Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220
141,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVG086R0NT (086R0NT) – оригінальний N-канальний MOSFET Hangzhou Silan Microelectronics на 80 В, корпус TO220. Для ДБЖ та інверторних систем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SVG086R0NT (також 086R0NT) – N-канальний MOSFET виробництва Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Напруга Vds – 80 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 5.0 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C (максимум 6.0 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 66 нКл типово при VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 156 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора при однакових умовах вимірювання та беріть той самий корпус. Прямі заміни за даними виробника: SVG086R0NS, SVG086R0ND, SVG086R0NL5. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування живленням в інверторних системах
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHP120N08 | N-канал, TO-220; Vds 80 ≥ 80; Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120; Rds(on) 6.0 тип. при Vgs 10 В ≤ 1.3×5.0 при Vgs 10 В | Qg 60 нКл проти 66 нКл, драйвер змінювати не потрібно; умови Rds(on) у даташитах різні (ID = 40 А і 50 А), порівняйте самостійно | Купити |
| G042N10 | N-канал, TO-220; Vds 100 ≥ 80; Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120; Rds(on) 3.5 тип. при Vgs 10 В ≤ 1.3×5.0 при Vgs 10 В | Qg 119 нКл проти 66 нКл – перевірте, чи тягне драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVG086R0NT?
За даними виробника, прямі заміни – SVG086R0NS, SVG086R0ND і SVG086R0NL5. З нашого складу в тому ж корпусі підходять FHP120N08 і G042N10 (див. таблицю аналогів), але порівняйте їх із даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує SVG086R0NT?
120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Реальний струм залежить від охолодження.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Rds(on) 5.0 мОм типово нормується при VGS = 10 В.
Документація виробника: SVG086R0NT (Hangzhou Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.