Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусDIP7

Мікросхема ICE3BR4765JZ ( 3BR4765JZ ) , DIP7

117,50 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

ICE3BR4765JZ (3BR4765JZ) – off-line ШІМ-контролер Infineon CoolSET-F3R з вбудованим MOSFET 650 В для імпульсних блоків живлення, корпус DIP-7. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусDIP7

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга стоку VDS650 В (V(BR)DSS мін., Tj 110 °C)
Опір каналу RDS(on)4,70 Ом типово, макс. 5,44 Ом (ID = 0,5 А, Tj 25 °C)
Частота перетворення65 кГц (Tj 25 °C, джитер ±2,6 кГц)
Макс. коефіцієнт заповнення75 % типово
Поріг вмикання VCC18,0 В типово
Поріг вимикання VCC10,5 В типово
Макс. напруга живлення VCC27 В (абсолютний максимум)
Споживання в режимі очікування<50 мВт (Active Burst Mode)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусDIP7
ВиробникInfineon
Опис

ICE3BR4765JZ (маркування 3BR4765JZ) виробництва Infineon – off-line ШІМ-контролер CoolSET-F3R з вбудованим MOSFET 650 В CoolMOS і стартовою коміркою, корпус PG-DIP-7 (DIP-7). Напруга стоку VDS – 650 В (V(BR)DSS мін., Tj 110 °C). Опір відкритого каналу RDS(on) типово 4,70 Ом, максимум 5,44 Ом при ID = 0,5 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C типово 10,0 Ом, максимум 12,5 Ом. Частота перетворення фіксована, типово 65 кГц при Tj 25 °C, з частотним джитером ±2,6 кГц. Максимальний коефіцієнт заповнення типово 75 %. Поріг вмикання VCC типово 18,0 В, вимикання – 10,5 В; максимальна напруга живлення VCC – 27 В (абсолютний максимум). Споживання в режимі очікування – менше 50 мВт (Active Burst Mode).

Нова деталь. Мікросхема працює в мережевих адаптерах і малопотужних джерелах живлення. Для заміни порівнюйте корпус, розпіновку, напругу стоку й частоту перетворення; прямі заміни за даними виробника – ICE3BR4765J і ICE3BR4765JZXKLA1. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Off-line мережеві адаптери та малопотужні джерела живлення.
  • DVD R/W, DVD Combi, програвачі Blu-ray, приставки (set-top box).
Часто питають
Що таке ICE3BR4765JZ?

Це off-line ШІМ-контролер Infineon CoolSET-F3R з вбудованим MOSFET 650 В CoolMOS. Корпус – PG-DIP-7, маркування 3BR4765JZ.

Чим замінити ICE3BR4765JZ?

За даними виробника, прямі заміни – ICE3BR4765J і ICE3BR4765JZXKLA1. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

На якій частоті працює мікросхема?

Частота перетворення фіксована, типово 65 кГц при Tj 25 °C, з частотним джитером ±2,6 кГц.

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: ICE3BR4765JZ (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

ICE3BR4765JZ (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8

В наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8K (8192 біт)
Організація1024 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-55…+125 °C
КорпусDIP8

Мікросхема ACT108W-600E ( 108W6E ) оригінал, sot223

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
Vdrm600 В (max)
IT(RMS)0,8 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 112 °C)
ITSM8,8 А (Tj(init) = 25 °C, tp = 16,7 мс)
IGT1–10 мА (VD = 12 В, IT = 100 мА, Tj = 25 °C)
dV/dt1000 В/мкс (min, VDM = 402 В, Tj = 125 °C)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусSOT-223
СтанОригінал

Мікросхема IR2113S оригінал, so-16

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Канали2 незалежні (верхній і нижній)
Макс. напруга верхнього плеча (IR2113)600 В
Вихідний струм2 / 2 А
Напруга живлення VCC10–20 В
Затримка вмикання ton120 нс (typ)
Затримка вимикання toff94 нс (typ)
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.