Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP4NK60ZFP оригінал (600V 4A 25W) ( 2D0N60F , FQPF2N60C )
37,60 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP4NK60ZFP – N-канальний MOSFET SuperMESH на 600 В, 4 А у корпусі TO-220FP. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4 А (Tc 25 °C), 2.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом тип., 2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.8 нКл тип., 26 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 4 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 510 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (Id 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
STP4NK60ZFP – N-канальний MOSFET серії SuperMESH виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220FP. Напруга стік-витік Vds – 600 В при Vgs 0 В. Струм стоку Id – 4 А при температурі корпусу 25 °C і 2.5 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.7 Ом (тип.), 2 Ом (макс.) при Vgs 10 В і Id 2 А. Вхідна ємність Ciss типово 510 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 25 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Затвор захищений стабілітронами (3 кВ ESD), корпус має ізоляцію 2.5 кВ.
Деталь оригінальна, не демонтаж. У назві товару вказано також 2D0N60F і FQPF2N60C. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, корпус із розпіновкою, Vds, Id при тій самій температурі корпусу та Rds(on) при тій самій напрузі на затворі. Заряд затвора STP4NK60ZFP – 18.8 нКл (тип.) при Vdd 480 В, Id 4 А, Vgs 0–10 В; якщо у заміни він удвічі більший, перевірте драйвер. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- N-канальний MOSFET SuperMESH на 600 В, 4 А.
- Перемикальні схеми
Чим замінити STP4NK60ZFP?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220FP з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 600 В. Порівняйте також струм стоку при тій самій температурі, Rds(on) і заряд затвора за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в транзистора захист затвора?
Так, затвор захищений стабілітронами, у документі вказано 3 кВ ESD. Також заявлено 100% перевірку на лавинний режим.
Який струм можна брати при нагріві?
Id – 4 А при температурі корпусу 25 °C і 2.5 А при 100 °C. Для реальної схеми орієнтуйтеся на другу цифру.
Документація виробника: DS9834 Rev 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3842B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 16 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.