Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор STW40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247

258,50 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STW40N60M2 (40N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics на 600 В, 34 А при Tc 25 °C, у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал (MDmesh M2)
Напруга Vds600 В (Id 1 мА, Vgs 0 В)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)34 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)22 А
Rds(on)78 мОм тип., 88 мОм макс., Vgs 10 В, Id 17 А
Заряд затвора Qg57 нКл
Вхідна ємність Ciss2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В)
Потужність Pd (Tc 25 °C)250 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STW40N60M2 (40N60M2) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії MDmesh M2 виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-247. Напруга стік–витік Vds – 600 В (V(BR)DSS, Id 1 мА, Vgs 0 В). Струм стоку Id – 34 А при Tc 25 °C і 22 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 78 мОм, максимум 88 мОм при Vgs 10 В, Id 17 А. Заряд затвора Qg – 57 нКл (Vdd 480 В, Id 34 А, Vgs 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В), потужність розсіювання 250 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: trr 440 нс, Vsd макс. 1,6 В при Isd 34 А.

Стан – оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте канал (N), Vds не нижче 600 В, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус із розпіновкою. У документі виробника названо також STB40N60M2 і STP40N60M2.

Де застосовують

  • Імпульсні (перемикальні) застосування
  • 100% перевірено на лавинний пробій
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
60R060P7 канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×34=27.2, Rds(on) Vgs 10 В max 60 ≤ 1.3×88=114 мОм, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж; Qg 67 нКл проти 57 нКл, перевірте драйвер затвора Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити STW40N60M2?

У каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7) у TO-247: Vds 600 В, Id 48 А при 25 °C, Rds(on) макс. 60 мОм. Заряд затвора Qg вищий, тож перевірте драйвер затвора і порівняйте даташити.

Як перевірити польовий транзистор мультиметром?

У режимі перевірки діодів прозвоніть вбудований діод між стоком і витоком: він веде себе як діод в один бік. Затвор має бути ізольований від інших виводів.

Що відомо про вбудований діод STW40N60M2?

Час зворотного відновлення trr – 440 нс, пряма напруга Vsd макс. 1,6 В при Isd 34 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В.

Datasheet

Документація виробника: DS9801 Rev 5.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.