Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 2SK3522 оригінал демонтаж, TO247
188,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK3522 – N-канальний польовий транзистор Fuji Electric для імпульсних регуляторів і DC-DC перетворювачів. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А при Tc 25 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,26 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип.), 81 нКл (макс.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 0,7 мкс при IF 21 А, VGS 0 В, -di/dt 100 А/мкс, Tch 25 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
2SK3522 – N-канальний MOSFET виробництва Fuji Electric у корпусі TO-247. Напруга Vds – 500 В. Струм стоку Id – 21 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,20 Ом (тип.) і 0,26 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10,5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3,0–5,0 В при ID 250 мкА. Заряд затвора Qg – 54 нКл (тип.), 81 нКл (макс.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2280 пФ. Потужність розсіювання – 220 Вт при Tc 25 °C, температура каналу до 150 °C. Вбудований діод має пряму напругу 0,98 В (тип.) і 1,50 В (макс.) при IF 21 А.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, дивіться на канал (N), корпус TO-247, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) при VGS 10 В, а також на заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Нижче в таблиці є аналоги з нашого каталогу, які пройшли це порівняння. Відправка Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- DC-DC перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| SPW21N50C3 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 21 ≥ 0.8×21=16.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.19 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте розпіновку й параметри за datasheet. | Купити |
| IRFP23N50L | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 23 ≥ 0.8×21=16.8, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.19 ≤ 1.3×0.2=0.26, примітка: драйвер (Qg удвічі більший), корпус TO-247 = TO-247 | Заряд затвора Qg удвічі більший – потрібен драйвер потужніший. | Купити |
| STW20NM60 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×21=16.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.29 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-247 = TO-247 | Vds 600 В – запас по напрузі; Rds(on) при VGS 10 В вищий, ніж у 2SK3522. | Купити |
| IXFH30N50P | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 30 ≥ 0.8×21=16.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.165 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте розпіновку й параметри за datasheet. | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×21=16.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-247 = TO-247 | Перед заміною порівняйте розпіновку й параметри за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити 2SK3522?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 500 В, а Id і Rds(on) не гірше за 2SK3522 при VGS 10 В. Готові варіанти з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Остаточну сумісність перевіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити такий транзистор після монтажу?
Перед пайкою перевірте тестером, що немає пробою між виводами. Порогова напруга Vgs(th) – 3,0–5,0 В при ID 250 мкА, тож затвор треба відкривати вище цього рівня.
Що важливо для драйвера затвора?
Заряд затвора Qg – 54 нКл (тип.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В. Драйвер має віддавати цей заряд за потрібний час перемикання.
Документація виробника: 2SK3522-01 (Fuji Electric).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.