Магазин
Транзистор NCEP60T18 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 126 А |
| Rds(on) | 2.5 мОм типово, макс. 2.9 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE0157A2 ( NCE0157A , NCE0157 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 57 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 14.5 мОм типове, макс. 17.5 мОм (VGS=10 В, ID=28 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3969 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65D ( G50T65D ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Тип | IGBT FS Trench із діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic | 100 А (Tj = 25 °C); 50 А (Tj = 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., VCE = 520 В, IC = 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS10N60F оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, кремнієвий VDMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом типове, макс. 0.9 Ом (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1609 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2060CTR оригінал (заміна для MUR2060FCA ), TO220F-3pin загальний анод
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий, здвоєний 20 А, спільний анод |
| Vrrm | 600 В |
| Vrms | 420 В |
| If(av) | 20 А на прилад |
| Ifsm | 200 А |
| trr | 35 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW060R68E7T ( SWP060R68E7T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм типове, макс. 7 мОм (VGS=10 В, ID=50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94 нКл типове |
| Вхідна ємність Ciss | 3623 пФ (Vds 32 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Samwin |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (BVDSS) | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу) |
| Опір Rds(on) | 5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 195.3 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP035N72 оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 72 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 140 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 70 А; макс. 3.5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 67.5 нКл тип. (VDS = 35 В, ID = 70 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4250 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.2 В при IS = 70 А; trr 68 нс тип.) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW036R10E8S ( SWP036R10E8S ) оригінал, TO220
В наявності
165,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 175 А (TC = 25 °C, обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А) |
| Струм Id (100 °C) | 132 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 20 А; макс. 4.6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP181A3-CR оригінал, SC70-6
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Коефіцієнт підсилення | 200 В/В (фіксований) |
| Напруга живлення | 2.7–30 В (одноджерельне) |
| Синфазна напруга на вході | -0.3…+36 В (-40…125 °C) |
| Дрейф зміщення (макс.) | 0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C) |
| Похибка підсилення (макс.) | 1 % (у всьому діапазоні температур) |
| Струм споживання (тип.) | 120 мкА (VSENSE = 0 мВ) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP181A1-CR оригінал, SC70-6
В наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Коефіцієнт підсилення | 50 В/В (фіксований) |
| Напруга живлення | 2.7–30 В (одноджерельне) |
| Синфазна напруга на вході | -0.3…+36 В (-40…125 °C) |
| Дрейф зміщення (макс.) | 0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C) |
| Похибка підсилення (макс.) | 1 % (у всьому діапазоні температур) |
| Струм споживання (тип.) | 120 мкА (VSENSE = 0 мВ) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LX3205A оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип., VGS = 10 В, ID = 55 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | LingXun |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N50A оригінал, TO247
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,28 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 220 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HFP11N40 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 11.4 А |
| Струм Id (100 °C) | 7.2 А |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом тип., VGS = 10 В, ID = 5.7 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 147 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | SemiHow |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS28N50 оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 17,5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 195 мОм макс. (VGS=10 В, ID=14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 312,5 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF18N50 оригінал , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,31 Ом тип., 0,37 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 37 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS18N50F оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,31 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45,7 нКл тип. (VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42,8 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В |
| Опір Rds(on) | 2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Корпус | TO-247S-3L |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF30N65T оригінал, TO220F
В наявності
134,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Напруга колектор-емітер | 650 В (за даними клієнта) |
| Струм | 30 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (тип., Tj=25 °C) |
| Vge(th) | 5.4 В (тип., Tj=25 °C) |
| Час витримки КЗ | 5 мкс (VGE=15 В, Tj=150 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSG2113 оригінал, sow-16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Драйвер напівмоста MOSFET/IGBT |
| Виробник | WXNSIC |
| Напруга плаваючого каналу VS | 700 В |
| Напруга VB (абс. максимум) | 725 В |
| Вихідний струм (джерело / втікання) | 4,0 / 4,0 А |
| Напруга живлення VCC | 10…20 В |
| Логічні входи | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Затримка вмикання tON | 130 нс тип., 200 нс макс. (TA 25 °C, VDD = VCC = VBS = 15 В, CL = 1 нФ, VS = 0 В) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (W), 10,3 × 7,5 мм |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UF460L оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А |
