Польові транзистори
Транзистор FTP14N50C оригінал ( заміна для 14N50L , UTC14N50L , T14N50 , AOT14N50 ), TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 14 А (Tc 25 °C); 8.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.46 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А); тип. 0.40 Ом |
| Qg | 41 нКл (Vdd 250 В, Id 14 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2129 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP23N10A оригінал, TO220
В наявності
125,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 23 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 28 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4563 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP50N20R оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (TC=25 °C), 38.5 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) тип. | 42 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTW20N50A оригінал (заміна для SW20N50 , PTW20N50A , 20N50P , FSA20N50 , FDA20N50 , A20N50SE , WGA20N50SE , CMA20N50 , CS20N50 , BR20N50 , HA20N50 , 20N50ANH , 20N50 ) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 0.26 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fuji 2SK2723 ( K2723 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
84,13 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Vds (Ta 25 °C) | 60 В |
| Id DC (Ta 25 °C) | 25 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 13 А) | 28 мОм (тип.), 40 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4 В, ID 13 А) | 45 мОм (тип.), 60 мОм (макс.) |
| Vgs(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.0–2.0 В |
| Ciss | 830 пФ (тип.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 25 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Захисний діод затвор-витік | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FXN28N50F оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FuXin Semiconductor (FX-Semi) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А (обмежено кристалом, за корпусом – 23 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 16,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,20 Ом макс. (тип. 0,17 Ом), VGS = 10 В, ID = 14 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 80 нК (тип.), VDS = 400 В, ID = 28 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 300 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 108 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NA1P ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 220 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 154 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.8 мОм тип., 2.3 мОм макс. (VGS 10 В, ID 60 А, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5755 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NR1B ) оригінал (заміна для 020N04 , BR 020N04 , BR020N04), D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 156 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=40 А) | 1,9 мОм (тип.), 2,4 мОм (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Qg | 110 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1D ) оригінал (заміна для HYG023N04LS1D )(45V,140A), D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 45 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип., 2.9 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3412 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1P , HYG023N04LS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Інші позначення | HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм тип., 2,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм тип., 3,5 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 40 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–3 В, тип. 1,9 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58,7 нКл (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1D , G025N06D, HYG025N06D ) оригінал, DPAK
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI (Huayi Microelectronics) |
| Тип | N-канальний, режим збагачення |
| Напруга Vds (BVDSS) | 60 В (мін., Vgs 0 В, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2.6 мОм тип., 3.3 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4.5 В | 3.8 мОм тип., 4.7 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 мін., 2.1 тип., 3.0 макс. В (Vds=Vgs, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±20 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В) | 58.3 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Заряд затвора Qg (Vgs 4.5 В) | 27.7 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 41.1 нс тип. (Isd 40 А, dIsd/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1P , G025N06P ) оригінал, TO220
В наявності
50,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 160 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 113 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) при 10 В | 2.5 мОм тип., 3.2 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 3.7 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=4.5 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 1.0–3.0 В, тип. 2.1 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58.3 нКл тип. (VDS=48 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В, trr тип. 41.1 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10NS1B ) оригінал(100V,160A) , D2PAK
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 µA, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 160 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 113 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. / 4.2 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G1N65R035TB-N оригінал демонтаж ( заміна для TP65H035G4WS ), TO247
В наявності
423,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | GaN-транзистор (нормально закритий) |
| Напруга Vdss | 650 В (TJ –55…150 °C) |
| Vdss(TR) | 800 В (викид менше 30 мкс) |
| Струм Id | 46 А (TC 25 °C); 29 А (TC 100 °C) |
| Rds(on)eff | 35 мОм тип. (VGS 10 В, ID 30 А, TJ 25 °C) |
| Qg | 22 нКл тип. (VDS 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 400 В, f 1 МГц) |
| Pd | 156 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G22N60S ( SiHG22N60S ) оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 22 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 11 А) | 0,160 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип., 115 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2810 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G33N60E ( G33N60EF , SiHG33N60E , SiHG33N60EF ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25 °C) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 33 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 21 А |
| Rds(on) | 0,085 Ом тип., 0,098 Ом макс. (VGS=10 В, ID=16,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 278 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GK110N20S ( HGK110N20S ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 132 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Rds(on) | 8,7 мОм тип., 10,9 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| trr | 140 нс (VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N50 ( 25N50 , GL25N50B47 , GL25N50AN ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм тип., 240 мОм макс. (VGS 10 В, ID 14 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (VDS 400 В, ID 25 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP GP47S60X оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic |
| Тип каналу | N |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Струм Id | 47 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 15,6 А | 81 мОм макс. (типово 68 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87,967 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3111,9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 417 Вт (TO-247) |
| Без галогенів | так (Halogen Free) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP039N12S ( HGP039N12S ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hunteck |
| Напруга Vds | 120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, корпусом 180 А); 139 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.2 мОм макс. TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GP28S50G оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic (Champion) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO220F (у документі TO-220FP) |
| Напруга стік–витік Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tj 25 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 125 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40,7 нКл (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1517.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор GPT10N50ADG оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік V(BR)DSS | 500 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 0,7 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 26,7 нКл (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1149 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 44 Вт (для TO-220F) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Greatpower |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT16N50DG оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Greatpower |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 15,5 А (безперервний; значення для TO-220 і TO-220FP) |
| Rds(on) | 0,38 Ом (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 49,3 нКл (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2299 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| trr | 475 нс (IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс) |
| Pd | 49 Вт (версія TO-220FP) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |