Магазин
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J322 оригінал демонтаж б/в , TO-3P(N)IS ізольований корпус
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Ta = 25 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp (1 мс) | 100 А |
| Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.) | 2,1 В |
| Потужність Pc (TC = 25 °C) | 75 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT30F132 , D2PAK (TO-263)
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Монтаж | поверхневий (SMD) |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор GP10NC60KD ( STGP10NC60KD ) оригінал (Заміна для IRGB6B60KD , GB6B60KD , IRG4BC20UD ), TO220
В наявності
156,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) (VGE = 15 В, IC = 5 А, TC = 25 °C, тип.) | 2,2 В |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 65 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGPF4536 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм Ic | 220 А |
| Vce(sat) (50 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 1,59 В |
| Vge(th) | 2,4–4,0 В |
| Qg | 47 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 28,4 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL60N100BNTD ( G60N100 , G60N100BNTD , TGL60N100ND1 , 60N100ND1 ) оригінал демонтаж б/в , TO264
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT Trench з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 42 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,5 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 275 нКл (Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C); 72 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL40N120AND ( FGL40N120 , TGL40N120FD , G40N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
265,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 64 А (Tc 25 °C); 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,6 / 3,2 В (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 220 нКл (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C); 200 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH60N60SFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,3 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2820 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 378 Вт (Tc 25 °C); 151 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGA25N120ANTD оригінал ( заміна для TGAN25N120ND , NGTB25N120IHLWG , 25N120IHL ) , TO-3P
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Імпульсний струм ICM | 90 А |
| Vce(sat) (25А/15В/25°C) | 2.0 В тип. |
| Пряма напруга діода Vf | 2.0 В тип. / 3.0 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 312 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DG302 ( DG3C3020CL ) оригінал ( 300V,250A ) , D2PAK
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 45 А |
| Імпульсний струм Icp | 250 А |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BTS2140-1B ( BTS2140 ) оригінал, D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT для систем запалювання |
| Напруга пробою BVces | 370–430 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (25 °C), 14 А (110 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,3–2,2 В |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) оригінал, TO-3P (1800V,40A)
В наявності
564,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Струм колектора Ic | 40 А (постійний, макс.) |
| Час спаду tf | 150 нс (Ic=40 А, тип.) |
| Час відновлення вбудованого діода trr | 1000 нс (If=15 А, тип.) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFR9120N ( IRFU9120N ), D-PAK (100V;5.6A;0.6 Ohm)
В наявності
24,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал, HEXFET |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | -100 В (Vgs 0 В, Id -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -6.6 А (Tc 25 °C, Vgs -10 В); -4.2 А (Tc 100 °C, Vgs -10 В) |
| Імпульсний струм Idm | -26 А |
| Опір Rds(on) | 0.48 Ом max (Vgs -10 В, Id -3.9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл max (Id -4.0 А, Vds -80 В, Vgs -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Електролітичний конденсатор 560uF 450V 105C ( 560мкФ 450В 105град , 560*450*105гр ) жорсткі виводи 30*50мм
В наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 560 мкФ |
| Робоча напруга | 450 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
| Корпус | радіальний |
Транзистор CS20N65F оригінал ( Заміна для FQPF20N65C , FQPF20N65 , CM20N65F , PY20N65NFS , SIF20N65Z , 20N65NFS , STF20N65M2 , F20N65M2 , 20N65 ) , TO220F
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Convert Semiconductor |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Tc 25 °C, Vgs 0) |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип. / 0.4 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10P60W (n-канал , 600V,10A,0.33R) ,D-PAK(Заміна для TK10P50W )
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 9.7 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.9 А) | 0.327 Ом тип., 0.43 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 80 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор SVF12N65F оригінал ( заміна для FQPF12N65 , MDF12N65B , TF12N65 , GN12N65F , PFP12N65 , PFF12N65 , 12N65FA9K , CR12N65FA9K , SIF12N65F , UTC12N65L, 12N65L ) , TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6.0 А) | 0.64 Ом тип., 0.8 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 51 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUM65N20 , D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено корпусом) | 65 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 37 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 0.023 Ом тип., 0.030 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg (Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А) | 90 нКл тип., 130 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK
В наявності
60,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А) |
| Опір Rds(on) | 0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUD50N024 ( 50N024 ) оригінал, DPAK (22V, 80A ,6mR)
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 22 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 49 А (корпус обмежує до 25 А) |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 0,0095 Ом (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 39,5 Вт |
| Поріг Vgs(th) | 0,8–3,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (VDS = 10 В, f = 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STW26NM60N ( STW26NM60 , 26NM60N , W26NM60 , ST26NM60N , W26NM60N ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
158,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh II) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) | 135 мОм (тип.), 165 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл при Vdd 480 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW20NK50Z ( W20NK50Z ) оригінал демонтаж (500V,20A) , TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Id (25 °C) | 20 А (Tc 25 °C) |
| Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом тип., 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8.5 А) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Pd | 190 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STW12NK90Z оригінал демонтаж, TO247(Заміна для HM12N80M , 12N80M , STW10NK80Z )
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Id (25 °C) | 11 А (TC = 25 °C) |
| Id (100 °C) | 7 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 670 мОм тип., 880 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А) |
| Qg | 113 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STU407DH ( STU407D ) (40V,16A/12A,11W) , D-PAK
