Магазин
Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал (500V,22A) , TO247
В наявності
344,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 22 А (VGS 10 В, Tc 25 °C); 14 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 22 А, VDS = 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час зворотного відновлення trr | 570 нс типове, макс. 850 нс (TJ 25 °C, IF = 22 А, dI/dt = 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP12N60 оригінал ( заміна для TSP12N60M , JCS12N60CT , FQP12N60C , YR12N60 , RD-A 12N60 , WFP12N60 , SSFP12N60 , FP12N60C ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А; типове, макс. 0.7 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF12N60 оригінал (заміна для HF12N60 ) , TO220F
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 0,7 Ом макс., мін. 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип., макс. 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1760 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Feihonltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP20N60 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 20 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 14 А |
| Опір Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Feihonltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Ta=25 °C) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 208 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 83 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку ID (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 42 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,2–4,6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 42 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 595 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | 192 нс тип. (diF/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод RHR15120 оригінал (15A,1200V)(заміна для RHRP15120 ) , TO220-2pin
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий (Hyperfast), одиночний |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| IF(AV) | 15 А (Tc 140 °C) |
| IFRM | 30 А (меандр, 20 кГц) |
| IFSM | 200 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| VF | 3.2 В макс. (IF 15 А, Tc 25 °C) |
| trr | 75 нс макс. (IF 15 А, dIF/dt 100 А/мкс) |
| Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | -65…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP80N08 оригінал (заміна для ME80N08A ), TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID | 194 А (TC = 25 °C; обмеження корпусом 80 А) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс., тип. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 221 нКл (VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP3205 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 8,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (Vds 44 В, Id 62 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6801CD оригінал ( NSI6801C-DSWFR ), sow6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний ізольований драйвер затвора, сумісний за виводами з оптодрайверами |
| Піковий струм джерела | 5,2 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс) |
| Піковий струм стоку | 5,4 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс) |
| Макс. напруга VCC–VEE | 32 В (рекомендовано 14–32 В) |
| UVLO вмикання | 13,2 В (типово) |
| UVLO вимикання | 12,3 В (типово, IF = 10 мА) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Затримка tpLH | 75 нс (типово, макс. 100 нс) |
| Вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА (рекомендовано) |
| Ізоляція SOW6 | 5700 В (діюч.), UL1577, 1 хв |
| Температура TA | -40…125 °C |
| Корпус | SOW6 |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6801BD оригінал ( NSI6801B-DSWFR ), sow6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний ізольований драйвер затвора, сумісний за виводами з оптодрайверами |
| Піковий струм джерела | 5,2 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс) |
| Піковий струм стоку | 5,4 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс) |
| Макс. напруга VCC–VEE | 32 В (рекомендовано 10–32 В) |
| UVLO вмикання | 9,2 В (типово) |
| UVLO вимикання | 8,5 В (типово, IF = 10 мА) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Затримка tpLH | 75 нс (типово, макс. 100 нс) |
| Вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА (рекомендовано) |
| Ізоляція SOW6 | 5700 В (діюч.), UL1577, 1 хв |
| Температура TA | -40…125 °C |
| Корпус | SOW6 |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD60BP оригінал, TO-3P
В наявності
206,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (VGE=0 В, IC=1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC=60 А, VGE=15 В, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 316 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP1906 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 65 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3485 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 130 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HA210N06 оригінал (заміна для DG210N06 )(60V,210A), TO-3P
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Haolin |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 210 А (обмеження корпусу 50 А) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 130 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 75 А) | 3.2 мОм типово, макс. 4 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 220 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY19P03D ( HY19P03 ) оригінал, DPAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип каналу | P |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | -90 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | -59 А |
| Опір Rds(on) (Vgs -10 В, Id -45 А) | 4.8 мОм типово, макс. 6 мОм |
| Опір Rds(on) (Vgs -4,5 В, Id -45 А) | 6.4 мОм типово, макс. 8 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0…-3.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4787 пФ (f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N03 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А (обмежено Tj max) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 96 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2,2 мОм typ. (Id 40 А; макс. 4 мОм) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 3 мОм typ. (Id 30 А; макс. 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА, typ 1,9 В) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл typ. (Vds 15 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA25TB60 оригінал (600V,25A)(заміна для MUR1660AC ) , TO220-2pin
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга VR | 600 В (абсолютний максимум) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 25 А при TC = 100 °C |
| Пряма напруга VF (тип.) | 1.3 В при IF = 25 А, TJ = 25 °C |
| Пряма напруга VFM (макс.) | 1.7 В при IF = 25 А, TJ = 25 °C |
