Магазин
Транзистор HYG043N10 ( HYG043N10NS2P , G043N10 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 164 А (Tc = 25 °C, на великому радіаторі) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 3.5 мОм тип., 4.8 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 258.6 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65R048M1 ( IMZA65R048M1H ) оригінал, PG-TO247-4-3
Немає в наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (Tj = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 39 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 24 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 48 мОм тип., 64 мОм макс. (VGS = 18 В, ID = 20.1 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.7 В, тип. 4.5 В (VDS = VGS, ID = 6 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20.1 А, VGS = 0–18 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO247-4 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор V5036S ( ISL9V5036S3S ) оригінал, D2PAK
Немає в наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання N-канал (EcoSPARK) |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга пробою Vces | 360 В (Ic = 2 мА, Vge = 0) |
| Струм Ic | 46 А (Tc = 25 °C); 31 А (Tc = 110 °C) |
| Vce(sat) | 1,17 В (Ic = 10 А, Vge = 4 В, Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 32 нКл (Ic = 10 А, Vce = 12 В, Vge = 5 В) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) , TO-247
Немає в наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1350 В (Vge = 0, Ic = 0,75 мА) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
Мікросхема LM1881N оригінал, DIP8
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Роздільник синхросигналів відео |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 5–12 В (одинарне живлення) |
| Макс. напруга живлення | 13,2 В (абсолютний максимум) |
| Струм споживання | 5,2 мА (типово; макс. 10 мА; Vcc 5 В, виходи в лог. 1) |
| Розсіювана потужність корпусу | 1100 мВт (абсолютний максимум) |
| Частота рядків | до 150 кГц |
| Вхідний опір | понад 10 кОм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM346 ( SLM346CK-DG ) оригінал, so-6
Немає в наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO6 подовжений (stretched), 6 виводів |
| Вихідний струм (джерело) | 2,5 А (макс., пік) |
| Вихідний струм (приймач) | 2,5 А (макс., пік) |
| Напруга ізоляції | 5 кВ (діюче; 1 хв, UL 1577, сертифікація в планах; підсилена ізоляція) |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| Спотворення ширини імпульсу | 35 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR6045PT оригінал ( заміна для MBR6045WT ) , TO247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | YFW |
| Зворотна напруга Vrrm | 45 В (на плече, Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (30 А на плече) |
| Імпульсний струм Ifsm | 450 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 0.61 В (If = 30 А, Ta 25 °C, макс. на плече) |
| Пряма напруга Vf при 125 °C | 0.51 В (If = 30 А, Ta 125 °C, тип. на плече) |
| Зворотний струм Ir | 50 мкА (Vr = 45 В, Ta 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт (на плече, на радіаторі) |
| Конфігурація | здвоєний 2×30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F103CBT6 оригінал, LQFP48
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GD32F103CBT6 |
| Корпус | LQFP48 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема RZ7886 , DIP8
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Драйвер двигуна постійного струму |
| Виробник | Wuxi Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Робоча напруга живлення | 3,0–14 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 15 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм Iout | 13 А (таблиця Absolute Maximum Rating) |
| Струм у режимі очікування | 2 мкА (макс.; Vcc 9 В, Vi = 0) |
| Спад на нижньому виході VLOUT | 0,12 В (типово; макс. 0,3 В; Vcc 6 В, Io 5 А, Ta 25 °C) |
| Температура теплового відключення | 130 °C |
| Робочий діапазон температур | -25…+85 °C |
Демонтаж
Мікросхема FAN4800IN оригінал демонтаж, DIP16
Немає в наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер PFC/PWM |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP16 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO Vth(start) | 13,00 В (типово; 12,74–13,26 В) |
| Гістерезис UVLO | 3,00 В (типово; 2,80–3,20 В) |
| Струм запуску Ist | 100 мкА (типово; макс. 200 мкА) |
| Робочий струм Iop | 2,5 мА (типово; макс. 7,0 мА; Vcc 12 В, CL 0 пФ) |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Електролітичний конденсатор 470uF 450V 85C ( 470мкФ 450В 85град , 470*450*85гр ) жорсткі виводи 30*45мм
Немає в наявності
305,50 ₴
Транзистор SVF4N65F оригінал (4A,650V), TO220F
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.5 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.3 Ом тип., 2.7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PAL012A
Немає в наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Клас підсилювача | AB |
| Структура | повністю комплементарна PNP/NPN, rail-to-rail вихід без бутстрепних конденсаторів |
| Особливості | standby, mute, автоматичне вимкнення звуку при мінімальній напрузі живлення |
| Захист | КЗ на GND, на VS і на навантаженні; індуктивне навантаження; м’яке теплове обмеження; load dump; обрив GND; переполюсування батареї; ESD |
Мікросхема ICE3BR4765JZ ( 3BR4765JZ ) , DIP7
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стоку VDS | 650 В (V(BR)DSS мін., Tj 110 °C) |
| Опір каналу RDS(on) | 4,70 Ом типово, макс. 5,44 Ом (ID = 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 65 кГц (Tj 25 °C, джитер ±2,6 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % типово |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В типово |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В типово |
| Макс. напруга живлення VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (Active Burst Mode) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема AMS1117-3.3 , sot89
