Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор HYG043N10 ( HYG043N10NS2P , G043N10 ) оригінал, TO220

64,39 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG043N10 (HYG043N10NS2P, G043N10) – N-канальний польовий транзистор HUAYI на 100 В і 164 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds100 В (Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)164 А (Tc = 25 °C, на великому радіаторі)
Струм стоку Id (100 °C)116 А (Tc = 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)3.5 мОм тип., 4.8 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg100 нКл тип. (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В)
Потужність розсіювання Pd258.6 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Тип каналуN
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

HYG043N10 (HYG043N10NS2P, G043N10) – N-канальний польовий транзистор виробництва HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В (Tc = 25 °C). Струм стоку Id – 164 А при Tc = 25 °C (на великому радіаторі) і 116 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.5 мОм типово, 4.8 мОм максимум (VGS = 10 В, IDS = 50 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, типово 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА). Заряд затвора Qg – 100 нКл типово (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В). Потужність розсіювання Pd – 258.6 Вт при Tc = 25 °C. Вбудований діод: Vsd 0.9 В типово, trr 57 нс, Qrr 94 нКл (ISD = 50 А, dISD/dt = 100 А/мкс).

Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте тип каналу, корпус, Vds, Id і Rds(on) за однакових умов вимірювання. У нашому каталозі є G042N10 (HYG042N10) у тому самому корпусі TO-220; у нього заряд затвора Qg трохи більший, тому враховуйте можливості драйвера. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Системи керування батареєю (BMS)
  • Контролери
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×164=131, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.8=6.24 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Qg 119 нКл проти 100 нКл у HYG043N10: врахуйте драйвер Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG043N10?

Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 100 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при тій самій напрузі Vgs. У нашому каталозі такий варіант – G042N10.

Як перевірити транзистор?

Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами та працездатність внутрішнього діода.

Для чого підходить HYG043N10?

За даташитом: системи керування батареєю (BMS) та контролери. Виробник заявляє 100% перевірку на лавинний пробій.

Datasheet

Документація виробника: HYG043N10NS2B (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG043N10NS2B (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.