| Час відновлення trr (тип.) | 23 нс при IF = 1 А, dIF/dt = 200 А/мкс, VR = 30 В, TJ = 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 75 нс при тих самих умовах |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2103 оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер півмоста (верхній і нижній ключі) для MOSFET і IGBT |
| Напруга VB (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Рівень логічних входів | 3,3 / 5 В |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Вихідний струм вгору IO+ | 0,3 А |
| Вихідний струм вниз IO− | 0,6 А (Vo = 12 В, VIN = VIL, імпульс 10 мкс) |
| Температура TA | -45…125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP2412 ( TP2412-SR ) оригінал, so-8
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2,2–5,5 В |
| Макс. напруга живлення V+ – V− | 7,0 В (абсолютний максимум) |
| Добуток підсилення на смугу | 10 МГц |
| Швидкість наростання | 7 В/мкс |
| Напруга зсуву | 1 мВ (макс.) |
| Шум напруги | 8,2 нВ/√Гц (f = 1 кГц) |
| Вхідний струм зсуву | 0,3 пА (типово) |
| Струм живлення на канал | 1,4 мА |
| Вихідний струм | 70 мА (падіння 1,0 В) |
| THD+N | 0,0005 % |
| Діапазон температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR40100PT оригінал (40A,100V) , TO247-3pin
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Good-Ark Electronics |
| Конфігурація | два діоди, спільний катод |
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 40 А (TA 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 0,71 В типово, 0,85 В макс. (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,8 °C/Вт (типово) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR60100PT оригінал (60A,100V) , TO247-3pin
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Taiwan Semiconductor |
| Конфігурація | два кристали (Dual dies) |
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В (TA 25 °C) |
| Прямий струм If | 60 А (сумарно на корпус) |
| Пряма напруга Vf | 0,84 В макс. (If 30 А на діод, Tj 25 °C); 0,98 В макс. (If 60 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 1000 мкА макс. (Tj 25 °C); 10 мА макс. (Tj 125 °C), на діод при номінальній Vr |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,2 °C/Вт (типово) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247AD (TO-3P) |
| Ударний струм Ifsm | 420 А (8,3 мс, півсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
В наявності
292,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247
В наявності
133,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 136 А |
| Опір Rds(on) | 3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 168 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод U1660G оригінал демонтаж (заміна для MURB1660CT , MURB1640CT , MURB1620CT , U1640G , U1620G ), D2PAK загальний катод
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В на діод |
| Середній прямий струм | 8 А на діод (Tc 150 °C), 16 А на весь прилад |
| Імпульсний струм Ifsm | 100 А (один напівперіод, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf | 1,50 В макс. (If 8 А, Tc 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 10 µА макс. (номінальна Vr, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс (If 1,0 А, di/dt 50 А/µс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Конфігурація | загальний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7851L оригінал
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В |
| Макс. постійна напруга живлення | 28 В (абсолютний максимум) |
| Макс. імпульсна напруга живлення | 50 В (t = 50 мс, абсолютний максимум) |
| Потужність на канал, 4 Ом | 28 Вт (VS = 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Макс. потужність на канал, 4 Ом | 48 Вт |
| Макс. потужність на канал, 2 Ом | 72 Вт |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (VS = 14,4 В, 1 кГц) |
| Струм спокою | 150 мА (типово, VS = 14,4 В) |
| Нелінійні спотворення | 0,01 % (типово, Po = 4 Вт) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase = 70 °C, абсолютний максимум) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт (макс.) |
| Діапазон температур | -40…105 °C (Tamb) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | NCE60TD65BT |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 319 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Супресор SMAJ17CA ( маркування XR ) smd двоспрямований
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), двонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | XR |
| Робоча напруга Vwm | 17 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 18.9–20.9 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 14.5 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 27.6 В (при Ippm = 14.5 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |
P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247
В наявності
194,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF099T оригінал, TO247
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 38 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 24 А |
| Опір Rds(on) | 109 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А; typ 89 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл typ. (VDS=480 В, ID=38 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 322 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | швидкий, trr typ. 180 нс (Tj 25 °C, IF=19 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60H15A оригінал, TO220
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 130.8 нКл (typ., VDS 30 В, ID 75 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5451 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV3120CR ( LTV-3120CR , LTV3120 ) оригінал (заміна для LTV-3120S , LTV3120S ), SMD-8
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET, rail-to-rail |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.) |
| CMR | 15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SRC60R140BTG ( SRC60R140B ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 25 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 11.2 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 13 А |
| Поріг Vgs(th) | 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40.4 нКл тип. при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 178.6 Вт (для TO-247) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Shenzhen Sanrise Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50T65AK5SD ( CRG50T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CRG50T65AK5SD |
| Маркування | G50T65AK5SD |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 268 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 38,5 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 51 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (тип.) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG60R380F ( OSG60R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл (typ., VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |