Магазин
Транзистор JT030N065WED ( 030N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.75 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В) | 64.5 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R380F ( OSG55R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 550 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А), 300 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12.5 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 549.3 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.3 В макс. (Is 11 А) |
| trr діода | 199 нс тип. |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Діод APT30DQ60BG ( APT30DQ60B , 30DQ60B ) оригінал, TO247-2pin
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В (макс. повторювана) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 30 А (TC 117 °C, шпаруватість 0,5) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 320 А (TJ 45 °C, 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 2,0 В (IF = 30 А, TJ 25 °C, типове, макс. 2,4 В); 1,7 В (IF = 30 А, TJ 125 °C, типове) |
| Зворотний струм Ir | 25 мкА (VR = 600 В, TJ 25 °C, максимум); 500 мкА (TJ 125 °C, максимум) |
| Ємність переходу Ct | 36 пФ (VR = 200 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,80 °C/Вт (максимум) |
| Діапазон температур TJ, TSTG | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60G65WE ( FGW60N65WE ) оригінал ( заміна для 60G65WD , RGT60TS65D ), TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 83 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW75N65FP оригінал , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic | 150 А (Tc 25 °C, обмежено Tjmax); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А (Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 Вт (Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3036 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vdss | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (кристал) | 270 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Rds(on) макс. | 2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 91 нКл тип. / 140 нКл макс. (ID = 165 А, VDS = 30 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 11210 пФ |
| Vgs | ±16 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.3 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 245 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK16A60W ( K16A60W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15,8 А (Tc = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idp | 63,2 А |
| Rds(on) тип. | 0,16 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Rds(on) макс. | 0,19 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Поріг Vth | 2,7–3,7 В (VDS = 10 В, ID = 0,79 мА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1350 пФ |
| Vgss | ±30 В |
| Tch макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS3205 оригінал, TO220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 84 А |
| Rds(on) | 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А), 7,6 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4395 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.5 В макс. (Is 75 А) |
| trr діода | 135 нс тип. |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP03N04N оригінал (заміна для FTP03N04N , SI030N040B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 180 А |
| Rds(on) | 2.1 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP03N06NA оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 60 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 230 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 145 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип., 3.6 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 95 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 98.4 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 48 В, Id 115 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5681 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2756 оригінал, TO-3PF
В наявності
143,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 450 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id 1 мА, Vds=Vgs) |
| Потужність Pd | 80 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5HD ( CRG40T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2060CT (заміна для MUR2060FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм I(AV) | 20 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 200 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Час зворотного відновлення trr | 50 нс (IF = 0,5 А, IR = 1,0 А, IRR = 0,25 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА при Ta 25 °C; 400 мкА при Ta 100 °C |
| Ємність переходу Cj | 90 пФ (типова, 1 МГц, VR = 4 В) |
| Діапазон температур Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| Конфігурація | Здвоєний, спільний катод |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 9R1K2C ( IPA90R1K2C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 900 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 5.1 А (TC = 25 °C); 3.2 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.94 Ом тип., 1.2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS = VGS, ID = 0.31 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ |
| Потужність Pd | 31 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK80E08K3 ( K80E08K3 ) оригінал , TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id | 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7,5 мОм тип., 9,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vth | 2,0–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG095R0NT ( 095R0NT , SVG095RONT , 095RONT ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 90 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом), 100 А (Tc 100 °C, по кристалу) |
| Rds(on) | 4,4 мОм тип., макс. 5,0 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 85 нКл тип. (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPA60R190C6 ) оригінал, TO220F
В наявності
178,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,63 мА) |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AN5H ( CRG40T65AN5H ) оригінал, TO3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CEP83A3 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Cmos |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А); 7 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,7 В) |
| Qg | 37 нКл тип. (VGS = 5 В, VDS = 15 В, ID = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKST065N08N оригінал, TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 121 А (обмеження кристала, за корпусом 120 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 5,6 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 47 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 42,5 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 164 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N60 оригінал (заміна для HF20N60 ) , TO220F
В наявності
66,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 61 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 300 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065FED ( 030N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
117,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf, типово | 44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 46 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
NCEP026N10 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 142 А |
| Rds(on) | 2.4 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 100 А), макс. 2,6 мОм |
| Заряд затвора Qg | 240 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 17500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0 В типово |
| trr діода | 101 нс типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N65F2DS ( 40N65F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRINNO |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,85 В типово (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 283 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл типово (Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD882 ( D882 ) smd оригінал, sot89
В наявності
21,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-89 |
| Напруга Vcbo | 60 В при IE = 0 |
| Напруга Vceo | 30 В при IB = 0 |
| Напруга Vebo | 5 В при IC = 0 |
| Струм колектора Ic | 3 А, постійний |
| Імпульсний струм Icm | 6 А при tp < 5 мс |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Vce(sat) | 0.4 В макс. при Ic = 1 А, Ib = 50 мА |
| hFE | 100–300 при Ic = 100 мА, Vce = 2 В |
| Гранична частота fT | 100 МГц при Ic = 0,1 А, Vce = 10 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст HD50SB100 ( D50SB100 ) оригінал
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Струм Io з тепловідводом | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Io без тепловідводу | 5,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 500 А |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (при 25 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Значення I²t | 830 А²с |
| Тепловий опір перехід – корпус | 1,0 °C/Вт |
| Тепловий опір перехід – середовище | 22 °C/Вт |
| Електрична міцність ізоляції | 2500 В |
| Корпус | HD5, пластиковий, 4 виводи в ряд |
| Стан | Оригінал |
