Транзистори
Демонтаж
Транзистор STW20NA50 ( W20NA50 ) демонтаж, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.7 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) | 0.27 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 150 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (25 °C) | 250 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | W20NA50 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW20NK50Z ( W20NK50Z ) оригінал демонтаж (500V,20A) , TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Id (25 °C) | 20 А (Tc 25 °C) |
| Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом тип., 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8.5 А) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Pd | 190 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А) | 250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 3–5 В |
| Qg | 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 192 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW26NM60N ( STW26NM60 , 26NM60N , W26NM60 , ST26NM60N , W26NM60N ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
158,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh II) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) | 135 мОм (тип.), 165 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл при Vdd 480 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (Id 1 мА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 34 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 22 А |
| Rds(on) | 78 мОм тип., 88 мОм макс., Vgs 10 В, Id 17 А |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW40N95K5 ( 40N95K5 )(заміна для STWA40N95DK5 , STW40N95DK5 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (MDmesh K5) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 950 В (Vgs 0, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C), 24 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 110 мОм (макс. 130) при Vgs 10 В, Id 19 А |
| Qg | 93 нКл (типове) при Vdd 760 В, Id 38 А, Vgs 0–10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 100 В, f 1 кГц) |
| Ptot | 450 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW45NM60 ( W45NM60 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 45 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 90 мОм тип., 110 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип., 134 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 417 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STX112 , to92
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, монолітний Дарлінгтон з антипаралельним діодом колектор–емітер |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (імпульсний Icm 4 А) |
| Потужність Ptot | 1,2 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE | мін. 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Vbe(on) | 2,8 В макс. (Ic 2 А, Vce 4 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Демонтаж
Транзистор SUB60N06-18 ( SUB60N06 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 60 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 39 А (TC = 100 °C, TJ = 175 °C) |
| Опір Rds(on) | 14 мОм (тип.), 18 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А, TJ = 25 °C |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (тип.), 60 нКл (макс.) при VDS = 30 В, VGS = 10 В, ID = 60 А |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SUD25N06-45L ( 25N06-45 , ME25N06 , UTC25N06L ) оригінал (60V, 25A), DPAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C), 16 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.025 Ом тип., 0.035 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.036 Ом тип., 0.045 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В |
| Макс. напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUD50N024 ( 50N024 ) оригінал, DPAK (22V, 80A ,6mR)
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 22 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 49 А (корпус обмежує до 25 А) |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 0,0095 Ом (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 39,5 Вт |
| Поріг Vgs(th) | 0,8–3,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (VDS = 10 В, f = 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK
В наявності
60,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А) |
| Опір Rds(on) | 0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUM65N20 , D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено корпусом) | 65 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 37 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 0.023 Ом тип., 0.030 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg (Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А) | 90 нКл тип., 130 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
Транзистор SVD4N65F оригінал, TO220F
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement mode, DMOS |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4,0 А |
| Опір Rds(on) | макс. 3,0 Ом (тип. 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 15,8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 33 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N65F оригінал ( заміна для FQPF12N65 , MDF12N65B , TF12N65 , GN12N65F , PFP12N65 , PFF12N65 , 12N65FA9K , CR12N65FA9K , SIF12N65F , UTC12N65L, 12N65L ) , TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6.0 А) | 0.64 Ом тип., 0.8 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 51 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 72 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 252 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF6N60F оригінал ( заміна для STP6NK60ZFP , FQPF6N60C , SSS6N60A , HM6N60F , 2SK1118 )(600V,6A ) , TO220F
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C) |
| Струм Id | 6 А при TC 25 °C; 3.8 А при TC 100 °C |
| Опір Rds(on) | 1.35 Ом (тип.), 1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3 А |
| Заряд затвора Qg | 13.32 нКл (тип.) при VDS = 480 В, ID = 6 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 690.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В при ID = 250 мкА |
| Потужність Pd | 42 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 488 нс (тип.) при IS = 6 А, dIF/dt = 100 А/мкс |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4.2 А |
| Rds(on) | 1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 52 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG076R5NT ( 076R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (LVMOS) |
| Напруга Vds | 70 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм макс., тип. 5.4 мОм (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип. (VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3052 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 114 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 45 нс тип. (IS=40 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG095R0NT ( 095R0NT , SVG095RONT , 095RONT ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 90 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом), 100 А (Tc 100 °C, по кристалу) |
| Rds(on) | 4,4 мОм тип., макс. 5,0 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 85 нКл тип. (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R0NS ( 104R0NS , SVG104RONS , 104RONS ) оригінал (100V,120A) , D2PAK ( заміна для G10N054DM , AKG10N054DM , SUV90N06-5 з подовженням виводів )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 110 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 50 А, Tj 25 °C) | 3.4 мОм тип., 4.0 макс. |
| Заряд затвора Qg | 107 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6560 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 208 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG105R5NT ( 105R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 98 В |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 100 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (Vdd 50 В, Vgs 10 В, Id 25 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5208 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 274 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT068R5ND ( 068R5ND ) оригінал(60V,80A) , D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 7.0 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4890 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 107 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є (Is 95 А) |
Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 88 А |
| Струм Id (100 °C) | 65 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT088R0NT ( 088R0NT , SVT088RONT , 088RONT ) оригінал, TO220
В наявності
101,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW036R10E8S ( SWP036R10E8S ) оригінал, TO220
В наявності
165,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 175 А (TC = 25 °C, обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А) |
| Струм Id (100 °C) | 132 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 20 А; макс. 4.6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (BVDSS) | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу) |
| Опір Rds(on) | 5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 195.3 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW060R68E7T ( SWP060R68E7T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм типове, макс. 7 мОм (VGS=10 В, ID=50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94 нКл типове |
| Вхідна ємність Ciss | 3623 пФ (Vds 32 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Samwin |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,25 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4530 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5…4,5 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Samwin |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор T65R195P ( MMFT65R195PTH ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, суперперехід |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Напруга Vds | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C); 12,7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,195 Ом, тип. 0,175 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 53 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T70R380P ( MMFT70R380P ) оригінал , TO220F
В наявності
109,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 700 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,38 Ом, тип. 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32,4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TDM3458 оригінал, DFN5*6-8
В наявності
121,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Techcode |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 38 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 4.5 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) при Id 15 А, Tj 25 °C |
| Rds(on), Vgs 4.5 В | 6.7 мОм (тип.), 8.7 мОм (макс.) при Id 10 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 5.8 нКл (Vds 15 В, Id 15 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 29.8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 25 нс (If 5 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF14N50FD AOTF14N50FD TF14N50 AOTF14N50 оригінал (замінює UTC14N50L , 14N50L , MPF14N50 , FQPF14N50 , STP14NK50ZFP ) , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 14 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,29 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=7 А |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1914 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |