Магазин
Транзистор FTP06N06N оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А, обмежено кремнієм |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 4,5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 76,7 нКл тип. (ID = 60 А, VDD = 48 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3238 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8880 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 30 В (Vgs = 0 В) |
| Струм Id безперервний | 54 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) макс. | 11,6 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) макс. при 4,5 В | 14,5 мОм (Vgs 4,5 В, Id 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,2–2,5 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Температура Tj і Tstg | від -55 до 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2,73 °C/Вт (TO-220) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA16N50 ( 16N50 ) оригінал демонтаж (500V,16A) , TO-3P
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16,5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9,9 А |
| Опір Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,5 А |
| Опір Rds(on) | 0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS25N50 оригінал, TO220
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 25 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15,7 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,21 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 12,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл при ID 25 А, VDD 400 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3487 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 25 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 490 нс при IS 25 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 600 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,36 Ом (тип.), 0,45 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл при ID 20 А, VDD 300 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 20 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 425 нс при IS 20 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3522 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А при Tc 25 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,26 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип.), 81 нКл (макс.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 0,7 мкс при IF 21 А, VGS 0 В, -di/dt 100 А/мкс, Tch 25 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA7851A оригінал демонтаж
В наявності
423,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу AB |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Потужність на канал, 4 Ом | 4 x 28 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Максимальна потужність, 4 Ом / 2 Ом | 4 x 48 / 4 x 72 Вт |
| Напруга живлення VS | 8–18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Піковий вихідний струм | 10 А (неповторюваний, 100 мкс) |
| Струм спокою | 150 мА (VS 14.4 В, RL = ∞, типово) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7560A оригінал
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу AB |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Потужність на канал, 4 Ом | 4 x 30 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Потужність на канал, 2 Ом | 4 x 55 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Робоча напруга VS, макс. | 18 В |
| Піковий вихідний струм | 9 А |
| Струм спокою | 200 мА (VS 13.2 В, RL = ∞, типово) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM2106 оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер MOSFET і IGBT, верхній і нижній ключі |
| Напруга зсуву VOFFSET, макс. | 600 В |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 10–20 В |
| Піковий струм виходу, джерело | 450 мА (типово) |
| Піковий струм виходу, стік | 950 мА (типово) |
| Затримка вмикання | 160 нс (типово) |
| Затримка вимикання | 220 нс (типово) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SGM48000XS8G ( 48000XS8 , SGM48000XS8 , SGM48000 ) , sop-8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SG Micro Corp |
| Призначення | двоканальний low-side драйвер силових MOSFET |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 2 А (типове значення) |
| Час наростання | 12 нс |
| Час спаду | 13 нс |
| Напруга живлення VCC | 4.5…26.5 В |
| Максимальна напруга VCC | 28 В |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Розсіювана потужність SOIC-8 | 0.94 Вт при TA = +25 °C |
| Тепловий опір SOIC-8 (JA) | 132 °C/Вт |
| Логіка входів | обидва канали неінвертуючі |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PM8834 ( PM8834TR ) оригінал, so-8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Струм виходу, джерело | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Струм виходу, стік | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Напруга живлення Vcc | 5–18 В |
| Напруга на виводах, макс. | 19 В (абсолютний максимум) |
| Поріг UVLO, увімкнення | 4,4–4,6 В (Vcc зростає) |
| Струм живлення | 3,5 мА (Vcc 10 В, TJ 25 °C, виходи розімкнуті) |
| Час наростання | 10 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ; макс. 20) |
| Затримка поширення | 25–30 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ) |
| Робоча температура переходу | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6622AD оригінал ( NSI6622A-DSWR , NSI66 22AD , NS16622AD , NS166 22AD ), sow16
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (кожен канал) |
| Піковий струм виходу, стік | 6 А (кожен канал) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче; SOW16, 1 хв за UL1577) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово, мін. 100) |
| Живлення вихідної сторони, до | 25 В (UVLO 6 В у версії A) |
| Живлення вхідної сторони | 2,7–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово; мін. 10, макс. 35) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6599AD оригінал, so-16
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-16 |
| Робоча частота, до | 500 кГц |
| Струм драйвера, джерело | 300 мА (верхній та нижній ключі) |
| Струм драйвера, стік | 800 мА (верхній та нижній ключі) |
| Vboot, макс. | 618 В (абсолютний максимум; драйвер верхнього ключа на 600 В) |
| Робочий діапазон Vcc | 8,85–16 В (після увімкнення) |
