Магазин
Мікросхема UC2845AN , DIP8
В наявності
35,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8 (P), 9,81 × 9,43 мм |
| Напруга живлення VCC, максимум (абсолютна) | 30 В |
| Вихідний струм IOUT, максимум (абсолютний) | 1 А |
| Пороги UVLO (вмикання / вимикання) | 8,4 / 7,6 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 46–50 % (тип. 48 %) |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,95–5,05 В) при TJ 25 °C, IO 1 мА |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ 25 °C, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ |
| Частота генератора, максимум (рекомендована) | 500 кГц |
| Струм запуску | 0,3 мА (макс. 0,5 мА) при VCC 15 В |
| Струм споживання в роботі | 11 мА (макс. 17 мА) при VFB = VISENSE = 0 В, VCC 15 В |
| Температура переходу TJ | -55…150 °C |
Мікросхема PN8034 ( PN8034A ) , DIP7
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP7 |
| Пробивна напруга вбудованого MOSFET (BVDSS) | 650 В (мін., ISW 250 мкА, TA 25 °C, VDD 11 V) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 13.5 Ом (ISW 400 мА, Tj 25 °C) |
| Максимальна напруга SW | 650 В (Absolute Maximum) |
| Максимальна напруга VDD | 35 В (Absolute Maximum) |
| Напруга вмикання VDDon | 11.5 В (typ) |
| Обмеження струму Ilimit | 590 мА (typ) |
| Вихідна потужність, DIP-7 | 3.6 Вт (150–265 В AC, 12 В / 300 мА) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Тепловий опір RθJC | 40 °C/Вт |
Транзистор 2SD947F ( D947F ) оригінал, TO126
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vcer | 40 В (RBE = 10 кОм) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Імпульсний струм | 3 А (Pw = 10 мс) |
| Потужність розсіювання Pc | 5 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 1000 (VCE = 3 В, IC = 0,5 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC/IB = 0,6 А/1,2 мА) |
| Виробник | ROHM |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB3330CP , so-8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | LED-драйвер з PFC, керування з первинної сторони |
| Напруга живлення VCC | 11–25 В |
| Максимальна напруга VCC відносно GND | 40 В (Absolute Maximum) |
| UVLO(ON) | 9 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| UVLO(OFF) | 14.6 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| Захист від перенапруги VCC | 30 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| Робоча температура середовища | –20…85 °C |
Мікросхема OB2502PCP ( OB2502CP ) , so-8
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Пробивна напруга вбудованого MOSFET (BVdss) | 650 В (TA 25 °C, VDD 15 V) |
| Струм вбудованого MOSFET | 2 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 4 Ом (TA 25 °C, VDD 15 V) |
| Напруга живлення VDD | 8–25 В |
| UVLO(OFF) | 18.2 В (typ) |
| UVLO(ON) | 7.0 В (typ) |
| Максимальна частота перемикання | 110 кГц (typ) |
| Робоча температура середовища | –20…85 °C |
Мікросхема MC34152 , so-8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний драйвер MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Кількість незалежних каналів | 2 (неінвертуючі, двотактні виходи) |
| Струм двотактного виходу (sink/source) | 1,5 А (Maximum Ratings, на канал) |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Робоча напруга живлення | 6,1–18 В |
| Час наростання виходу (10–90 %) | 14 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Час спаду виходу (90–10 %) | 15 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Входи | сумісні з CMOS/LSTTL, з гістерезисом |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема FSB127H ( B127H ) оригінал, DIP8
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим польовим ключем |
| BVDSS | 700 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| RDS(on) | 6,0 Ом (VGS = 10 В, ID = 0,5 А, typ) |
| IDM | 8,0 А |
| Вихідна потужність (адаптер) | 14 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність (відкрита конструкція) | 20 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Поріг обмеження струму | 1,00 А |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг вимкнення VDD | 6 В |
| Максимальна напруга VDD | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA < 50 °C) |
| Температура | –40…105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LP3773 , so-7
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LANDP (Shenzhen Chip Hope Micro-Electronics) |
| Тип | Контролер PSR з вбудованим біполярним ключем |
| Потужність джерела | до 12 Вт |
| Споживання в режимі очікування | не більше 75 мВт |
| Напруга запуску VCC | 15,5 В (Ta = 25 °C) |
| Поріг мінімальної напруги VCC | 4,0 В |
| Робочий струм VCC | 400 мкА (VCC = 16 В, Ta = 25 °C) |
| Поріг обмеження струму (CC) | 600 мВ |
| Опорна напруга на FB | 4,00 В |
| Максимальна напруга VCC | 30 В |
| Потужність розсіювання | 0,45 Вт |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема UCC37322P , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | драйвер затвора MOSFET нижнього плеча, неінвертуючий, з входом Enable |
| Піковий вихідний струм | 9 А (VDD = 14 В, на плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Максимальна напруга живлення | 16 В |
| Час наростання і спаду | 20 нс (типове, навантаження 10 нФ) |
| Логіка входів | TTL/CMOS |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN40N120FDR ( 40N120FDR , TGAN40N120F2DW , TGAN40N120F2DW ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1200V,40A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.5 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 500 Вт |
| Заряд затвора Qg | 320 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5260 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | TRinno |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 70S360P7 ( IPD70R360P7S ) оригінал , D-PAK (700V,12.5A)(Заміна для 70R360M , TPD70R360M , 11N60S )
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12.5 А (за назвою товару) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 34 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.36 Ом (Vgs 10 В, Id 3.0 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 16.4 нКл (Vdd 400 В, Id 2.3 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 517 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) | 3 В тип., 3.5 В макс. (Id 0.15 мА) |
| Ptot | 59.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA15N120ANTD ( FGA15N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм Icm | 45 А |
| Vce(sat) при Ic 15 А, Vge 15 В | 1.9 В |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 186 Вт |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2650 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1203 ( IHW30N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зворотно-провідний, N-канал |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. | 1.55 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Ptot (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Температура переходу Tvj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (Vcc 960 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2038 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P
В наявності
105,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал Field Stop з діодом |
| Напруга Vce | 600 В |
| Номінальний струм колектора | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) typ | 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 105 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, FRD |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. (Ic=40А, Vge=15В, Tvj=25°C) |
| Vce(sat) при Tvj=175°C | 2.3 В |
| Eoff (Tvj=25°C) | 0.4 мДж |
| Eoff (Tvj=175°C) | 0.57 мДж |
| Час спаду tf | 64 нс |
| Вбудований діод | так, антипаралельний FRD, Vf=1.5В тип. при If=20А |
| trr діода | 60 нс (If=20А, diF/dt=820А/мкс) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce=520В, Ic=40А, Vge=15В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.5–6.5 В, тип. 5.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 230 Вт (TC=25°C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2170 , TO220F
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (triple diffused planar) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (з радіатором, Tc = 25 °C); 2,0 Вт (вільне повітря, Ta = 25 °C) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 2,7 А, IB = 0,54 А) |
| Демпферний діод | є |
| Виробник | SANYO |
Мікросхема TDA8571J оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Корпус | DBS23P |
| Вихідна потужність на канал | 40 Вт (EIAJ, 4 Ом, мостове ввімкнення) |
| Робоча напруга живлення Vp | 6–18 В (тип. 14,4 В) при Tamb 25 °C |
| Повний струм спокою | 200 мА (тип.), 360 мА (макс.) при Vp 14,4 В |
| Підсилення | 34 дБ (33–35 дБ) |
| Потужність розсіювання | 60 Вт (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2003 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Вихідна потужність | 6 Вт (тип.), 5,5 Вт (мін.) при Rн 4 Ом, КНС 10 %, f 1 кГц, Vs 14,4 В |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В при Tamb 25 °C |
| Максимальна напруга живлення | 28 В (постійна) |
| Струм спокою | 44 мА (тип.), 50 мА (макс.) при Vs 14,4 В |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MC44604P ( MC44604 )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP16 |
| Частота перемикання | до 250 кГц |
| Вхід мережі | 80–280 В (універсальний вхід) |
| Струм виходу, джерело / стік | 750 / 750 мА |
| Напруга живлення виходу VC (макс.) | 18 В |
| Поріг запуску (UVLO) | 14,5 В |
| Опорна напруга Rref | 2,5 В при VCC = 10–15 В |
| Робоча температура | від -25 до +85 °C |
Мікросхема LA4282 оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SIP-12 |
| Робоча напруга живлення | 10–40 В (рекомендована Vcc 32 В, Ta 25 °C) |
| Максимальна напруга живлення | 45 В (у режимі спокою) |
| Опір навантаження | 8 Ом |
| Максимальний вихідний струм | 4 А з радіатором, Ta 25 °C |
| Потужність розсіювання | 25 Вт з радіатором, Ta 25 °C |
| Струм спокою | 60 мА (тип.), 100 мА (макс.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (38–42 дБ) |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
| Стан | Оригінал |