс. (VGS = -10 В, ID = -10 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	-2,0…-4,0 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА)
Розсіювана потужність	68 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	620 пФ (f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRFB20N50K MOSFET TO-220, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB20N50K ( FB20N50K , 20N50 ) оригінал демонтаж , TO220 (500V,20A)

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (25 °C)	20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	12 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C)
Rds(on)	0.21 Ом тип., 0.25 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А)
Vgs(th)	3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	110 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Vds 400 В)
Вхідна ємність Ciss	2870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
trr діода	520 нс тип., 780 нс макс. (IF 20 А, dI/dt 100 А/мкс)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFB3077 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3077 оригінал (Заміна для IRFB3077G )(75V,210A), TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Напруга Vds	75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id (кристал)	210 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (корпус)	120 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (кристал) при 100 °C	150 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on) тип.	2.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	160 нКл тип., 220 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 38 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	9400 пФ
Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (HEXFET)
Напруга Vds	60 В
Струм стоку Id	210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)	150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)	2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg	120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	6540 пФ
Потужність Pd	300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3206 оригінал ( заміна для YH3206 ) , TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал (HEXFET)
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id	210 А обмежено кремнієм, 120 А обмежено виводами (VGS = 10 В, TC = 25 °C); 150 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Опір Rds(on)	2,4 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Qg	120 нКл тип., 170 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	6540 пФ
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА)
Потужність Pd	300 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon
Стан	Оригінал

IRFB3207 транзистор TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3207 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	75 В
Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	170 А (обмеження по виводах корпусу 75 А)
Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	120 А
Імпульсний струм Idm	720 А
Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 75 А)	3.6 мОм
Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 75 А)	4.5 мОм
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Напруга Vgs	±20 В
Заряд затвора Qg	180 нКл (макс. 260 нКл)
Ciss (типово)	7600 пФ
Потужність Pd (Tc 25 °C)	300 Вт
Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3306 ( FB3306 ) оригінал, TO220

В наявності

125,96 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний HEXFET MOSFET
Напруга Vds	60 В
Струм Id (TC=25 °C, корпус)	120 А
Струм Id (TC=25 °C, кристал)	160 А
Струм Id (TC=100 °C)	110 А
Rds(on)	3,3 мОм (тип.), 4,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=75 А
Заряд затвора Qg	85 нКл (тип.), 120 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	4520 пФ
Потужність Pd (TC=25 °C)	230 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon Technologies (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFB3607 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3607 оригінал , TO220

В наявності

67,68 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon Technologies
Напруга Vds	75 В
Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В)	80 А
Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В)	56 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=46 А)	9 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	56 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	3070 пФ
Потужність Pd (TC 25 °C)	140 Вт
Tj max	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB4110 оригінал (заміна для IRFB4110G , IRFB4110P , SRT10N047H ), TO220

В наявності

80,37 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C, мін.)
Струм ID (кристал)	180 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID (виводи)	120 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID	130 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on) тип.	3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Qg тип.	150 нКл (ID = 75 А, VDS = 50 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Pd	370 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-220
Канал	N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFB4115 транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB4115 оригінал , TO220

В наявності

121,73 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	150 В
Струм ID (TC = 25 °C)	104 А
Струм ID (TC = 100 °C)	74 А
Rds(on) типово	9.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А)
Rds(on) макс.	11 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А)
Vgs(th)	3.0–5.0 В
Pd (TC = 25 °C)	380 Вт
Вхідна ємність Ciss	5270 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs max	±20 В
Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB4227 оригінал , TO220

В наявності

155,10 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	N-канальний MOSFET (HEXFET)
Напруга Vds	200 В
Струм Id (25 °C)	65 А
Струм Id (100 °C)	46 А
Опір Rds(on)	24 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 46 А
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В
Заряд затвора Qg	70 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	4600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)	330 Вт
Температура переходу	-40…+175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRFB4310 транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB4310 оригінал ( заміна для IRFB4310Z , FB4310Z ) , TO220

В наявності

137,71 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Напруга Vds	100 В (TA=25 °C)
Струм стоку Id	110 А
Rds(on) тип.	8 мОм (VGS=10 В, ID=55 А)
Vgs(th)	2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd	230 Вт (TC=25 °C)
Вхідна ємність Ciss	8050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRFB4410Z транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB4410Z ( FB4410Z ) оригінал, TO220

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	100 В
Струм ID (TC = 25 °C)	97 А
Струм ID (TC = 100 °C)	69 А
Rds(on) типово	7.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А)
Rds(on) макс.	9.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Pd (TC = 25 °C)	230 Вт
Вхідна ємність Ciss	4820 пФ
Напруга Vgs max	±20 В
Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB7430 оригінал демонтаж , TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, StrongIRFET
Виробник	Infineon
Напруга Vdss	40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (корпус)	195 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм стоку Id (кремній)	409 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on)	1.0 мОм typ, 1.3 мОм max (Vgs 10 В, Id 100 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.2 … 3.9 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	300 нКл typ, 460 нКл max (Id 100 А, Vds 20 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	14240 пФ
Потужність Pd	375 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB7537 оригінал, TO220

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id	173 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 122 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on) тип.	2.75 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	3.30 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,1–3,7 В (VDS = VGS, ID 150 мкА)
Заряд затвора Qg	142 нКл, макс. 210 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 100 А)
Вхідна ємність Ciss	7020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	230 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFBC20 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC20 оригінал (N-,600V,2.2A,50W,4.4R)

В наявності

49,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	2,2 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	1,4 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	4,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1,3 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRFBC30 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC30

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	3,6 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	2,3 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	2,2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,2 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	74 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)

IRFBC40 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC40 оригінал

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В
Струм Id (TC = 25 °C)	6.2 А
Струм Id (TC = 100 °C)	3.9 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3.7 А, максимум)	1.2 Ом
Потужність Pd (TC = 25 °C)	125 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	60 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD110 (100V,1A,1W,0.5R), DIP4

В наявності

31,96 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм Id (TA = 25 °C)	1.0 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.71 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.60 А, максимум)	0.54 Ом
Заряд затвора Qg (максимум)	8.3 нКл
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4

В наявності

36,19 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	200 В
Струм Id (TA = 25 °C)	0.80 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.50 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум)	0.80 Ом
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1.0 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	14 нКл
Вхідна ємність Ciss	260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

IRFI730G транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFI730G оригінал, TO220F

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Виробник	Vishay
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	400 В (Tj 25 °C)
Струм Id	3.7 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C), 2.3 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	1.0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.1 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	38 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 3.7 А, Vds 320 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура Tj	150 °C
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Польові транзистори