Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F

79,90 ₴

50 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

50 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SVF7N65F – N-канальний MOSFET на 650 В у корпусі TO-220F, оригінал. У назві товару вказано еквівалент FQPF7N65C.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vdss650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)7 А
Струм Id (100 °C)4.2 А
Rds(on)1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А)
Заряд затвора Qg28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Vgss±30 В
Потужність Pd52 Вт (25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

SVF7N65F – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F. У назві товару вказано FQPF7N65C, тому нижче наведено дані з документа виробника саме на FQPF7N65C (onsemi, ex Fairchild). Напруга Vdss не менше 650 В (при Vgs = 0 В, Id = 250 мкА). Струм стоку Id – 7 А при 25 °C і 4.2 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 1.4 Ом (типово 1.2 Ом) при Vgs = 10 В, Id = 3.5 А. Заряд затвора Qg – типово 28 нКл (максимум 36 нКл) при Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В, Vgss – ±30 В. Розсіювана потужність Pd – 52 Вт при 25 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. Цифри вище взяті з документа на FQPF7N65C, а не на сам SVF7N65F, тому перед заміною порівняйте параметри зі своєю схемою. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення (SMPS)
  • Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
  • Електронні баласти для ламп
Часто питають
Чим замінити SVF7N65F?

У назві товару вказано еквівалент FQPF7N65C. Перед заміною порівняйте Vdss, Id, Rds(on) і корпус TO-220F зі своєю схемою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для блока живлення з PFC?

Виробник документа на FQPF7N65C вказує застосування в SMPS, схемах активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) та електронних баластах для ламп.

Звідки цифри в описі?

З datasheet виробника onsemi на FQPF7N65C (Rev. C1): у назві товару він названий еквівалентом. Це документ на FQPF7N65C, а не на сам SVF7N65F, тому перед заміною порівняйте параметри зі своєю схемою.

Datasheet

Документація виробника: FQPF7N65C, Rev. C1 (N-Channel QFET MOSFET 650 V, 7 A, 1.4 Ом); документ на аналог FQPF7N65C з назви товару, не на SVF7N65F (Silan).

Параметри наведено за datasheet виробника onsemi на FQPF7N65C (Rev. C1), названий в назві товару еквівалентом.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FQPF7N65C, Rev. C1 (N-Channel QFET MOSFET 650 V, 7 A, 1.4 Ом); документ на аналог FQPF7N65C з назви товару, не на SVF7N65F (Silan) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема LD5530 ( LD5530R , LD5530RGL ) , sot23-6

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняШІМ-контролер, Green Mode, керування за струмом
ВиробникLeadtrend Technology
Частота перемикання65 кГц
Напруга живлення VCC8.0–26.5 В
Напруга VCC, макс.30 В
Поріг увімкнення UVLO16 В (15–17 В, VCC 15 В, TA 25 °C)
Поріг вимкнення UVLO7.5 В (7.0–8.0 В)
Захист VCC OVP28.5 В (27.5–29.5 В)
Струм запуску<1 мкА
Робочий струм1.85 мА (VCOMP = 3 В, 1 нФ на OUT)
Струм драйвера виходу OUT250 / -500 мА
Температура переходу-40…125 °C
КорпусSOT23-6

Мікросхема PF6005AG оригінал ( PF6005A , 6005A , PF6003AG , 6003A ) , sot23-6

В наявності

84,60 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Транзистор MMBT3906 , sot23

В наявності

1,88 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-40 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo-40 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-6.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-200 мА (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icm-350 мА (Ta 25 °C)
Потужність Pd310 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT (мін.)250 МГц (Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц)
Vce(sat) макс.-0,25 / -0,40 В (Ic/Ib -10/-1 мА; -50/-5 мА)
КорпусSOT-23

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5