| Опір Rds(on) | до 310 мОм (VGS=10 В, ID=21 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл тип., 190 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 168 А (за корпусом 160 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 106 А |
| Опір Rds(on) | 4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 73,8 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 5096 пФ |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FE оригінал, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | до 4.5 Ом (VGS=10 В, ID=1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 198 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FT оригінал, TO220
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 198 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1.02 мкс |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj=25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130T оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) | 149 мОм (макс., Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.6–4.3 В |
| Заряд затвора Qg | 37.5 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 260 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP80N07 оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А) | 8,5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 73 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (тип.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 110 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH82N25 оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Cmos |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 90 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 58 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А, Tj 25 °C, макс.) | 35 мОм |
| Rds(on) (типово) | 29 мОм |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Ciss (VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц) | 7000 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 550 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTW20N50A оригінал (заміна для SW20N50 , PTW20N50A , 20N50P , FSA20N50 , FDA20N50 , A20N50SE , WGA20N50SE , CMA20N50 , CS20N50 , BR20N50 , HA20N50 , 20N50ANH , 20N50 ) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 0.26 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F
В наявності
253,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Belling |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C) | 39 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJF190N65GCF оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 181 мОм |
| Заряд затвора Qg (типове) | 41 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В |
| Розсіювана потужність (Tc 25 °C) | 29 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS19N40 ( CS19N40A8R ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 19 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 9.5 А; типове, макс. 0.30 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (типове значення) |
| Вхідна ємність Ciss | 1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод 60F30AE ( 60F30A ) оригінал ( SFR60F30AEPN , SFR60F30APN , SL60F30A ) , TO-3P-3pin
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий, 300 В |
| Vrrm | 300 В |
| Ifsm | 300 А (8.3 мс) |
| Vf | 1.25 В при If 30 А, Tc 25 °C |
| trr | 30 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP032N08B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал, PowerTrench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 211 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 149 А |
| Rds(on) типовий | 2,85 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) максимальний | 3,3 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Qg(tot) | 111 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±20 В |
| Pd | 263 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FA6A31N ( FA6A31 , 6A31 ) , so-16
В наявності
171,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер LLC-резонансного перетворювача |
| Виробник | Fuji Electric |
| Вбудоване пускове коло та драйвери | 600 В |
| Напруга VB (абс. максимум) | 630 В |
| Напруга живлення VCC | 14…27 В (тип. 19 В) |
| Напруга пуску VCC(ON) | 13,0 В (12,4…13,6 В) |
| Напруга вимкнення VCC(OFF) | 9,0 В (8,5…9,5 В) |
| Частота генератора | 38 кГц (мін.) – 350 кГц (макс.), VCC = VB = 19 В |
| Мінімальний мертвий час | 430 нс |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема EG3525S , so-16
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер |
| Виробник | EG Micro |
| Напруга живлення VCC | 8…35 В |
| Опорна напруга Vref | 5,1 ±2 % (VCC = 15 В, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 100 Гц…500 кГц |
| Струм споживання Icc | 14 мА тип., 20 мА макс. (VCC = 15 В) |
| Вихідний струм (абс. максимум) | 500 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (TA 25 °C) |
| Робоча температура | -45…105 °C |
| Корпус | SO-16 |
Демонтаж
Діод F10F150S ( FFPF10F150S ) оригінал демонтаж(1500V,10A), TO220F-2pin
В наявності
175,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Демпферний діод |
| Vrrm | 1500 В (TC 25 °C) |
| IF(AV) | 10 А (TC 125 °C) |
| IFSM | 100 А (60 Гц, одна напівсинусоїда) |
| VF макс. | 1.6 В (IF 10 А, TC 25 °C) |
| trr макс. | 170 нс (IF 1 А, diF/dt 50 А/мкс, VR 30 В) |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Виводи | 1 – катод, 2 – анод |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод MURB1060CT оригінал, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий (FRED), здвоєний 2×5 А |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 10 А (2×5 А) |
| Ifsm | 50 А |
| Vf | 1.6 В при If 5 А, Tj 25 °C |
| trr | 35 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Діод MURB1040CT оригінал, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А (Tc 105 °C, прилад повністю; 5 А на діод) |
| Імпульсний струм Ifsm | 90 А (8,3 мс, на діод) |
| Пряма напруга Vf | 1,40 В (If 5 А, Tc 25 °C, на діод) |
| Час відновлення trr | 35 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irec 0,25 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |