Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL

Транзистор Wuxi NCEP023N10LL , TOLL

80,37 ₴

23 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

23 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

NCEP023N10LL – N-канальний польовий транзистор Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TOLL. Для DC/DC-перетворювачів і синхронного випрямлення.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds100 В (Tc 25 °C)
Струм Id300 А (Tc 25 °C), 220 А (Tc 100 °C)
Rds(on)1,7 мОм тип., макс. 2,3 мОм (Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C)
Vgs(th)3,0 В тип. (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Qg240 нКл тип. (Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А)
Вхідна ємність Ciss14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd380 Вт (Tc 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTOLL
ВиробникWuxi NCE Power Semiconductor
Опис

NCEP023N10LL – N-канальний MOSFET (технологія Super Trench II) виробництва Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TOLL. Напруга стік–витік Vds – 100 В, струм стоку Id – 300 А при Tc 25 °C і 220 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,7 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C; максимум 2,3 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 3,0 В типово (діапазон 2,0–4,0 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА). Вхідна ємність Ciss типово 14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 380 Вт при Tc 25 °C, робочий діапазон температур –55…+175 °C. Вбудований діод: Vsd до 1,2 В при Is 150 А, trr 101 нс.

Під заміну потрібен той самий корпус TOLL. Вибираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id при Tc 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg – 240 нКл (тип., Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А): якщо в заміни він удвічі більший, перевірте драйвер.

Де застосовують

  • DC/DC-перетворювачі
  • Високочастотне перемикання та синхронне випрямлення
Часто питають
Чим замінити NCEP023N10LL?

У нашому каталозі зараз немає підтверджених аналогів. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TOLL з Vds не нижче 100 В і Id при Tc 100 °C близьким до 220 А, порівнюючи datasheet.

Для чого використовують NCEP023N10LL?

Для DC/DC-перетворювачів, високочастотного перемикання та синхронного випрямлення.

Який Rds(on) у NCEP023N10LL?

1,7 мОм типово і до 2,3 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C.

Як перевірити транзистор?

Випаяйте деталь і в режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод між стоком і витоком. Затвор ізольований від інших виводів.

Datasheet

Документація виробника: NCEP023N10LL (Wuxi NCE Power Semiconductor).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCEP023N10LL (Wuxi NCE Power Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.