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 3,3 В (Tj 25 °C, IOUT = 10 мА) |
| Вихідний струм | 1 А |
| Макс. вхідна напруга | 15 В (абсолютний максимум) |
| Падіння напруги (dropout) | 1,1 В типово, макс. 1,3 В (IOUT = 0,8 А) |
| Струм обмеження | 1100 мА типово (VIN – VOUT = 1,5 В) |
| Струм споживання | 5 мА типово, макс. 11 мА |
| Придушення пульсацій | 72 дБ типово (f 120 Гц, IOUT = 1 А) |
| Температура переходу | –40…+125 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Виробник | Advanced Monolithic Systems |
Мікросхема LTK5128 , so-8
Немає в наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LTKCHIP |
| Напруга живлення VDD | 2,5–5,5 В (клас D, Ta 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 6,0 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 2,9 Вт (VDD = 5 В, THD+N = 10 %, f = 1 кГц, клас D) |
| Коефіцієнт спотворень THD+N | 0,12 % (VDD = 5 В, Po = 0,6 Вт, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, клас D) |
| Частота перемикання (клас D) | 480 кГц |
| Струм споживання (клас D) | 5 мА (типове; MODE = VDD, VDD = 5 В, IO = 0 А) |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Корпус | ESOP-8 |
Транзистор STF24NM60N ( 24NM60N , ST24NM60N) оригінал, TO220F
Немає в наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (Tc = 100 °C, корпус TO-220FP) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 17 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST18N60M2 ( STF18N60M2 , 18N60M2 ) оригінал (заміна для FQPF18N60 , FQPF18N60C , FDPF18N60 , FCPF18N60 , STF18NM60N , SVF18N60F ) , TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 52 А |
| Опір Rds(on) | 0,255 Ом тип., 0,280 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 21,5 нКл (VDD = 480 В, ID = 13 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 25 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2,5 кВ ефект. (t = 1 с, TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Реле JQ1a-12V обмотка на 12V (5A/250V)
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Контакти | 1 Form A (1 замикаючий) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 720 ±10% Ом (20 °C) |
| Струм котушки | 16,7 мА (20 °C) |
| Потужність котушки | 200 мВт (20 °C) |
| Напруга спрацювання | не більше 75 % номіналу |
| Напруга відпускання | не менше 5 % номіналу |
| Час спрацювання | не більше 20 мс |
| Час відпускання | не більше 10 мс |
| Електрична міцність контакт–котушка | 4000 В (ср. кв.), 1 хв |
Демонтаж
Транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1200 В (Vge = 0, Ic = 0,5 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc = 25 °C); 20 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,48 В (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 211 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 20 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHP100N03 оригінал, TO220
Немає в наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (TC = 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 68 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 400 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 3,7 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 5,1 мОм тип., 7,2 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 16 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (VDS = 15 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 44,6 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TNY266PN ( TNY266P ) демонтаж (заміна для TNY265PN ), DIP7
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В мін. (VBP = 6,2 В, VEN/UV = 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 350 мА (типове, Tj 25 °C, di/dt = 70 мА/мкс) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 14 Ом (типове, ID = 35 мА, Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц (середня, Tj 25 °C, з частотним джитером) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (типове) |
| Вихідна потужність (адаптер), 230 В AC ±15 % | 10 Вт (50 °C) |
| Вихідна потужність (відкрита рама), 230 В AC ±15 % | 15 Вт (50 °C) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP14NK50ZFP оригінал демонтаж, TO-220F
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C, TO-220FP, обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7,6 А (TC = 100 °C, TO-220FP) |
| Імпульсний струм стоку | 48 А (TO-220FP) |
| Опір Rds(on) | 0,340 Ом тип., 0,380 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В, тип. 3,75 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип., 92 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C, TO-220FP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2,5 кВ ефект. (TC = 25 °C, t = 1 с) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGD3040G2 оригінал, D-PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою BVCER | 400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 41 А (Vge 5 В) |
| Струм Ic (Tc 110 °C) | 25,6 А (Vge 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,15 В (Ice 6 А, Vge 4 В, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія SCIS | 300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип | N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Корпус | D-PAK (DPAK3, TO-252) |
| Стан | Оригінал |
Діод ETH3006S ( VS-ETH3006S-M3 ) оригінал (заміна для 30ETH06S ) , TO263
Немає в наявності
162,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc 95 °C) |
| Пряма напруга Vf | 2.0 В (If 30 А, Tj 25 °C, типово; макс. 2,65) |
| Пряма напруга Vf (150 °C) | 1.4 В (If 30 А, Tj 150 °C, типово; макс. 1,8) |
| Час зворотного відновлення trr | 26 нс (If 1 А, dIf/dt 50 А/мкс, Vr 30 В, типово; макс. 35) |
| Ємність переходу Ct | 20 пФ (Vr 600 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.95 °C/Вт (типово; макс. 1,4) |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1800L
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга сток–витік | 500 В (ID 200 мкА, TA 25 °C) |
| Опір відкритого каналу | 0,95 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,0 А) |
