Магазин
Оптрон MOC3082
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3081
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 15 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3063 ( EL3063 , CT3063 ) , DIP6
В наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 5 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | DIP-6 |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3062 smd
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 10 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | SMD (surface mount DIP-6) |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3061
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 15 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | DIP-6 |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3042
В наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип | zero-cross, вихід – фотосимістор з детектором переходу через нуль |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Зворотна напруга світлодіода VR | 6 В (абсолютний максимум) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.25 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 30 мА |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
| Піковий неповторюваний струм ITSM | 1 А (пік), 60 Гц, синусоїда, один період |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік, IF = 0 |
| Швидкість dv/dt | 2000 В/мкс (typ), 1000 В/мкс (min) при IF = 0 |
| Напруга блокування VIH | 20 В (max) |
| Струм витоку IDRM2 | 2 мА (max) при IF = номінальний IFT, номінальній VDRM |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
Оптрон MOC3023 , DIP6
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА |
| Піковий імпульсний струм ITSM | 1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с) |
| Струм витоку IDRM | 10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік |
| Швидкість dv/dt | 1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
| Тип | random-phase, вихід – фотосимістор |
| Струм спрацювання IFT | 5 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
Оптрон MOC3022 ( CT3022 )
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА |
| Піковий імпульсний струм ITSM | 1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с) |
| Струм витоку IDRM | 10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік |
| Швидкість dv/dt | 1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
| Тип | random-phase, вихід – фотосимістор |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
Оптрон MOC3021
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | з фотосимістором, random-phase |
| Напруга вимкненого стану Vdrm | 400 В (пік.) |
| Струм спрацювання IFT | 15 мА макс. |
| Прямий струм світлодіода IF макс. | 60 мА |
| Піковий імпульсний струм ITSM | 1 А |
| Напруга ізоляції Viso (1 хв) | 4170 В (ефект.) |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон HCPL3120 ( A3120 , HCPL3120-000E ) оригінал, DIP8
В наявності
114,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Піковий вихідний струм | 2,5 А |
| Напруга живлення (VCC – VEE) | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Вихідна напруга низького рівня VOL | 0,5 В макс. при IO = 100 мА |
| Напруга ізоляції Viso (1 хв) | 3750 В (ефект.) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон HCPL2631 ( HP2631 , A2631 )
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 2 |
| Швидкість передачі | 10 Мбіт/с |
| Тип виходу | логічний, відкритий колектор |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 4,5–5,5 В |
| Прямий струм світлодіода IF макс. (на канал, Ta 25 °C) | 30 мА |
| Напруга ізоляції Viso (1 хв) | 2500 В (ефект.) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Оптрон H11L1
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | тригер Шмітта, відкритий колектор |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга ізоляції Viso | 4170 В (RMS), t = 1 хв |
| Напруга живлення VCC | 3–15 В |
| Швидкість передачі даних | 1 МГц (тип.) |
| Струм вмикання IF(on) | 1,6 мА (макс.) при RL = 270 Ом, VCC = 5 В |
| Максимальний струм світлодіода IF | 30 мА |
| Виробник за datasheet | onsemi (Fairchild) |
Оптрон CQY80 ( CQY80NG , CQY80N )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор з виводом бази |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (RMS), t = 1 хв |
| CTR (мін.) | 50 % при VCE = 5 В, IF = 10 мА |
| VCEO | 32 В |
| Струм колектора IC | 50 мА постійний |
| Потужність Ptot | 250 мВт |
| Гранична частота fc (тип.) | 110 кГц |
| Виробник за datasheet | Vishay |
Оптрон 4N35
В наявності
12,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор NPN з виводом бази |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (RMS) |
| CTR (мін.) | 100 % при VCE = 10 В, IF = 10 мА |
| Струм світлодіода IF (макс.) | 50 мА |
| Струм колектора IC | 50 мА постійний |
| BVCEO (мін.) | 30 В при IC = 1 мА |
| Виробник за datasheet | Vishay |
Мікросхема YX8115 , TO92-3pin
В наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shiningic |
| Тип | Підвищувальний драйвер світлодіодів |
| Вхідна напруга Vin | 0,9–1,8 В (Ta 25 °C) |
| Напруга VDD, макс. | 4,2 В |
| ККД | не менше 80 % |
| Частота перетворення | 280 кГц (Vin 1,5 В, Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Потужність розсіювання Pd | 0,5 Вт (Ta 25 °C, TO-92 і SOT-23) |
| Корпус | TO-92 |
Мікросхема YD723A ( YD723 ) , DIP8
В наявності
46,06 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi Youda Electronics |
| Корпус | DIP8 |
| Робоча напруга живлення | 1,8–15 В |
| Vcc, макс. (граничне) | 16 В при Tamb 25 °C |
| Піковий вихідний струм (граничний) | 1 А при Tamb 25 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
Мікросхема YD1028 , TO220-9
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | E-youda |
| Корпус | TO-220, 9 виводів |
| Напруга живлення Vcc | 8,0–18,0 В (типово 13,2 В) |
| Потужність BTL, THD 10 % | 16 / 18 Вт (мін/тип) при Vcc 13,2 В, RL 4 Ом, f 1 кГц |
| Потужність у стерео, кожен канал | 9 Вт при Vcc 13,2 В, RL 2 Ом, THD 10 % |
| Коефіцієнт підсилення BTL | 45 / 46 / 47 дБ (мін/тип/макс) |
| Вхідний опір | 25 / 30 / 38 кОм (мін/тип/макс) |
Мікросхема WT7520 оригінал, DIP16
В наявності
86,01 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Weltrend Semiconductor |
| Корпус | DIP16 |
| Vcc, макс. (граничне) | 5,5 В |
| Потужність розсіювання Pd (граничне) | 200 мВт |
| Робоча температура | -10…+70 °C |
| Затримка Power Good | 150 / 280 / 350 мс (мін/тип/макс) при Ta 25 °C, Vcc 5 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема WT7510 оригінал ( заміна для TPS3510 , LP3510 , LP7510 ), DIP8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc | 4–15 В (типово 12 В) |
| Поріг перенапруги V33 | 3,9 В (тип.) |
| Поріг перенапруги V5 | 6,1 В (тип.) |
| Поріг перенапруги Vcc/V12 | 13,4 В (тип.) |
| Затримка Power Good | 300 мс |
| Виходи | PGO і FPL_N – з відкритим стоком |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer53 ( VIPer53E ) , DIP8
В наявності
219,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Пробивна напруга стік-витік | 620 В |
| Опір відкритого каналу | 0,9 Ом (ID 1 А, тип.) |
| Піковий струм стоку | 2 А |
| Частота перемикання | до 300 кГц |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема VIPer50A ( VIPer50 ) оригінал, TO220-5
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга стік-витік | 700 В |
| Номінальний струм MOSFET | 1,5 А |
| Опір відкритого каналу | 4,6 Ом (ID 2 А, тип.) |
| Піковий струм обмеження | 2 А (VDD 12 В, тип.) |
| Частота перемикання | до 200 кГц |
| Корпус | Pentawatt HV (TO-220-5) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer26L , so-16
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | off-line перетворювач, ШІМ + силова частина 800 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Пробивна напруга стік-витік | 800 В (ID 1 мА, VCOMP = GND, Tj 25 °C, мін.) |
| Rds(on) | 7 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, тип.; 14 Ом при Tj 125 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А (ILIM −10 мкА, VCOMP 3,3 В, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання (тип L) | 60 кГц (54–66 кГц) |
| Напруга обмеження VDD | 23,5 В (IDD 15 мА) |
| Типова потужність (адаптер) | 18 Вт (230 В AC); 10 Вт (85–265 В AC) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема VIPer22A оригінал ( заміна для AP8012 ), DIP8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга BVdss | 730 В (мін.) при Id = 1 мА, Vfb = 2 В |
| Обмеження струму Idlim | 0,56 / 0,70 / 0,84 А (мін. / тип. / макс.) |
| Частота | 60 кГц (54 / 66 кГц мін. / макс.) при Tj = 0–100 °C |
| Напруга живлення VDD | 9–38 В |
| Поріг запуску VDD on | 14,5 В (тип.) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 45 °C/Вт (макс.), плата FR4, 200 мм2 міді під виводами DRAIN |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , TO220-5
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO220-5 |
| Напруга VDSS | 700 В при Id = 1 мА, Vcomp = 0 В |
| Струм ключа | 0,5 А |
| Rds(on) при 25 °C | 15,5 Ом (тип.) / 18 Ом (макс.) при Id = 0,4 А |
| Rds(on) при 100 °C | 32 Ом (макс.) при Id = 0,4 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 57 Вт при Tc = 25 °C |
| Частота перемикання | регулюється до 200 кГц |
Мікросхема VIPer16L ( VIPer16LN ) оригінал, DIP7
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік-витік Vdrain (макс.) | 800 В |
| Пробивна напруга BVdss | 800 В (мін.) при Idrain = 1 мА, Tj = 25 °C |
| Rds(on) при 25 °C | 20 Ом (тип.) / 24 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А |
| Rds(on) при 125 °C | 40 Ом (тип.) / 48 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А |
| Робоча частота | 60 кГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer12A оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | off-line імпульсний первинний перемикач |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга стік-витік | 730 В (Tj 25–125 °C, абсолютний максимум) |
