Транзистори
Демонтаж
Транзистор MDF9N50 оригінал демонтаж (заміна для FQPF9N50C , FQPF9N50CF , 9N50 , FQPF5N50C , 5N50C ), TO220F
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 9.0 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.5 А |
| Опір Rds(on) | 0.72 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 9.0 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MDP08N055 оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмежений корпусом) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 92 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 мОм, макс. 5.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.8 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4137 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 188 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 480 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP18N50 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id при 25 °C | 18 А |
| Струм Id при 100 °C | 11 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 9 А | 0,22 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 236 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id при 25 °C | 153 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id при 100 °C | 97 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А | 3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 223 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1991 ( MDP1991TH ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 100 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом); 87 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5,9 мОм макс.; 4,4 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 100 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP9N50 ( MDP9N50TH )(заміна для FQP9N50C ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 9.0 А при TC 25 °C, VGS=10 В; 5.5 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 0.72 Ом типово, макс. 0.85 Ом (VGS=10 В, ID=4.5 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 19 нКл типово (VDS=400 В, ID=9.0 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | Trench MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А) |
| Заряд затвора Qg | 51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78,1 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ME15N10 ( ME15N10-G , 15N10L ) оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Matsuki |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id | 14.7 А (Tc 25 °C); 13.6 А (Tc 70 °C) |
| Rds(on) | 100 мОм макс., 80 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 24 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 882 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 34.7 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ME4946, so-8
В наявності
36,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Matsuki |
| Тип каналу | 2 × N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (Ta 70 °C) | 4 А |
| Rds(on) Vgs 10 В | 41 мОм |
| Rds(on) Vgs 4.5 В | 52 мОм |
| Vgs(th) | 1.0–3.0 В |
| Qg | 22 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 940 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd (Ta 25 °C) | 1.6 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор ME60N03A оригінал (заміна для ME60N03L , FQD60N03L ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 25 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 8,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А); 13 мОм макс. (Vgs 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Matsuki |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJ2955 , TO-3
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга Vcer | 70 В (RBE = 100 Ом) |
| Напруга Vceo | 60 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 115 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | 200 °C |
| Vce(sat) | 1 В (макс., IC = 4 А, IB = 400 мА) |
| hFE | 20–70 (IC = 4 А, VCE = 4 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-3 |
Транзистор MJE13001 , to92
В наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 600 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 200 мА |
| Потужність розсіювання Pc (корпус TO-92) | 750 мВт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 1,2 В |
| Гранична частота fT, мін. (Ic 20 мА, Vce 20 В, f 1 МГц) | 8 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13002 , to92
В наявності
5,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) | 480 В |
| Напруга Vcbo (Ic 100 мкА, Ie 0, Ta 25 °C) | 700 В |
| Напруга Vebo (Ie 100 мкА, Ic 0) | 9 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE (Vce 2 В, Ic 0,5 А) | 8–40 |
| Vce(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 1,0 В |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13003 , TO-126
В наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА) |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 3 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 0.5 А, Vce 2 В); 5–25 (Ic 1 А, Vce 2 В) |
| Ємність Cob | 21 пФ (тип.) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 3.12 °C/Вт |
Транзистор MJE13005 ( E13005-1 , ST13005A , PHE13005 , E13005-2 ) оригінал, TO220
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcev | 700 В (Vbe(off) 1.5 В) |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 4 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 8 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C); 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–60 (Ic 1 А, Vce 5 В); 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Ємність Cob | 65 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.67 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13005D ( E13005D , 13005D , MJE13005 , E13005 ) оригінал, TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 5 А постійний, 10 А імпульсний |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 18–35 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,2 А) |
| fT | 4 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,5 А) |
| Vf діода | 1,6 В макс. (If 2 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13007 оригінал ( E13007A , E13007-1 , J13007-1 , J13007-2 , ST13007A , E13007-2 , D13007 ), TO220
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vces | 700 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В); 5–30 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | мін. 4 МГц, тип. 14 МГц (Ic 500 мА, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Ємність Cob | 80 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.56 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
48,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009L ( E13009L ) оригінал, TO247
В наявності
80,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 700 В |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic постійний | 12 А |
| Струм колектора Ic імпульсний | 24 А |
| Потужність розсіювання Pc | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 8–40 (Ic = 5 А, Vce = 5 В); 6–30 (Ic = 8 А, Vce = 5 В) |
| Vce(sat) (макс.) | 1 В (Ic = 5 А, Ib = 1 А); 1,5 В (Ic = 8 А, Ib = 1,6 А) |
| Час спаду tf (макс.) | 0,7 мкс |
| Гранична частота fT (мін.) | 4 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE2955T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| hFE (Ic=4А, Vce=4В) | 20–100 |
| hFE (Ic=10А, Vce=4В) | не менше 5.0 |
| Vce(sat) (Ic=4А, Ib=0.4А) | 1.1 В |
| Vce(sat) (Ic=10А, Ib=3.3А) | 8.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (TC=25°C, дерейтинг 0.6 Вт/°C) |
| Гранична частота fT | не менше 2.0 МГц (Ic=500мА, Vce=10В, f=500кГц) |
| Робочий діапазон температури переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор MJE3055T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор-база VCBO | 70 В |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | 5 В |
| Струм колектора IC | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм бази IB | 6 А |
| Потужність розсіювання PC | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| hFE (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 20–100 |
| hFE мін. (VCE = 4 В, IC = 10 А) | 5 |
| VCE(sat) макс. (IC = 4 А, IB = 0.4 А) | 1.1 В |
| VBE(on) макс. (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 1.8 В |
| fT мін. (VCE = 10 В, IC = 500 мА) | 2 МГц |
| Температура переходу TJ / зберігання | 150 / -55…150 °C |
Транзистор MJE340 (KSE340)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225 (CASE 77-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 300 В |
| VCEO(sus) мін. (IC = 1 мА, IB = 0) | 300 В |
| Напруга емітер-база VEB | 3 В |
| Струм колектора IC | 500 мА |
| Потужність розсіювання PD | 20 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 6.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 50 мА, VCE = 10 В) | 30–240 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
Транзистор MJE350( KSE350)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 20 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| hFE | 30–240 (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор MJF18004 , TO220F
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Напруга Vceo(sus) (Ic 100 мА, L 25 мГн) | 450 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Імпульсний струм Icm (5 мс, шпаруватість ≤10 %) | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd (Tc 25 °C) | 35 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| hFE, мін. (Ic 1 А, Vce 2,5 В) | 12 |
| Гранична частота fT, тип. (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) | 13 МГц |
| Напруга ізоляції Viso (тест №1, 1 с) | 4500 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор MM75GAU65BKX оригінал, TO247-4
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MMBT3906 , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -200 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -350 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Vce(sat) макс. | -0,25 / -0,40 В (Ic/Ib -10/-1 мА; -50/-5 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4401 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.0 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = 150 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) макс | 0.4 В (Ic = 150 мА, Ib = 15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 250 МГц (Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4403 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = -150 мА, Vce = -2 В) |
| Vce(sat) макс | -0.40 В (Ic = -150 мА, Ib = -15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 200 МГц (Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBTA44 (маркування 3D ) , sot23
В наявності
17,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 450 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| hFE | 50–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Потужність Pd | 350 мВт (Ta 25 °C, алюмінієва підкладка 10×8×0,6 мм) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 20 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 10 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MP40N65BU ( MPBW40N65BU ) оригінал (заміна для MP40N65BH , MPBW40N65BH ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Marching Power (Xinchangzheng) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 40 А, Tj 25 °C) | 1.9 В |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3155 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF12N65 оригінал ( заміна для JX12N65 ) , TO220F
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Miracle Technology |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.80 Ом макс., 0.65 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40.2 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF13N50 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0 В мін., 3.0 В тип., 4.0 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2315 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPSA42 , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ic = 1 мА, Ib = 0, мін) |
| Напруга Vcbo | 300 В |
| Напруга Vebo | 6.0 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА |
| Потужність Pd | 625 мВт (TA 25 °C, спад 5.0 мВт/°C вище 25 °C); 1.5 Вт при TC 25 °C |
| Гранична частота fT (мін) | 50 МГц (Ic = 10 мА, Vce = 20 В, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MS5N100 оригінал, TO-3PH
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MASPOWER |
| Напруга Vds | 1000 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,5 Ом тип., 4,5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 74 Вт (Tc 25 °C, TO-3PH) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FE оригінал, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | до 4.5 Ом (VGS=10 В, ID=1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 198 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FT оригінал, TO220
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 198 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1.02 мкс |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100S оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 1 А) | 3,5 Ом (тип.), 4,5 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 18,68 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 48 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MSG40T65FL оригінал, TO247
В наявності
141,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0–7,0 В (Ic = 600 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 94,5 нКл (Vcc = 520 В, Ic = 40 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1718 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C), 188 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Vf діода | 1,25 В тип. (Vge = 0 В, If = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| trr діода | 140 нс (Tvj = 25 °C, Vcc = 400 В, If = 40 А, diF/dt = 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT3205A ( MT3205 ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Rds(on) | 3.6 мОм типово (Vgs 10 В, Id 100 А; макс. 4.5 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT6808D оригінал, DPAK
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, типове, макс. 8,0) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3) |
| Потужність Pd | 112 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 33 нс (ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |