Магазин
Мікросхема FA6B22N ( 6B22 ) оригінал, so-16
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Призначення | керування LLC-перетворювачем |
| Макс. напруга пускового елемента | 600 В |
| Напруга драйверів | 600 В |
| Напруга живлення VCC (рек.) | 14–19–29 В |
| Струм VCC у зупиненому стані | 0.80 мА |
| Розсіювана потужність | 0.83 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA7841 оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | SIP7H (7 виводів) |
| Макс. напруга живлення | 34 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 70 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.5 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 9 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 24 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–33 В |
| Струм спокою | 35–65 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 4.0 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA7846N оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | SIP-10H |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 85 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.9 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 20 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 24 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–38 В |
| Струм спокою | 35–70 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 3.0 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA78045 оригінал (Заміна для AN15524 , AN15525 , AN15526 )
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | Sanyo 3286, 7 виводів |
| Макс. напруга живлення | 45 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 92 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.5 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 9 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 30 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–43 В |
| Струм спокою | 20–50 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 3 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STK392-040 оригінал
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Тип | Гібридна мікросхема, 3-канальний підсилювач корекції збіжності |
| Максимальна напруга живлення | ±50 В (Ta 25 °C) |
| Максимальний струм колектора | 7,0 А (Tr8, 10, 18, 20, 28, 30; Ta 25 °C) |
| Струм спокою | 90 мА (30–150 мА) при VCC ±40 В, Rg 50 Ом, Ta 25 °C |
| Смуга пропускання (-3 дБ) | 3,8 МГц при VCC ±35 В |
| Тепловий опір кристал–корпус | 1,8 °C/Вт |
| Корпус | SIP22 (22 виводи) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6753 оригінал
В наявності
196,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Rds(on) | 1,70 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність (теплова) | 58 Вт (вхід Wide), 120 Вт (вхід 230 В AC) |
| VCC(OFF) | 10,6 В (максимум) |
| VCC(OVP) | 25,5 В (мінімум) |
| Корпус | TO-220, 7 виводів (вивід 2 відсутній), повністю ізольований |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7057AQ оригінал
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Стереопідсилювач НЧ з регулюванням гучності |
| Напруга живлення | 4,5–18 В |
| Вихідна потужність | 3,5 Вт (мін. 3,0 Вт) при VP 12 В, RL 16 Ом, Tamb 25 °C, f 1 кГц |
| Максимальне підсилення | 40,5 дБ (мін. 39,5 дБ) при VP 12 В |
| Струм спокою | 22 мА (макс. 25 мА) при VP 12 В, без навантаження |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7297 оригінал
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Вихідна потужність | 15 Вт (мін. 13) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, Tamb 25 °C |
| Напруга живлення | 6,5–18 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Коефіцієнт нелінійних спотворень | 0,1 % (макс. 0,3) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, Po 1 Вт, f 1 кГц |
| Підсилення за напругою | 32 дБ (31–33) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, f 1 кГц |
| Струм спокою | 50 мА (макс. 65) при VCC 16,5 В, без навантаження |
| Пиковий вихідний струм | 2 А |
| Розсіювана потужність | 33 Вт при Tcase 70 °C |
| Тепловий опір кристал–корпус | 1,4 °C/Вт (макс. 2) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7297SA оригінал
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Clipwatt15 |
| Вихідна потужність | 10 Вт (мін. 8,3) при VCC 13 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, Tamb 25 °C |
| Напруга живлення | 6,5–18 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Коефіцієнт нелінійних спотворень | 0,1 % (макс. 0,3) при VCC 13 В, RL 8 Ом, Po 1 Вт, f 1 кГц |
| Підсилення за напругою | 32 дБ (31–33) при VCC 13 В, RL 8 Ом, f 1 кГц |
| Струм спокою | 50 мА (макс. 65) при VCC 13 В, без навантаження |
| Пиковий вихідний струм | 2 А |
| Розсіювана потужність | 30 Вт при Tcase 70 °C |
| Тепловий опір кристал–корпус | 1,8 °C/Вт (макс. 2,5) |
| Температура переходу та зберігання | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8145 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | POWERDIP8 (DIP-8) |
| Напруга живлення Vs | 24 В (мін. 17, макс. 30; Tamb = 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 35 В |
| Струм споживання Is | 4,5 мА (тип.; макс. 7; Tamb = 25 °C, Vs = 26 В) |
| Внутрішня опорна напруга | 8,0 В (мін. 7,6, макс. 8,8; Tamb = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт при Tamb = 50 °C |
| Температура зберігання і переходу | –25…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU4507AF
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 800 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (IC = 4 А, IB = 1 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (між виводами і радіатором) |
| Корпус | SOT199 |
Транзистор 2SK2842 ( K2842 ) оригінал, TO220F
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (π-MOSV) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1200 нс тип. (IDR 12 А, VGS 0 В, dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Сімістор ACST67S оригінал , TO220
В наявності
251,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 700 В (Tj 125 °C) |