| Пробивна напруга стік-витік | 730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, Tj 25 °C, мін.) |
| Rds(on) | 27 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, VDD 18 В, тип.) |
| Обмеження піків струму | 0,4 А (VFB 0 В, VDD 18 В, тип.) |
| Частота перемикання | 60 кГц |
| Напруга живлення VDD | 9–38 В |
| Поріг запуску VDD | 14,5 В (тип.) |
| Поріг вимкнення VDD | 8 В (тип.) |
| Типова потужність (SO-8) | 8 / 5 Вт (195–265 В AC / 85–265 В AC) |
| Робоча температура корпусу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема VDP3120B C3 б/в
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | VDP3120B C3 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема VDP3120B C3 ( VDP3112B C3 , VDP3116B C3 )
В наявності
265,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | VDP3120B C3 |
| Позначення в назві | VDP3112B C3, VDP3116B C3 |
Демонтаж
Мікросхема UTC1353 демонтаж
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | тракт ПЧ звуку телевізора |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В |
| Напруга живлення V10 (макс.) | 20 В при Ta 25 °C |
| Вихідна потужність | 2,4 Вт при Vcc 18 В, RL 8 Ом; 1,2 Вт при Vcc 12 В, RL 8 Ом |
| Придушення шуму (squelch) | 80 дБ, типове |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Температура зберігання | -40…150 °C |
| Корпус | DIP-14H |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема UTC1031 демонтаж
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | кадрова розгортка ТВ |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В за схемою застосування |
| Напруга живлення (макс.) | 20 В при Ta 25 °C |
| Вихідний струм (розмах) | 2 А (p-p) при Ta 25 °C |
| Робоча температура | -20…70 °C |
| Температура зберігання | -40…125 °C |
| Корпус | SIP-10H |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ULN2804AFWG , smd
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Конфігурація | 8 каналів Дарлінгтона NPN із вбудованими захисними діодами |
| Вихідна напруга VCE(SUS) | 50 В (макс. у закритому стані, мін. 50 В) |
| Вихідний струм | 500 мА на канал, макс. |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В при Ta 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода | 50 В при Ta 25 °C |
| Прямий струм захисного діода | 500 мА при Ta 25 °C |
| Вхід | резистор 10,5 кОм, для КМОН і PMOS 6–15 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SOP-18 |
Мікросхема ULN2803A оригінал ( заміна для ULN2803APG , TD62083AP ) , DIP18
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | 8 каналів Дарлінгтона із загальним емітером, вбудовані захисні діоди |
| Вихідна напруга | 50 В макс. у закритому стані |
| Струм колектора | 500 мА на канал, піковий 600 мА |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1 Вт на Дарлінгтон, 2,25 Вт на корпус |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004A ( ULN2004APG , ULN2004AN ) оригінал, DIP16
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Збірка транзисторів Дарлінгтона (NPN) із захисними діодами |
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 7 шт. |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА |
| Напруга колектор–емітер (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В відносно виводу E |
| Vce(sat) (макс.) | 1,1 В при TA 25 °C, II = 250 мкА, IC = 100 мА |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004 ( ULN2004A , ULN2004D1 , KID65004AF ) оригінал, so-16
В наявності
31,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 10.5 кОм (для CMOS 6–15 В) |
| Vi(on), макс. | 5 В (Vce = 2 В, Ic = 125 мА); 6 В (Ic = 200 мА); 7 В (Ic = 275 мА); 8 В (Ic = 350 мА) |
| Вхідний струм Ii, тип. / макс. | 0.35 / 0.5 мА (Vi = 5 В); 1 / 1.45 мА (Vi = 12 В) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003A оригінал ( заміна для ULN2003ADR , ULN2003AG4 , ULN2003 , ULN2003D1 ) , so-16
В наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003AN оригінал ( заміна для ULN2003APG , ULN2003A , ULN2003 ), DIP16
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | DIP16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC25600 ( 25600 ) , so-8 ( MEG003 )
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | контролер резонансного (LLC) режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Діапазон частот перемикання | 40–350 кГц |
| Мінімальна частота перемикання | 41.70 кГц (GD1, GD2, -40–125 °C) |
| Струм драйвера затворів | 0.4 А витік / 0.8 А стік |
| VCC рекомендована | 11.5–18.0 В |
| VCC, макс. | 22 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення UVLO | 10.5 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 9.5 В (VCC спадає) |
| Мертвий час | 420 нс (RDT = 16.9 кОм) |
| Робоча температура | -40–125 °C |
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |