Магазин
Транзистор NCE8290AC оригінал ( заміна для NCE8290 , NCE8290B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 90 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 9 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 81.5 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4414 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU1H35R оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Shenzhen ruichips Semicon |
| Напруга Vds (BVDSS) | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 21 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK4145 ( K4145 ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Renesas (NEC) |
| Напруга Vdss (Vgs 0 В) | 60 В |
| Струм Id DC (Tc 25 °C) | 84 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 42 А) | 7 мОм (тип.), 10 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 84 А) | 90 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Час відновлення діода trr (If 84 А, Vgs 0 В) | 43 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 84 Вт |
| Температура каналу Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Ruichips |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 25 °C) | 88 А |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 100 °C) | 65 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А) | 6 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G50T60AK3HD оригінал ( CRG50T60AK3HD ), TO247
В наявності
144,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1,8 В (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Qg типово | 303 нКл (VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS1404 ( CS1404A8 ) оригінал, TO220(40V,202A)
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (VDMOS, планарна технологія) |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено кремнієм) | 202 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 143 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 81 А) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В, Vdd 32 В, Id 81 А) | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 271 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор B06N03 ( MTB06N03J3 , MTB06N03 ) оригінал, D-PAK
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 5.3 мОм тип., 6 мОм макс. |
| Опір Rds(on) (Vgs 5 В, Id 24 А) | 7.6 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg | 53 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4753 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | CYStech Electronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R360DE оригінал (заміна для TPD65R940C , 65R940C ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В при Tj 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 12 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7,6 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,30 Ом типово при Vgs 10 В, Id 3 А |
| Qg | 18,7 нКл типово при Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 8 А |
| Вхідна ємність Ciss | 901 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Vgs(th) | 2,9–3,9 В при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 83 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 75G60HD ( FGW75N60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Модель | FGW75N60HD |
| Напруга Vces | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 75 А (Tc = 100 °C) |
| Потужність Ptot | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6150 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (FWD) |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK25E60X ( K25E60X , K25E60X5 ) оригінал , TO220
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC, Tc 25 °C) | 25 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 7,5 А) | 0.105 Ом тип., 0.125 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1,2 мА) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 25 А) | 40 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA30S120P ( FGA30S 120P ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 1300 В (VGE = 0 В, Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,75 В тип. (Ic = 30 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Діод у корпусі | є |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 348 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N135R5 |
| Напруга Vces | 1350 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.65 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP26NM60N ( 26NM60N ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 135 мОм тип., 165 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N160R5 |
| Напруга Vces | 1600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 39 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.85 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 263 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3528 оригінал, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал, Super FAP-G |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 17 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 8.5 А) | 0.29 Ом тип., 0.37 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип., 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY3610P ( HY3610 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 117 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 328 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 16200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є; Vsd макс. 1 В (Isd 80 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
82,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTP60N10T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В (Tj 25–175 °C) |
| Струм Id | 60 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 14.8 мОм тип., 18 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 25 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | швидкий, trr 59 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Реле BPD-SS-112DM (Заміна для YTA-SS-112DM , SPA-S-112DM , PCD-112D1MH , RE-112DM1 )(16A/250V)
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | QLRELAY |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Струм котушки | 16.67 мА (±10 %, при 23 °C) |
| Опір котушки | 720 Ом (±10 %, при 23 °C) |
| Контакти | 1 група, замикаюча |
| Струм контактів | 16 А при 250 VAC, активне навантаження |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА |
| Час спрацювання | 10 мс (макс.) |
| Час відпускання | 5 мс (макс.) |
| Ізоляція котушка–контакти | 2500 В AC, 1 хв |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Корпус | PCB, 23.0×16.0x10.5 мм |
Транзистор IRFB4227 оригінал , TO220
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (25 °C) | 65 А |
| Струм Id (100 °C) | 46 А |
| Опір Rds(on) | 24 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 46 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E08N1 ( K100E08N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А) |
| Опір Rds(on) | 3.2 мОм макс., 2.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9000 пФ |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 93 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод DSEI12-10A ( DSE112-10A ) оригінал демонтаж(1000V,12A), TO220-2pin
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 12 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 150 А (TVJ = 45 °C, t = 10 мс, синус) |
| Пряма напруга Vf | 2.7 В (IF = 12 А, TVJ = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 50 нс (тип.) |
| Потужність Ptot | 78 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MPF12N65 оригінал ( заміна для JX12N65 ) , TO220F
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Miracle Technology |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.80 Ом макс., 0.65 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40.2 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BD93941FP оригінал, smd
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM Semiconductor |
| Тип | Драйвер світлодіодів підсвічування LCD, 4 канали |
| Робоча напруга VCC | 9,0–35,0 В |
| Максимальна напруга VCC | 36 В (Ta 25 °C) |
| Напруга на виводах LED1–LED4 | до 60 В (Ta 25 °C) |
| Струм LED на канал | 30–200 мА |
| Частота DC/DC | 150 кГц (RT = 100 кОм) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Корпус | HSOP20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5356-188-BZ , QFN-40 цифровий індикатор
В наявності
136,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер павербанка (SOC) зі швидкою зарядкою |
| Позначення | IP5356-188-BZ |
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-40 |
| Потужність розряду | до 22.5 Вт |
| Потужність заряду | до 18 Вт |
| Струм заряду батареї | до 5.0 А |
| Протоколи | QC2.0/QC3.0, FCP, AFC, SFCP, SCP, MTK PE+, PD2.0/PD3.0, PPS, BC1.2 |
| Вихідна напруга | 5 / 9 / 12 В, PPS 5–11 В |
| Вхідна напруга | 4.5–14 В |
| Напруга батареї | 4.2 В |
| Індикатор | сегментний «188» |
Транзистор MDP1991 ( MDP1991TH ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 100 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом); 87 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5,9 мОм макс.; 4,4 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 100 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB10NC60KDSF ( GB10NC60KDSF , STGB10NC60KD , GB10NC60KD , STGB10NC60KDT4 ) оригінал , D2PAK(Заміна для STGB10NC60HD , GB10NC60HD )
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C), 10 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 2,2 В (VGE 15 В, Ic 5 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Діод | антипаралельний, м’який ультрашвидкий, trr 22 нс |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tc 25 °C) |
| Eoff тип. | 55 мкДж (Tc 25 °C) |
| Потужність | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj | -55…150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Термостат KSD-01F-H-60°C, TO220-2pin контакти нормально розімкнені
В наявності
63,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 60 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально розімкнені |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |
Термостат KSD-01F-D-45°C, TO220-2pin контакти нормально замкнуті
В наявності
63,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 45 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально замкнуті |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |
Термостат KSD-01F-H-40°C, TO220-2pin контакти нормально розімкнені
В наявності
63,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 40 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально розімкнені |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) тип. | 5,8 В |
| Заряд Qg тип. | 198 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2589 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Eoff тип. | 2,4 мДж (Tj 25 °C) |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tj 25 °C) |
| Діод | є, Vf 1,55 В |
| Потужність | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30E2 , TO220F оригінал
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Vce(sat) тип. | 1,7 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Vge(off) | 2,5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд Qg тип. | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf тип. | 150 нс |
| Потужність | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Діод 30ETH06 оригінал(600V,30A,28ns) , TO-220-2pin
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (TC = 103 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 200 А (неповторюваний, TJ = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.6 В (IF = 30 А, TJ = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 28 нс (тип.) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Супресор SMAJ18CA ( маркування XT ) smd двоспрямований
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), двонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | XT |
| Робоча напруга Vwm | 18 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 20.0–22.1 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 13.7 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 29.2 В (при Ippm = 13.7 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |