Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N65F оригінал ( заміна для FQPF12N65 , MDF12N65B , TF12N65 , GN12N65F , PFP12N65 , PFF12N65 , 12N65FA9K , CR12N65FA9K , SIF12N65F , UTC12N65L, 12N65L ) , TO220F
122,20 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF12N65F оригінал – N-канальний польовий транзистор Silan Microelectronics на 650 В в корпусі TO-220F. Для імпульсних блоків живлення AC-DC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6.0 А) | 0.64 Ом тип., 0.8 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 51 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
SVF12N65F – N-канальний MOSFET виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-220F-3L. Оригінал, не демонтаж. Напруга Vds – 650 В (мінімум BVDSS при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 12 А при Tc 25 °C і 7.6 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 0.64 Ом типово, 0.8 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 6.0 А. Заряд затвора Qg – 33 нКл типово при Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 51 Вт при Tc 25 °C для TO-220F. Максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є.
SVF12N65F може замінити FQPF12N65, MDF12N65B, TF12N65, GN12N65F, PFP12N65, PFF12N65, 12N65FA9K, CR12N65FA9K, SIF12N65F, UTC12N65L і 12N65L. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення AC-DC
- Перетворювачі DC-DC
- Мостові драйвери ШІМ для двигунів
Чим замінити SVF12N65F?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В, Id при Tc 25 °C, якого вистачає для вашої схеми, та Rds(on) при Vgs 10 В не гірше за 0.8 Ом. Порівнюйте за datasheet.
Чи може SVF12N65F замінити FQPF12N65?
Так, SVF12N65F може замінити FQPF12N65 та інші номери з назви товару. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм дозволений при нагріві?
12 А при Tc 25 °C і 7.6 А при Tc 100 °C. Для TO-220F потужність Pd – 51 Вт при Tc 25 °C, далі вона спадає на 0.41 Вт/°C.
Документація виробника: SVF12N65F/K/S Datasheet Rev 3.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (rms) |
| CTR серії | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Ic для рангу C | 10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 80 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 23 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 170 нс тип. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.