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналів | N + P (комплементарна пара) |
| Vds, N-канал | 40 В (TA = 25 °C) |
| Vds, P-канал | -40 В (TA = 25 °C) |
| Id, N-канал | 16 А (TC = 25 °C) |
| Id, P-канал | -12 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Pd | 11 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | SamHop Microelectronics |
Транзистор STQ1NK60ZR (1NK60ZR) , TO-92
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм Id | 0.3 А при TL = 25 °C; 0.2 А при TL = 100 °C |
| Rds(on) | 11 Ом тип., 15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0.3 А) |
| Заряд затвора Qg | 4.9 нКл тип., 6.9 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 0.8 А, VGS = 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 3 Вт при TL = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
Транзистор STP9NK50ZFP оригінал , TO-220F
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 7,2 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 28,8 А |
| Опір Rds(on) | 0,72 Ом тип., 0,85 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 3,6 А) |
| Потужність Pd | 30 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 910 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Ізоляція Viso | 2500 В (DC) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP7NK80ZFP оригінал (800V,7A)
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 5,2 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 3,3 А |
| Імпульсний струм Idm | 20,8 А |
| Опір Rds(on) | 1,5 Ом тип., 1,8 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 2,6 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип., 56 нКл макс. (Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 3,75 / 4,5 В (мін. / тип. / макс.) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 30 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 4,2 °C/Вт |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS), t = 1 с, TC = 25 °C |
| ESD затвор-витік | 4000 В (HBM) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 75 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А |
| Опір Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип., 160 нКл макс. (Vdd = 60 В, Id = 80 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CS6N90F оригінал ( заміна для STP6NK90ZFP , FQPF6N90C , STF6N90K5 , 6N90K5 , JCS6N90FH , JCS6N90FA , SSS5N90 )(900V,6A), TO220F
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Convert Semiconductor |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 6 А при TC = 25 °C |
| Rds(on) | 1.7 Ом тип., 2.05 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А, TJ = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 6.0 А, VGS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1215 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 63 Вт при TC = 25 °C, корпус TO-220F |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP5NK60ZFP оригінал
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм Id | 5 А при TC = 25 °C; 3.16 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл тип., 34 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 5 А, VGS = 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP55NF06 оригінал (60V,50A,0.017R) , TO220
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 50 А (Tc 25 °C), 35 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.015 Ом тип., 0.018 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 27.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 44.5 нКл тип., 60 нКл макс. (Vdd 48 В, Id 55 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP4NK60ZFP оригінал (600V 4A 25W) ( 2D0N60F , FQPF2N60C )
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4 А (Tc 25 °C), 2.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом тип., 2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.8 нКл тип., 26 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 4 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 510 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (Id 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP3NC60FP оригінал , TO220F
В наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 2 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.3 Ом тип., 3.6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип., 18.2 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 3 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP24NF10 оригінал (100V,24A,85W)
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 26 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) | 55 мОм тип., 60 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл тип., 41 нКл макс. (Vdd 80 В, Id 24 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP14NK60ZFP оригінал, TO-220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 13.5 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 8.5 А |
| Rds(on) | 0.45 Ом тип., 0.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDD = 480 В, ID = 12 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS) |
| Ємність Ciss | 2220 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK80ZFP , TO-220F (Заміна для STP5NK80ZFP )
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 9 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 6 А |
| Rds(on) | 0.78 Ом тип., 0.9 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD = 640 В, ID = 9 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В (DC) |
| Ємність Ciss | 2180 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
Транзистор STP10NK60ZFP оригінал, TO-220F(заміна для STP9NK60ZFP )
В наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 250 мкА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 10 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 5.7 А |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 70 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В |
| Ємність Ciss | 1370 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK60Z ( P10NK60Z ) оригінал ( заміна для FDP10N60NZ , BUZ91A , BUZ91 ), TO-220
В наявності
86,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.7 А |
| Опір Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип., 70 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 8 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.00–4.50 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 115 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STN4NF20L ( 4NF20L ) оригінал ( заміна для MDHT4N20Y ) , sot223
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 1 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 0.63 А |
| Опір Rds(on) | 1.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 3.3 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STN1NK60Z , sot223
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TA = 25 °C) | 0.3 А |
| Струм стоку Id (TA = 100 °C) | 0.2 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.3 А, макс.) | 15 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 4.9 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (TA = 25 °C) | 3.3 Вт |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор STM8309 (30V,7A,-6A,2W) , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SamHop |
| Тип каналу | N + P (дві окремі секції) |
| Напруга Vds | 30 В (N) / -30 В (P) |
| Струм стоку Id (TJ = 25 °C) | 7 А (N) / -6 А (P) |
| Опір Rds(on) N-канал (VGS = 10 В, ID = 7 А, макс.) | 23 мОм |
| Опір Rds(on) P-канал (VGS = -10 В, ID = -5 А, макс.) | 35 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.0–3.0 В |
| Заряд затвора Qg N-канал (тип.) | 11 нКл |
| Заряд затвора Qg P-канал (тип.) | 15 нКл |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 2.0 Вт |
| Корпус | SO-8 |