Транзистори
Транзистор SRC60R140B , TO220F
В наявності
102,93 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanrise Tech |
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Повна назва (маркування) | SRC60R140BTFE |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 140 мОм |
| Заряд затвора Qg | 40,4 нКл (типово) |
| Вбудований діод | швидкий (fast-recovery) |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
Транзистор SRC60R140B оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SRC60R140BTG ( SRC60R140B ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 25 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 11.2 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 13 А |
| Поріг Vgs(th) | 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40.4 нКл тип. при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 178.6 Вт (для TO-247) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Shenzhen Sanrise Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SS8050C (2SC8050) , sot23
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 40 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pc | 300 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (VCE = 1 В, IC = 100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC = 800 мА, IB = 80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. |
Транзистор SS8550C (2SC8550) , sot23
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | –25 В (Ic –2 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | –40 В (Ic –100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | –6 В (Ie –100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | –1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.3 Вт (Ta 25 °C, SOT-23) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (Vce –1 В, Ic –100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | –0.5 В макс. (Ic –800 мА, Ib –80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce –10 В, Ic –50 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | Galaxy Microelectronics |
Транзистор SS9012G (S9012G) , to92
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -20 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 64…202 (Vce -1 В, Ic -50 мА, повний діапазон усіх класів) |
| hFE2 | мін. 40 (Vce -1 В, Ic -500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. -0.6 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
Транзистор SS9013H ( S9013H , SS9013G , S9013G) , to92
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 25 В (Ic 0,1 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | 40 В (Ic 100 мкА, Ie 0, мін.) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ie 100 мкА, мін.) |
| Струм Ic | 0,5 А |
| Потужність Pd | 0,625 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE (клас H) | 144–202 (Ic 50 мА, Vce 1 В) |
| Vce(sat) | 0,6 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| fT | 150 МГц мін. (Ic 20 мА, Vce 6 В, f 30 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9014C ( SS9014 , KTC9014 , C9014 ) , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60…1000 (Vce 5 В, Ic 1 мА, повний діапазон усіх класів) |
| Гранична частота fT | мін. 150 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0.3 В (Ic 100 мА, Ib 5 мА) |
| Вихідна ємність Cob | тип. 2.2 пФ, макс. 3.5 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор SS9015 , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | –50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–1000 (Vce –5 В, Ic –1 мА) |
| Vce(sat) | –0,7 В макс. (Ic –100 мА, Ib –5 мА) |
| fT | 190 МГц тип. (Vce –5 В, Ic –10 мА) |
| NF | 0,7 дБ тип. (Vce –5 В, Ic –0,2 мА, f 1 кГц, Rs 1 кОм) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9018 , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 15 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 28–198 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 1100 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 5 мА) |
| Cob | 1,3 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор ST G60H65DFB ( GWA60H65DFB , STGWA60H65DFB ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGWA60H65DFB |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 100 °C); 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Імпульсний струм колектора | 240 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип., 2 В макс. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 306 нКл (Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | вбудований, дуже швидкий з м’яким відновленням |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ST STGB10NB37LZ оригінал демонтаж б/в, D2PAK ( GB10NB37LZ )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з активним обмеженням напруги |
| Vces(clamped) | 410 В (IC = 2 мА, діапазон 380–440 В) |
| Струм Ic | 20 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм | 40 А |
| Vce(sat) | 1.2 В (VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 0.6–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Eas | 300 мДж |
| ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ST STP100N8F6 ( 100N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
57,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 0.008 Ом тип., 0.009 Ом макс. (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (VDD 40 В, ID 100 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP26N60M2 ( 26N60M2 ) оригінал, TO220
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 13 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм тип., макс. 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип., 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 169 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ST STW11NK100Z ( W11NK100Z ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 1000 В (Vgs 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 8.3 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 5.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) типово | 0.83 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Vgs(th) | 3.75 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 113 нКл (Vdd 800 В, Id 8 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST1802HI ( 1802HI ) оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 600 В (IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (IE = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 4 А, IB = 1,2 А; Tcase 25 °C) |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STF24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для FCPF21N60NT ), TO220F
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм typ, 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 480 В, ID = 18 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STP24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для SPP24N60C3 , 24N60C3 , IXTP24N65X2 , IXTP24N50 ), TO220
В наявності