| Поріг увімкнення VccOn | 10,7 В (типово, Vcc зростає) |
| Поріг вимкнення VccOff | 8,15 В (типово, Vcc спадає) |
| Струм спокою | 3,5 мА (типово) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA3845D оригінал, DIP8
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм Io, макс. | ±1 А (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (TJ 25 °C, Iref 1 мА) |
| Частота генератора | 52 кГц (Vcc 15 В, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ, TJ 25 °C) |
| Робоча частота, до | 500 кГц |
| Поріг UVLO (увімкнення / вимкнення) | 8,5 В / 7,9 В |
| Робочий струм живлення | 14 мА типово |
| Робочий діапазон температур | 0 … +70 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FAN7602B оригінал, so-8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча частота | 65 кГц |
| Поріг пуску | 11–13 В |
| Поріг вимкнення | 7–9 В |
| Максимальна шпаруватість | 70–80 % |
| Піковий струм виходу | 450 мА (витік) / 600 мА (втік) |
| Абсолютний максимум VCC | 20 В |
| Температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS452R ( BTS452 ) оригінал, TO252-5
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 6–52 В |
| Напруга захисту Vbb(AZ) | 62 В |
| Опір каналу RON | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (Tj = 25 °C, IL = 1 А, Vbb = 9–52 В) |
| Струм IL(ISO) | 1,8 А мін., 2,2 А тип. (TC = 85 °C, VON = 0,5 В, на платі) |
| Час вмикання ton | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Час вимикання toff | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO252-5L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACS102-5T1 ( ACS1025T , ACS102-5T ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга VDRM / VRRM | 500 В (Tj = 125 °C) |
| Напруга обмеження VCL | 600 В (тип.; ICL = 1 мА, tp = 1 мс, Tj = 25 °C) |
| Струм It(rms) | 0,2 А (SO-8, Tamb = 100 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VOUT = 12 В, RL = 140 Ом, Tj = 25 °C) |
| Падіння VTM | 1,2 В макс. (IOUT = 0,3 А, tp = 380 мкс, Tj = 25 °C) |
| Діапазон температур переходу | -30…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS8N65F оригінал , TO220F
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 8 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,95 Ом (VGS = 10 В, ID = 4 А, типове; макс. 1,15) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40P13S оригінал, so-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -40 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -13 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | -9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм (VGS = -10 В, ID = -12 А, типове; макс. 15) |
| Опір Rds(on) при -4,5 В | 18 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1,3…-2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H29D оригінал (40V,290A), D2PAK
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 290 А (таблиця граничних значень, TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 205 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А, типове, макс. 2,4) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,3–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 1,8) |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (ID = 20 А, VDD = 20 В, VGS = 10 В, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 55 нс (TJ = 25 °C, IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT6808D оригінал, DPAK
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, типове, макс. 8,0) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3) |
| Потужність Pd | 112 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 33 нс (ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903B оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 260 А (TC = 25 °C, обмежено корпусом) |
| Опір Rds(on) | 1,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А, типове) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 1,6 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, типове) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,5–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 179 нКл (VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G33N60E ( G33N60EF , SiHG33N60E , SiHG33N60EF ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25 °C) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 33 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 21 А |
| Rds(on) | 0,085 Ом тип., 0,098 Ом макс. (VGS=10 В, ID=16,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 278 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | ROUM |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 66 А |
| Струм Id (100 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Pd | 88 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST033N08N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 208 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 160 А |
| Струм Id (100 °C) | 131 А |
| Rds(on) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Qg | 130 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 8930 пФ |
| Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ74N60G2F оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 39 А |
| Струм Id (100 °C) | 25 А |
| Rds(on) | 70 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 23 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В |
| Qg | 65 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (f 1 МГц) |
| Pd | 318 Вт (Tc 25 °C) |
| trr діода | 125 нс (ISD = 23 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF99N65G2BF оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 31 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 90 мОм тип., макс. 103 мОм (VGS = 10 В, ID = 17 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 70 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Потужність Pd | 26 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Діод тіла | надшвидкий |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 50G60HD ( FGW50N60HD , FGW50G60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 95 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) | 1.50 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 360 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 305 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
