Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8
СтанОригінал

Транзистор NCE40P13S оригінал, so-8

75,20 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

NCE40P13S – оригінальний P-канальний польовий транзистор виробництва NCE Power у корпусі SO-8. Підходить для силових ключів і DC-DC перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуP
Напруга Vds-40 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА)
Струм стоку Id-13 А (TA = 25 °C)
Струм стоку Id при 100 °C-9 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)12 мОм (VGS = -10 В, ID = -12 А, типове; макс. 15)
Опір Rds(on) при -4,5 В18 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)-1,3…-2,5 В
Заряд затвора Qg40 нКл (VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В)
Вхідна ємність Ciss2800 пФ (f 1 МГц)
Потужність Pd2,5 Вт (TA = 25 °C)
Температура переходу150 °C
КорпусSO-8
ВиробникNCE Power
СтанОригінал
Опис

NCE40P13S – P-канальний trench MOSFET виробництва NCE Power у корпусі SO-8 (SOP-8). Напруга стік–витік Vds -40 В при VGS = 0 В, ID = -250 мкА. Струм стоку Id -13 А за таблицею граничних значень при TA = 25 °C і -9 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 12 мОм типове при VGS = -10 В, ID = -12 А (максимум 15 мОм); при VGS = -4,5 В – до 18 мОм. Порогова напруга Vgs(th) від -1,3 до -2,5 В при VDS = VGS, ID = -250 мкА. Заряд затвора Qg 40 нКл типове при VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (f 1 МГц). Потужність Pd 2,5 Вт при TA = 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, звіряйте тип каналу (потрібен P-канал), корпус SO-8 з тією самою розпіновкою, напругу Vds не нижче -40 В, струм Id і Rds(on) при тому самому Vgs, а також заряд затвора Qg: якщо він більший, перевірте драйвер. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Де застосовують

  • силові ключі
  • швидкі схеми
  • DC-DC перетворювачі
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити NCE40P13S?

Потрібен P-канальний MOSFET у корпусі SO-8 з Vds не нижче -40 В, Id і Rds(on) не гірші при тому самому Vgs. Порівнюйте datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.

Як перевірити транзистор мультиметром?

У режимі прозвонки діодів вбудований діод між стоком і витоком має вести в один бік і не вести в інший. Затвор відносно інших виводів не повинен мати провідності.

Який Rds(on) у NCE40P13S?

12 мОм типове при VGS = -10 В, ID = -12 А (максимум 15 мОм). При VGS = -4,5 В максимум 18 мОм.

Datasheet

Документація виробника: NCE40P13S (NCE).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCE40P13S (NCE) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.