| Постійний струм стоку | 7,0 А (TC 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 23 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Час відновлення діода | 160 нс макс. (VGS 0 В, ID діода 7,0 А) |
| Робоча частота | до 300 кГц |
| Мертвий час | 350 нс (фіксований) |
| Вихідна потужність без радіатора | 120 Вт (VIN 350–400 В) |
| Температура переходу | –40…+130 °C (рекомендована) |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
Транзистор FGA20S120M ( FGA20S 120M ) оригінал, TO-3P
Немає в наявності
229,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Напруга Vce(sat) при 175 °C | 1,85 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 175 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1,43 мДж (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 320 нс (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (If 20 А, Tc 25 °C, типово) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP351 , SOP-8
Немає в наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер (фотоприймач з вихідним каскадом) |
| Піковий вихідний струм | ±0,6 А (максимум) |
| Напруга живлення | 10–30 В |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 5 мА (максимум; VCC 10–30 В) |
| Струм споживання | 2 мА (максимум) |
| Час перемикання tpLH/tpHL | 700 нс (максимум) |
| Стійкість до синфазних перешкод | ±10 кВ/мкс (мінімум) |
| Напруга ізоляції Viso | 3750 В ефективне (AC, 1 хв, R.H. ≤ 60 %) |
| Прямий струм If max | 20 мА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
Транзистор IRFP264 ( IRFP264PBF ) оригінал , TO247
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 38 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 24 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 150 А |
| Опір Rds(on) | 0,075 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 23 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А, VDS = 200 В) |
| Потужність Pd | 280 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG3525 , so-16
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 8–35 В (TA 25 °C, VCC 15 В) |
| Напруга живлення, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга | 5,1 В (±2 %) |
| Діапазон частоти генератора | 100 Гц – 500 кГц |
| Вихідний струм, макс. | 500 мА (абсолютний максимум) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (TA 25 °C) |
| Струм плавного старту | 50 мкА (вивід 8) |
| Корпус | SO-16 |
Транзистор H15R1202 ( IHW15N120R2 ) оригінал, TO-247
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Заряд затвора Qg | 133 нКл (VCC 960 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 0,9 мДж (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 62 нс (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CM6800G оригінал демонтаж, DIP16
Немає в наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 10–18 В (робоча, вивід 13) |
| Напруга шунтового стабілізатора VCC | 16,5 В |
| Струм запуску | 55 мкА (типово) |
| Робочий струм | 2,5 мА (типово) |
| Максимальна шпаруватість ШІМ | 50 % (цифрова точність) |
| Опорна напруга підсилювача помилки PFC | 2,52 В (типово; VCC 14 В) |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7562 оригінал
Немає в наявності
391,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення | 8–18 В (VS 14,4 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення DC, макс. | 28 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 25 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Вихідна потужність EIAJ, 4 Ом | 35 Вт на канал (VS 13,7 В) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 38 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Макс. вихідна потужність, 2 Ом | 60 Вт на канал (MAX POWER) |
| Струм спокою | 150 мА (типово, макс. 300 мА; VS 14,4 В) |
| Коефіцієнт підсилення | 16 / 30 дБ (вибирається) |
| Піковий вихідний струм | 6 А (повторюваний, f > 10 Гц) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Flexiwatt27 (вертикальний) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60S180P7 ( IPA60R180P7S ) оригінал, TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 53 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,145 Ом тип., 0,180 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В, тип. 3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,28 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD = 400 В, ID = 5,6 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Ptot | 26 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2500 В ефект. (TC = 25 °C, t = 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал, TO-247 (заміна для 20N120CND , 30N140IHR , NGTB30N140IHR3 , IRG4PH50S , AUIRG4PH50S )
Немає в наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 33 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 63 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P
Немає в наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А |
| Vgs(th) | від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Qg | 38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Реле RF-SS-112DMF обмотка на 12V
Немає в наявності
213,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WRG (Wangrong) |
| Контакти | 1 Form A (1 замикаючий) |
| Струм контактів | 20 А (250 В AC, активне навантаження) |
| Напруга комутації контактів | 250 В AC (при 20 А) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Потужність котушки | 0,9 Вт (20 °C) |
| Опір котушки | 160 ±10% Ом (20 °C) |
| Струм котушки | 75 мА (20 °C) |
| Напруга спрацювання | не більше 9 В DC (20 °C) |
| Напруга відпускання | не менше 0,6 В DC (20 °C) |
| Час спрацювання | не більше 20 мс |
| Час відпускання | не більше 10 мс |
| Електрична міцність котушка–контакти | 4500 В AC (50/60 Гц, 1 хв) |
| Робоча температура | –40…+105 °C (без конденсату) |
| Електричний ресурс | не менше 100000 циклів |
| Вага | 22 г |
Транзистор FGP15N60UNDF ( FGP15N60 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
201,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 178 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |