Магазин
Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Демпферний діод | так |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5241 , TO220F
В наявності
50,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-база Vcbo | 600 В |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 450 В |
| Напруга емітер-база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 10 А |
| Струм бази Ib | 2 А |
| Потужність розсіювання Pt | 30 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4,16 °C/Вт макс. |
| Корпус | TO-220F |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий triple diffused mesa |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Корпус (докладно) | Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5129
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний; імпульс 20 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Виробник | SavantIC |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837) |
| Корпус | TO-220F |
| Vceo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vcbo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vebo (2SC4793) | 5 В, Tc 25 °C |
| Ic (2SC4793) | 1 А, Tc 25 °C |
| Pc (2SC4793) | 20 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SC4793) | 150 °C |
| hFE (2SC4793) | 100–320, VCE 5 В, IC 100 мА |
| fT (2SC4793) | 100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC3852A ( 2SC3852 ) , TO220F
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний, Si |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 500 (VCE=4 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=2 А, IB=50 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 15 МГц тип. (VCE=12 В, IE=-0,2 А) |
| Час спаду tf | 1,2 мкс тип. (VCC=20 В, RL=20 Ом, IC=1 А, IB1=15 мА, IB2=-30 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC3835 ( C3835 , 2SC3835G ) оригінал, TO3P
В наявності
152,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 120 В (IC=50 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 7 А постійний, імпульсний ICM 14 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–220 (IC=3 А, VCE=4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=3 А, IB=0,3 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (IE=0,5 А, VCE=12 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3807
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (IC=10 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (Ta 25 °C), імпульсний ICM 4 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 800 (VCE=5 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=1 А, IB=20 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 1,2 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 260 МГц (VCE=10 В, IC=50 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор CS2837 ( CS2837AND ) оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 80 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом, макс. 0,26 Ом (VGS 10 В, ID 10 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (ID 20 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | від –55 до 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3303 , D-PAK
В наявності
13,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 80 В (IC=10 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (IC=100 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В макс. (IC=3 А, IB=150 мА) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (VCE=4 В, IC=1 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC3209 (300V,0.2A,1W)
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–250 (VCE 10 В, IC 10 мА) |
| fT | 50 МГц тип. (VCE 30 В, IE –10 мА) |
| Cob | 2.8 пФ тип. (VCB 30 В, IE 0, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 0.15 В тип., 1.5 В макс. (IC 50 мА, IB 5,0 мА) |
Демонтаж
Транзистор 2SC3202
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 35 В (IC=50 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic (ICM) | 500 мА (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.25 В макс. (IC=100 мА, IB=10 мА) |
| Потужність Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150–200 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC3199
В наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга V(BR)CEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга V(BR)CBO | 50 В (IC 0,1 мА, IE 0) |
| Напруга V(BR)EBO | 5 В (IE 0,1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–700 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,25 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | SECOS |
Транзистор 2SC3198
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга BVCEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга BVCBO | 50 В (IC 100 мкА, IE 0) |
| Напруга BVEBO | 5 В (IE 100 мкА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 0,4 Вт (корпус TO-92) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| NF | 10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
Транзистор 2SC3150 ( BU3150 ) , TO220
В наявності
36,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 800 В (IC 5 мА, RBE = ∞) |
| Напруга VCBO | 900 В (IC 1 мА, IE 0) |
| Напруга VEBO | 7 В (IE 1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 3 А (пік ICM 10 А) |
| hFE-1 | 10–40 (IC 0,2 А, VCE 5 В) |
| VCE(sat) | 2,0 В макс. (IC 1,5 А, IB 0,3 А) |
| Потужність | 50 Вт (TC 25 °C) |
| fT | 15 МГц мін. (IC 0,2 А, VCE 10 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SPTECH |
Транзистор 2SC2655 ( 2SC2655L )
В наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 50 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCBO | 50 В |
| Напруга VEBO | 5 В |
| Струм колектора (постійний) | 2 А |
| Потужність | 0,9 Вт |
| hFE(1) | 70–240 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| hFE(2) | 40 мін. (VCE 2 В, IC 1,5 А) |
| VCE(sat) | 0,5 В макс. (IC 1 А, IB 0,05 А) |
| fT | 100 МГц мін. (VCE 2 В, IC 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Демонтаж
Транзистор 2SC2625 оригінал демонтаж
В наявності
64,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Triple Diffused Planar |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга колектор–база Vcbo | 450 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 10 (Ic 4 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1.2 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.55 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC2611
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Triple Diffused |
| Виробник | Hitachi |
| Корпус | TO-126 MOD |
| Напруга колектор–база Vcbo | 300 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 300 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність розсіювання Pc | 1.25 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 30, макс. 200 (Vce 20 В, Ic 20 мА) |
| Гранична частота fT | мін. 50, тип. 80 МГц (Vce 20 В, Ic 20 мА) |
| Вихідна ємність Cob | макс. 4.0 пФ (Vcb 20 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SC2500
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В |
| Напруга колектор–емітер Vces | 30 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 10 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 2 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 5 А (імпульс до 10 мс, шпаруватість до 30 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 900 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 140–600 (Vce 1 В, Ic 0.5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | тип. 0.2 В, макс. 0.5 В (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
Демонтаж
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC2383
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 160 В (Ic 1 мА, Ib 0; Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–320 (Vce 5 В, Ic 200 мА; ранги R 60–120, O 100–200, Y 160–320) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| fT | 20 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 200 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Транзистор 2SC2331
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo | 100 В (відкрита база) |
| Напруга Vcbo | 100 В (відкритий емітер) |
| Напруга Vebo | 7 В (відкритий колектор) |
| Струм колектора Ic | 2.0 А (постійний; імпульсний 4,0 А) |
| Потужність розсіювання | 15 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 40–200 (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Vce(sat) | 0.6 В макс. (IC 1 А, IB 0,1 А; Tj 25 °C) |
Транзистор 2SC2330
В наявності
9,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN епітаксіальний кремнієвий (підсилювач потужності VHF) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 18 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 38 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 3 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pt | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 200 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Вихідна потужність Pout | 45.7 дБм тип., 45 дБм мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм) |
| ККД колектора | 75 % тип., 60 % мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 20 мін., 60 тип., 200 макс. (Vce 10 В, Ic 1,0 А імпульс) |
| Корпус | №783 за таблицею документа |
Транзистор 2SC2328A
В наявності
9,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
| Напруга колектор–емітер BVceo | 30 В (Ic 10 мА, Ib 0; Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база BVcbo | 30 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база BVebo | 5 В (Ie 1 мА, Ic 0) |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 2 А |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Vce 2 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic 1,5 А, Ib 30 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.2 В макс. (Ic 1,5 А, Ib 30 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 500 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC2271
В наявності
9,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | FOSHAN (FSBREC) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 100 мА (Ta 25 °C; імпульсний Icp 300 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В макс. (Ic 20 мА, Ib 2 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (Vce 30 В, Ic 10 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92LM |