203,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N (MDmesh M2, захист Зенера) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 168 мОм типово, макс. 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST8812FX оригінал
В наявності
88,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, високовольтний швидкодіючий |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1150 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 15 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 7 А |
| Імпульсний струм Icm | 12 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 60 нс типово, 120 нс макс. (Ic 4 А, Ib1 0,8 А, Vclamp 480 В) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (RMS) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STB10NK60Z ( B10NK60Z )(600V,10A) , D2PAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор–витік |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл типово (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 115 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
Транзистор STB20NM50 ( B20NM50 , STB20NM50FD ) оригінал демонтаж(заміна для STB14NM50N , 14NM50N ), D2PAK
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 4 В тип. (мін. 3, макс. 5 В) |
| Qg | 40 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB20NM60 ( B20NM60 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 250 / 290 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 39 (макс. 54) нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB21NK50Z ( 21NK50Z ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, захист затвора стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В) |
| Струм Id | 17 А (Tc 25 °C), 10.71 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом тип., макс. 0,27 Ом (VGS 10 В, Id 8,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл тип., макс. 119 (VDD 400 В, Id 17 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.75 В тип. (мін. 3, макс. 4,5; VDS = VGS, Id 100 мкА) |
| Потужність Pd | 190 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB35N65M5 ( 35N65M5 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 27 А |
| Струм Id (100 °C) | 17 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 85 / 98 мОм (VGS = 10 В, ID = 13.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж(заміна для STB23NM50N, 23NM50N , STB32NM50N , 32NM50N , STB28NM50N, 28NM50N , STB25NM50N, 25NM50N , STB21NM50N, 21NM50N ), D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 34 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 88 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 3 В тип. (мін. 2, макс. 4 В) |
| Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STB42N65M5 ( 42N65M5 ) оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 33 А |
| Струм Id (100 °C) | 20.8 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 70 / 79 мОм (VGS = 10 В, ID = 16.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STB80NF03L-04 ( 80NF03L-04 ) оригінал, D2PAK
В наявності
119,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (STripFET II, logic level) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 80 А |
| Rds(on) макс. (Vgs = 10 В) | 0,004 Ом (ID = 40 А) |
| Rds(on) макс. (Vgs = 4,5 В) | 0,0055 Ом (ID = 40 А) |
| Розсіювана потужність | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD13N60M2 ( ST13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Серія | MDmesh M2 |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 11 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 350 мОм тип., 380 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 5,5 А |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD13NM60N ( 13NM60N , ST13NM60N ) оригінал, D-PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при Tjmax) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.93 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 230 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD1NK80Z ( D1NK8 ) оригінал (800V,1A,13R) , D-PAK(Заміна для 2SK3850 )
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 1 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 0,63 А |
| Імпульсний струм стоку | 5 А |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 13 / 16 Ом (VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (ID=50 мкА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF26NM60N ( 26NM60N , ST26NM60N , ST26N60M2 ) оригінал (Заміна для STF25NM60N , STF21NM60N ), TO220F
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Qg | 60 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 35 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STF28NM50N ( 28NM50N ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STF33N60M2 ( 33N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 26 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 16 А |
| Rds(on) | 108 мОм тип., 125 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 45.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1781 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF3NK80Z ( F3NK80Z ) оригінал ( Заміна для FQPF3N80C , FQPF3N80 ), TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 800 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,5 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,57 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 4,5 Ом макс., типово 3,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (типово 3,75 В; VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл типово (VDD = 640 В, ID = 2,5 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, t = 1 с, TC 25 °C) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STF40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж (заміна для SI28S60F , SIHF28N60EF, STF28NM60ND ) , TO220F
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 34 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 22 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 17 А) | 0.088 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (25 °C) | 40 Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Маркування | 40N60M2 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STF5N52U ( 5N52U ) оригінал, TO-220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 525 В мін. (VGS 0 В, ID 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.4 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.8 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 1.25 Ом тип., 1.50 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2.2 А) |
| Заряд затвора Qg | 16.9 нКл (VDD 416 В, ID 4.4 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 529 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В, тип. 3.75 В (VDS = VGS, ID 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STGB10NB40LZ ( GB10NB40LZ ) оригінал , D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGB10NB40LZ |
| Напруга обмеження Vces | 380–440 В, тип. 410 В (IC = 2 мА, VGE = 0) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В, макс. 1,8 В (VGE = 4,5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |