Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4403 , sot23
6,58 ₴
41 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
41 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MMBT4403 – біполярний PNP-транзистор малої потужності в корпусі SOT23 для підсилення середньої потужності та перемикання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = -150 мА, Vce = -2 В) |
| Vce(sat) макс | -0.40 В (Ic = -150 мА, Ib = -15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 200 МГц (Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
MMBT4403 – біполярний транзистор PNP у корпусі SOT23. За datasheet Diodes Incorporated (DS30058) напруга колектор-емітер Vceo дорівнює -40 В, колектор-база Vcbo – -40 В, емітер-база Vebo – -6 В (усе при TA 25 °C). Постійний струм колектора Ic – -600 мА, імпульсний Icm – -1 А. Розсіювана потужність Pd – 310 мВт на мінімальному майданчику 1 oz Cu на FR4 та 350 мВт на майданчику 15×15 мм. Коефіцієнт підсилення hFE при Ic = -150 мА і Vce = -2 В – від 100 до 300. Напруга насичення Vce(sat) не більше -0.40 В при Ic = -150 мА і Ib = -15 мА. Гранична частота fT не нижче 200 МГц при Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц. Робочий діапазон температур Tj, Tstg – -55…+150 °C.
Як підібрати заміну: дивіться тип провідності (PNP), корпус SOT23, Vceo, Ic та Pd, а також hFE і fT, якщо схема працює на швидких ключах. Комплементарна пара за datasheet Diodes – MMBT4401 (NPN, є в нашому каталозі). Перед покупкою порівняйте розпіновку зі своєю платою. Доставка по Україні Новою Поштою з Запоріжжя, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Підсилення середньої потужності та перемикання
Чим замінити MMBT4403?
Потрібен PNP-транзистор у корпусі SOT23 з Vceo не менше -40 В, Ic не менше -600 мА та Pd не менше 310 мВт. Перед заміною порівняйте datasheet, особливо hFE і fT.
Це PNP чи NPN?
PNP. Комплементарний NPN за datasheet Diodes – MMBT4401.
Чому напруги і струми зі знаком мінус?
Це PNP-транзистор: у datasheet його напруги й струми колектора вказані від’ємними.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Документація виробника: DS30058 Rev. 15-2, MMBT4403 40V PNP SMALL-SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23.
Параметри наведено за datasheet Diodes Incorporated (DS30058).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TL494C ( TL494 , TL494CDR , TL494IDR , DBL494 , KIA494 ) оригінал, so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SOIC (D), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур TL494C | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MMBT4401 , sot23
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.0 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = 150 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) макс | 0.4 В (Ic = 150 мА, Ib = 15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 250 МГц (Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Схожі товари
Транзистор 2SA1013 (160V;1A;0,9W;15M)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | Unisonic Technologies |
| Напруга Vceo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0.9 Вт (TO-92, Ta 25 °C) |
| hFE | 60–320 (Vce -5 В, Ic -200 мА; групи R, O, P) |
| Vce(sat) | -1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| fT | 15–50 МГц (Vce -5 В, Ic -200 мА) |
| Cob | 35 пФ макс. (Vcb -10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA614-Y (KSA614-Y) демонтаж
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -55 В (IC -10 мА, IB 0; Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В (IC -500 мкА, IE 0; Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IE -500 мкА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, група Y | 120–240 (VCE -5 В, IC -0,5 А) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 2SA733 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -60 В |
| Струм колектора Ic | -150 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 90–600 (Ic -1 мА, Vce -6 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 180 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -6 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.