Транзистори
Транзистор TSA20N50MR оригінал, TO-3P
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарна DMOS |
| Виробник | Truesemi |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | макс. 0.3 Ом, тип. 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT060U060EQ оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tc 25 °C) | 1.9 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3510 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT075N065EQ оригінал, TO247
В наявності
451,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 75 А, Tc 25 °C) | 1,6 В тип., 2,4 В макс. |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 625 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3936 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2140 , TO220F
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 15 А |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C), 2,0 Вт без радіатора |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 3,15 А, Ib 0,63 А) |
| hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 0,5 А); 5–8 (Vce 5 В, Ic 3,5 А) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 2 А, Ib1 0,4 А, Ib2 -0,8 А) |
| Демпферний діод | є, Vf макс. 2 В при Iec 6 А |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
Транзистор TT2140 оригінал демонтаж, TO220F ( Заміна для 2SC5885 , 2SD2627 , BU1508DX , ST1803DFH , MD1803DFH , MD1803DFP )
В наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Імпульсний струм колектора Icp | 15 А |
| Потужність розсіювання Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TT2170 , TO220F
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (triple diffused planar) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (з радіатором, Tc = 25 °C); 2,0 Вт (вільне повітря, Ta = 25 °C) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 2,7 А, IB = 0,54 А) |
| Демпферний діод | є |
| Виробник | SANYO |
Транзистор TT2190 , TO220F
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор TT2190 оригінал (Заміна для 2SC6093 ) , TO220F
В наявності
72,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TW120N03D ( 120N03 ) оригінал (30V,120A), D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А при VGS=10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 75 А при VGS=10 В |
| Імпульсний струм Idm | 384 А |
| Опір Rds(on) | тип. 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | тип. 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 9,8 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 62,5 Вт при TC=25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Енергія лавини EAS | 198 мДж |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UF460L оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А |
| Опір Rds(on) | до 310 мОм (VGS=10 В, ID=21 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл тип., 190 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC12N65L ( 12N65L ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | UTC |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC13N50L ( 13N50L ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | макс. 0.48 Ом (VGS 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 168 Вт (TO-220/TO-262, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1630 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VND14NV04 ( VND14 NV04 ) оригінал, TO252
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Захищений N-канальний MOSFET, OMNIFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга обмеження Vclamp | 40–55 В (тип. 45 В), VIN = 0 В, ID = 7 А |
| Струм обмеження Ilim | 12–24 А (тип. 18 А), VIN = 5 В, VDS = 13 В |
| Поріг входу VIN(th) | 0,5–2,5 В, VDS = VIN, ID = 1 мА |
| Потужність Ptot | 74 Вт, TC = 25 °C |
| Теплове відключення Tjsh | 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В |
| Енергія лавини Eas | 400 мДж, Tj = 25 °C (старт), VDD = 24 В, L = 24 мГн |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vanguard Semiconductor |
| Позначення | VS1401ATH |
| Маркування | 1401ATH |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 200 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 142 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id | 160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В |
| Rds(on) | 4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 259 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vergiga |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор WFW20N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wisdom Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.21 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.26 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Енергія лавини EAS | 1110 мДж |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор WSF70P03 оригінал, DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга стік–витік Vds | -30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -57 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS=-10 В) | -36 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -180 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-30 А) | 7.5 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-15 А) | 12 мОм тип., 16 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0 … -2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3448 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 52.1 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Winsok Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE40H12K оригінал, D-PAK
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 85 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 330 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.6 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 5.8 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (Vds=20 В, Id=20 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP023N10LL , TOLL
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 300 А (Tc 25 °C), 220 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,7 мОм тип., макс. 2,3 мОм (Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0 В тип. (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 240 нКл тип. (Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Транзистор Wuxi NCEP039N10D оригінал, TO263
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 135 А при Tc 25 °C; 108 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 540 А |
| Опір Rds(on) | 3,5 мОм тип., макс. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 65 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип., 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF19N60T оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner (Shenzhen Invsemi) |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 19 А (умови не вказані) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 19 А, TC 25 °C) |
| Vce(sat) при 125 °C | 2.05 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (Ic 0.25 мА) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.6 В (If 19 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW25N120U2 оригінал, TO247
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 50 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 25 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 75 А (Vge 15 В) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,25 В макс. (Vge 15 В, Ic 25 А, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 210 Вт (Tj 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW30N65F1 оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) | 1,90 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 110 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1840 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd (Tj 25 °C) | 155 Вт |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-semi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW75N65FP оригінал , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic | 150 А (Tc 25 °C, обмежено Tjmax); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А (Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 Вт (Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40RR21 ( GT40RR21 ) оригінал (1350V,40A) , TO3P
Немає в наявності
243,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic | 40 А (абсолютний максимум) |
| Vce(sat) | 2,05 В (IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (VCE 10 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |