Магазин
Транзистор HY5110W ( HY5110 ) оригінал (100V,316A), TO247
В наявності
147,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 316 А (Tc 25 °C); 214 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм typ., 2,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (діапазон 2–4 В, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF18N50D ( FQF18N50CF , FQF18N50 , 18N50CF , 18N50D , 18N50 ) оригінал ( Заміна для SIF18N50 , SIF18N50C , JCS18N50FH , HFS18N50U , FXN18N50F ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Rds(on) typ. | 0.30 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (Vdd 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N60F2DS ( 40N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.9 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 115 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 236 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод SFA80UP20DN оригінал ( заміна для 80U20 , MM80F020 , SL80F20 , F60UP20DN , FFA60UP20DN , SFA60UP20DN ) , TO-3P
В наявності
400,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В (за найближчим даташитом) |
| Середній прямий струм If(AV) | 40 А на один діод, 80 А на обидва (Tc 135 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 450 А на один діод (tp = 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 0,95 В тип. / 1,1 В макс. на один діод (If 40 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 27 нс тип. / 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, dIf/dt 50 А/мкс) |
| Зворотний струм Ir | до 1,0 мкА (Vr 200 В, Tc 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
MUR3060PT оригінал (заміна для MUR3060BW , MUR3060WT )(600V,30A) , TO247-3pin
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий, здвоєний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм | 30 А (на корпус; 15 А на діод) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 8,3 мс, на діод) |
| Пряма напруга Vf | 1,7 В макс. (If 15 А, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr | 50 нс макс. (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,1 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220
В наявності
124,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 116 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG053N10 ( HYG053N10NS2P , HYG053N10NS1P , G053N10 ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 84.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 4.8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C; макс. 5.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4036 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 187.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
В наявності
320,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8020 оригінал , LQFP48
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | LQFP48 |
| Напруга живлення VDD | 2,7–5,5 В (типово 5 В; TA = 25 °C, кварц 4 МГц) |
| Максимальна напруга живлення | 7 В (абсолютний максимум) |
| Споживаний струм | 30 мА (типово, VDD = 5 В) |
| Вихідна частота | 50 / 60 Гц (вибір виводом FRQSEL) |
| Частота ШІМ | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс / 500 нс / 1 мкс / 1,5 мкс |
| Інтерфейс | UART |
| Тактовий кварц | 4 МГц |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP02N03N оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) | 2.6 мОм (тип.), 3.4 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 24 А) | 3.6 мОм (тип.), 4.7 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.7 В (1.0–3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8896 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 92 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 35 А) | 5,0 мОм (тип.), 5,9 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 35 А) | 6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,2–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.), 67 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2525 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 80 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор F20N50SE ( WGF20N50SE ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wild Goose |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12,9 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 0,23 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (тип.), 65 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 38,5 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF8N80 оригінал , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 8 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 5,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,25 Ом тип., 1,5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл тип. (Vds 400 В, Id 8 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1620CTR оригінал , загальний анод ( Заміна для MUR1620CA , MUR1620CTA , MOSPEC F12C20A ) TO220-3pin
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 200 В (на діод) |
| Середній прямий струм на діод | 8,0 А (Tc 160 °C, номінальна Vr); на корпус 16 А |
| Ударний струм Ifsm | 100 А (напівсинусоїда 60 Гц, один імпульс, номінальне навантаження) |
| Пряма напруга Vf | 1,2 В макс. (If 8,0 А, Tc 25 °C, на діод) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,0 °C/Вт (на діод) |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | спільний анод |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1620CT оригінал , загальний катод ( Заміна для MOSPEC F12C20C ) TO220-3pin
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм If(av), один діод | 8 А (Tc = 135 °C) |
| Середній прямий струм If(av), обидва діоди | 16 А (Tc = 135 °C) |
| Ударний струм Ifsm, один діод | 80 А (tp = 8.3 мс) |
| Пряма напруга Vf, один діод | 0.94 В тип., 0.98 В макс. (If = 8 А, Tc = 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 22 нс тип., 35 нс макс. (Vr = 30 В, If = 1 А, -dI/dt = 50 А/мкс) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | здвоєний, спільний катод |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2040CTR оригінал (заміна для MUR2040FCA ), TO220F-3pin загальний анод
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ультрашвидкий (FRED) здвоєний діод |
| Конфігурація | загальний анод (виводи 1 і 3 – катоди, вивід 2 – спільний анод) |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 20 А (2×10 А, Tc 125 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 200 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | до 1,3 В (10 А на один діод) |
| Зворотний струм IR | до 5,0 мкА (25 °C); до 100 мкА (125 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | до 35 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Ємність переходу Cj | 70 пФ (1 МГц, 4,0 В) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2,0 °C/Вт |
| Температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2040CT (заміна для MUR2040FCT , THR20U04DF ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 20 А (2×10 А), Tc 100 °C |
| Ударний струм Ifsm | 120 А на один діод (tp = 8,3 мс) |
| Час відновлення trr | 26 нс тип. / 35 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, dIf/dt 50 А/мкс) |
| Пряма напруга Vf | 1,15 В тип. / 1,4 В макс. на один діод (If 10 А, Tc 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | до 5 мкА (Vr 400 В, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт |
| Температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220F, 3 виводи (1 – анод, 2 – катод, 3 – анод) |
| Конфігурація | загальний катод |
Діод MURF2020CTR оригінал (заміна для MUR2020FCA ), TO220F-3pin загальний анод
В наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ультрашвидкий (FRED) здвоєний діод |
| Конфігурація | загальний анод |
| Зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 20 А (2×10 А) |
| Ударний прямий струм IFSM (25 °C) | 96 А |
| Пряма напруга Vf на діод (IF = 10 А, 25 °C) | 1.10 В (макс.) |
| Час відновлення trr (IF = 0.5 А, IR = 1 А, Irr = 0.25 А) | 30 нс (макс.) |
| Температура переходу Tj | до 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2040CTR оригінал , TO220-3pin (20A,400V) загальний анод
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av), прилад в цілому | 20 А (номінальна Vr) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (напівсинусоїда 60 Гц, одна фаза) |
| Пряма напруга Vf, на один діод | 1.30 В (If = 10 А, Tc = 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс макс. (If = 0.5 А, Ir = 1 А, Irec = 0.25 А) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | здвоєний, спільний анод |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2040CT оригінал , TO220-3pin (20A,400V) загальний катод
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Надшвидкий, здвоєний, спільний катод |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на діод, 20 А на обидва при Tc = 135 °C |
| Ударний струм Ifsm | 120 А на діод, tp = 8.3 мс |
| Пряма напруга Vf | 1.15 В (тип.), 1.4 В (макс.) при If = 10 А, Tc = 25 °C |
| Час відновлення trr | 26 нс (тип.), 35 нс (макс.) при Vr = 30 В, If = 1 А, -dI/dt = 50 А/мкс |
| Тепловий опір RthJC | 1.8 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C ( FQA28N50 ) оригінал (заміна для STW28NM50N )(28A,500V) , TO247
В наявності
114,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 28,4 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,126 Ом тип., 0,16 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14,2 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип., 140 нКл макс. (Vds 400 В, Id 28,4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 440 нс (Vgs 0 В, Is 28,4 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GT50J327 ( 50J327 ) оригінал, TO-218
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 50 А (температура корпусу в документі не вказана) |
| Імпульсний струм Icp | 100 А |
| Vce(sat) | 1.9 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Ic 50 А, Vge 15 В |
| Потужність Pc | 140 Вт (температура корпусу в документі не вказана) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If 20 А (DC) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR860F оригінал (600V,8A), TO220F-2pin
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Надшвидкий (ultrafast), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Io | 8 А |
| Пряма напруга Vf | 1.27 В (тип.), 1.59 В (макс.) при If = 8 А, Ta = 25 °C |
| Ударний струм Ifsm | 110 А (8.3 мс, одна напівсинусоїда, JEDEC) |
| Час відновлення trr | 35 нс (макс.) при If = 0.5 А, Ir = 1 А |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Корпус | TO-220F (TO-220FAC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF12N50UT ( 12N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Напруга Vds (TC = 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 6 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) | 0.8 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 21 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRA6069H ( STR-A6069H , A6069H ) оригінал, DIP7
В наявності
141,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга сток–витік Vdss | 700 В (мінімум, серія STR-A606xH) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6 Ом (максимум, Ids = 0,4 А) |
| Піковий струм стоку | 1,8 А (одиночний імпульс, абсолютний максимум) |
| Частота перемикання | 100 кГц (середня, діапазон 90–110 кГц) |
| Напруга запуску VCC(ON) | 15,3 В (типово, TA = 25 °C) |
| Напруга зупинки VCC(OFF) | 8,1 В (типово, TA = 25 °C) |
| Максимальна напруга VCC | 32 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA11N90C ( 11N90C ) оригінал (заміна для FQA9N90C ) , TO-3P
В наявності
146,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (QFET) |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 6.9 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) | 1.4 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Діод 8ETH06 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 8 А при Tc = 144 °C |
| Пряма напруга Vf | 2.0 В (тип.), 2.4 В (макс.) при If = 8 А, Tj = 25 °C |
| Час відновлення trr | 18 нс (тип.), 22 нс (макс.) при If = 1 А, diF/dt = 100 А/мкс, Vr = 30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA08TB60 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
В наявності
79,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга | 600 В |
| Прямий струм IF | 8,0 А (TC 100 °C) |
| Повторюваний імпульсний струм IFRM | 24 А |
| Пряма напруга Vf | 1,4 В (IF = 8 А, TJ 25 °C, типове, макс. 1,7 В); 1,7 В (IF = 16 А, TJ 25 °C, типове, макс. 2,1 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 18 нс (IF = 1,0 А, diF/dt = 200 А/мкс, VR = 30 В, типове) |
| Заряд Qrr | 65 нКл (IF = 8 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ 25 °C, типове) |
| Зворотний струм Ir | 0,3 мкА (VR номінальна, TJ 25 °C, типове, макс. 5 мкА) |
| Ємність Ct | 10 пФ (VR = 200 В, типова, макс. 25 пФ) |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE3080K оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 50 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 30 А) | 6.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2330 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT075N065WED ( 075N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.7 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-126
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC Electronics (нині Renesas Electronics) |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В (Rgk = 1 кОм, Tj 25 °C) |
| Струм It(av) | 2 А (Tc = 77 °C, θ = 180°, однофазна напівхвиля) |
| Струм It(rms) | 4 А |
| Ударний струм Itsm | 20 А (50 Гц, синусоїда півхвиля, 1 цикл) |
| Струм керування Igt | 200 мкА макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 0.8 В макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, Vd = 2/3 Vdrm) |
| Пряме падіння Vtm | 2.2 В макс. (Itm = 4 А) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор FQF16N65DF ( 16N65 ) оригінал (заміна для PY16N65MF , 16N65MF , STF16N65M2 , 16N65M2 , OSPF16N65 , PF16N65 )(16A,650V), TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (безперервний; корпус TO-263 у документі) |
| Rds(on) | 0,55 Ом макс. (типово 0,45 Ом; VGS=10 В, ID=8 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (типово; VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc=25 °C; корпус TO-263 у документі) |
| Температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |