Магазин
Мікросхема CR5213 ( CR5213C , CR5213E ) , so-7
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Vceo вбудованого транзистора | 450 В (мін.) |
| Vcbo вбудованого транзистора | 700 В (мін.) |
| Струм колектора (Ta 25 °C) | CR5213 – 1,1 А; CR5213C – 1,5 А; CR5213E – 4,0 А |
| Вихідна потужність (85–265 В AC, макс.) | CR5213 – 6 Вт; CR5213C – 7,5 Вт; CR5213E – 12 Вт |
| Макс. напруга VDD | 25 В |
| Статичний робочий струм | 800 мкА (тип.) |
| Корпус | SOP-7 |
Транзистор SVF6N60F оригінал ( заміна для STP6NK60ZFP , FQPF6N60C , SSS6N60A , HM6N60F , 2SK1118 )(600V,6A ) , TO220F
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C) |
| Струм Id | 6 А при TC 25 °C; 3.8 А при TC 100 °C |
| Опір Rds(on) | 1.35 Ом (тип.), 1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3 А |
| Заряд затвора Qg | 13.32 нКл (тип.) при VDS = 480 В, ID = 6 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 690.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В при ID = 250 мкА |
| Потужність Pd | 42 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 488 нс (тип.) при IS = 6 А, dIF/dt = 100 А/мкс |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB4132 оригінал , TO220
В наявності
114,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 100 А |
| Струм Id, обмеження корпусом (Tc 25 °C) | 78 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А, Tj 25 °C) | 3.5 мОм |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 32 А, Tj 25 °C) | 4.5 мОм |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5110 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал, HEXFET, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Оптрон EL1018 , sop-4
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Everlight |
| Тип виходу | фототранзистор (NPN) |
| Корпус | 4-Pin SOP (SOIC-4) |
| CTR | 130–260 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (AC 1 хв) |
| Напруга VCEO | 80 В |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Макс. прямий струм IF | 60 мА |
| VCE(sat) | 0,3 В (макс.) при IF = 10 мА, IC = 1 мА |
| Розсіювана потужність | 250 мВт |
| Робоча температура | -55…110 °C |
| Шлях витоку | 8 мм |
Демонтаж
Мікросхема DM0565R демонтаж ,TO220-6 ( GM0565R )
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга стік–витік (Vdss) | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку | 2,8 А (Tc 25 °C); 1,7 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 11 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1,76 Ом тип.; 2,2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2,5 А) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Енергія одиничної лавини | 190 мДж |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема CC2420
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments (Chipcon) |
| Стандарт | IEEE 802.15.4 / ZigBee, 2,4 ГГц |
| Живлення (VREG_IN) | 2,1–3,6 В |
| Живлення із зовнішнім регулятором | 1,6–2,0 В |
| Струм RX | 18,8 мА |
| Струм TX | 17,4 мА |
| Чутливість (типова) | -95 дБм |
| Вихідна потужність (номінальна) | 0 дБм |
| Швидкість даних | 250 кбіт/с |
| Температура | -40…85 °C |
| Інтерфейс | SPI |
| Корпус | QLP-48, 7×7 мм |
Демонтаж
Транзистор STP12NM50 ( P12NM50 ) оригінал демонтаж , TO-220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C) |
| Струм Id | 12 А при TC 25 °C; 7.5 А при TC 100 °C |
| Опір Rds(on) | 300 мОм (тип.), 350 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6 А |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) при VDD = 400 В, ID = 12 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3–5 В (тип. 4 В) при ID = 50 мкА |
| Потужність Ptot | 160 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема KIA78R05API ( KA278R05 , KA78R05 )
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 5,0 В (4,88–5,12 В) при Iout 0,5 А, Vin 7 В, Ta 25 °C |
| Макс. вихідний струм | 1 А |
| Макс. вхідна напруга | 35 В (Ta 25 °C) |
| Падіння напруги вхід–вихід | 0,5 В макс. при Vin = 0,95·Vout |
| Нестабільність за навантаженням | 2,0 % макс., Io 5 мА–1 А |
| Нестабільність за вхідною напругою | 2,5 % макс., Vin 6–12 В |
| Придушення пульсацій | 55 дБ тип. |
| Струм спокою | 10 мА макс. при Io = 0 |
| Розсіювана потужність | 1,5 Вт без радіатора; 15 Вт з радіатором (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Керування ON/OFF | увімкнено при Vc ≥ 2,0 В; вимкнено при Vc ≤ 0,8 В |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Виробник | KEC |
Мікросхема STRX6756 оригінал
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3PF-7L |
| Кількість виводів | 7 |
| Напруга VDSS (вбудований MOSFET) | 650 В, мін. (Ta 25 °C) |
| RDS(on) | 0,73 Ом, макс. (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм IDpeak | 13,2 А |
| Енергія лавини EAS | 378 мДж |
| Напруга живлення VCC, макс. | 35 В |
| VCC(ON) | 18,2 В |
| VCC(OFF) | 9,7 В |
| Частота fOSC, мін. | 22 кГц |
| Потужність MOSFET PD1 | 41 Вт (з нескінченним радіатором) |
| Температура каналу, макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFP3006 оригінал демонтаж, TO247(60V,195A)
В наявності
223,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (обмеження виводами корпусу) | 195 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (обмеження кристалом) | 190 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) макс. | 2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 170 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 200 нКл тип. (ID = 170 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8970 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA6107JF оригінал
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Кількість виводів | 9 |
| Кількість каналів | 3 |
| Робоча напруга VDD | 200 В (діапазон 180–210 В) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (VDD = 200 В, Tamb 25 °C) |
| Струм спокою Iq | 6,6 мА (VDD = 200 В, Tamb 25 °C) |
| Швидкість наростання | 900 В/мкс |
| Опорна напруга | 2,5 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXTQ69N30P оригінал демонтаж(Заміна для FDA69N30 )(300V,69A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Polar Power) |
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vdss | 300 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 69 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 49 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0.5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 156 нКл тип., 180 нКл макс. (VGS 10 В, VDS 0.5 × VDSS, ID 0.5 × ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 4960 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–5.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 330 нс тип. (IF 25 А, -di/dt 100 А/мкс, VR 100 В, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема L79L05 , to92
В наявності
14,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo | -5 В (Tj = 25 °C, Vi = -10 В, Io = 40 мА; мін. -4,6, макс. -5,4) |
| Макс. вихідний струм Io | 100 мА |
| Макс. вхідна напруга Vi | -30 В (для Vo = -5…-9 В) |
| Струм спокою Id | 6 мА макс. (Tj = 25 °C) |
| Падіння напруги Vd | 1,7 В тип. |
| Робоча температура переходу | 0…125 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 200 °C/Вт макс. (TO-92) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-92 |