| Струм It(rms) | 6 А (Tcase 105 °C) |
| Ударний струм Itsm | 45 А (tp = 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. |
| Статична dV/dt | 200 В/мкс |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Оптрон CNY17-3
В наявності
25,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор NPN з виводом бази |
| CTR (група -3) | 100–200 % (VCE = 5 В, IF = 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв., 1 хв) |
| BVCEO | 70 В (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм діода IF | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора IC | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| VCEsat | тип. 0,25 В; макс. 0,4 В (IF = 10 мА, IC = 2,5 мА) |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Мікросхема TOP267KG оригінал, eSOP-12
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга DRAIN (пікова, абс. макс.) | 725 В |
| Межа струму ILIMIT | 3,01 А (тип.) при TJ = 25 °C |
| Опір RDS(ON) | 2,0 Ом (тип.), 2,30 Ом (макс.) при ID = 400 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц / 66 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CS8509E, so-8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Моно підсилювач звуку, клас AB/D |
| Виробник | Shenzhenshi Yongfukang Technology |
| Корпус | SO-8 |
| Вихідна потужність, клас D | 8.50 Вт (4 Ом), 4.20 Вт (8 Ом); VDD 8.5 В, THD+N 10 % |
| Вихідна потужність, клас AB | 8.00 Вт (4 Ом), 4.00 Вт (8 Ом); VDD 8.5 В, THD+N 10 % |
| ККД, клас D | 90 % (VDD 5.0 В, Po 0.6 Вт, 8 Ом) |
| Частота перемикання | 750 кГц |
| PSRR | -80 дБ (217 Гц) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.1 мкА |
| Напруга живлення, граничне значення | 9.5 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Розпіновка | 1 – SD, 2 – ABD, 3 – IN+, 4 – IN-, 5 – VDD, 6 – VO+, 7 – VO-, 8 – GND |
Мікросхема XL7015E1 ( XL7015 ) оригінал, TO252-5
В наявності
48,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Тип | Понижувальний DC/DC-перетворювач (buck) з вбудованим ключем |
| Робоча вхідна напруга | 5–80 В |
| Макс. вхідна напруга Vin (абс. макс.) | -0,3…100 В |
| Вихідна напруга | 1,25–20 В |
| Макс. вихідний струм | 0,8 А |
| Частота перетворення | 150 кГц (120–180 кГц) при Vin 48 В, Iout 0,2 А, Ta 25 °C |
| Напруга зворотного зв'язку VFB | 1,25 В (1,225–1,275 В) при Vin 20–80 В, Vout 15 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 90 % при VFB = 0 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 50 °C/Вт |
| Корпус | TO252-5L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ANT2801 , TSSOP20
В наявності
190,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ChipSourceTek |
| Корпус | eTSSOP20 |
| Макс. струм заряду | 1,2 А |
| Вхідна напруга Vin | 3–6 В |
| Частота генератора | 1 МГц |
| Струм обмеження входу | 4,2 А |
| Опір верхнього ключа | 100 мОм |
| Опір нижнього ключа | 100 мОм |
| Вихідна напруга VOUT | 7,1 В |
| Напруга закінчення заряду | 8,40 В |
| Поріг повторного заряду | 8,21 В |
| Захист від перегріву | 150 °C |
Мікросхема RM6204, DIP8
В наявності
54,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Reactor Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга виводу OC | 700 В |
| Макс. струм виводу OC | 800 мА |
| Вихідна потужність (широкий діапазон мережі) | 12 Вт |
| Вихідна потужність (вузький діапазон мережі) | 15 Вт |
| Споживання в режимі очікування | < 0,3 Вт |
| Частота генератора | 65 кГц |
| Макс. шпаруватість | 57 % |
| Поріг датчика струму | 0,60 В |
| Напруга запуску | 8,8 В |
| Температура переходу | –40…150 °C |
Мікросхема MD12H, DIP8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Напруга пробою ключа BVDSS | 750 В |
| Піковий струм обмеження | 0,55 А |
| Частота перемикання | 45 кГц |
| Макс. шпаруватість | 80 % |
| Стала вихідна потужність | 6 Вт |
| Пікова вихідна потужність | 8,4 Вт |
| Напруга запуску UVLO | 14,5 В |
| Напруга вимкнення UVLO | 8 В |
| Робоча температура переходу | –40…150 °C |
Діод STTH15R06D оригінал(600V,15A,22ns), TO220-2pin (заміна для 15ETH06 , HFA15TB60 , HFA15TB60R , SDUR1560 , U1540 , MUR1540 )
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.9 В (IF 15 А, Tj 25 °C); 1.8 В (IF 15 А, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 50 нс (Tj 25 °C, IF 1 А, dIF/dt –50 А/мкс, VR 30 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8P65W оригінал( заміна для CS8N65 ) , D-PAK
В наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (DTMOS, Super Junction) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 7.8 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.55 Ом тип., 0.67 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.9 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 7.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 570 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.3 мА) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 210 нс тип. (IDR 3.9 А, VGS 0 В, -dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK5P65W оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds (Ta 25 °C) | 650 В |
| Струм стоку Id (DC, Ta 25 °C) | 5,2 А |
| Rds(on) | 1,22 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,6 А) |
| Qg | 10,5 нКл тип. (VDD = 400 В, VGS = 10 В, ID = 5,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = 10 В, ID = 0,17 мА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 60 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK12A50D ( K12A50D ) оригінал , TO220F(заміна для K12N50D )
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (TC 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0,52 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Qg | 29 нКл тип. (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 45 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF26NM60N ( 26NM60N , ST26NM60N , ST26N60M2 ) оригінал (Заміна для STF25NM60N , STF21NM60N ), TO220F
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Qg | 60 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 35 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |