Магазин
Діністор MKP3V240 ( MKP 3V240 , MKP3V240G )
В наявності
129,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 180 В (синусоїда 50–60 Гц, Tj = -40…+125 °C) |
| Напруга перемикання Vbo | 220–250 В (при Ibo до 200 мкА, Tc = 25 °C) |
| Струм перемикання Ibo | 200 мкА (макс.) |
| Діючий струм It(rms) | 1,0 А (Tl = 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 20 А (1 період 60 Гц, Tj = 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 100 мА (макс.) |
| Пікова напруга Vtm | 1,1 В тип. / 1,5 В макс. (Itm 1 А) |
| Опір перемикання Rs | 0,1 кОм (мін.) |
| Швидкість наростання di/dt | 120 А/мкс (тип.) |
| Робоча температура Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | Axial Lead, Case 267-03 (DO-201AA/DO-27) |
| Виробник | ON Semiconductor |
| Стан виробництва | EOL (знято з виробництва) |
Транзистор FHA20N50 оригінал , TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C), 12,9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,26 Ом макс. (типово 0,21 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2206
В наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор NPN |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Струм колектора Ic | 20 А |
| Потужність розсіювання Pc | 95 Вт |
| Корпус | TO-3PMLH |
Транзистор TT2190 , TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор TT2190 оригінал (Заміна для 2SC6093 ) , TO220F
В наявності
72,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2140 , TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 15 А |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C), 2,0 Вт без радіатора |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 3,15 А, Ib 0,63 А) |
| hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 0,5 А); 5–8 (Vce 5 В, Ic 3,5 А) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 2 А, Ib1 0,4 А, Ib2 -0,8 А) |
| Демпферний діод | є, Vf макс. 2 В при Iec 6 А |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
Транзистор TT2140 оригінал демонтаж, TO220F ( Заміна для 2SC5885 , 2SD2627 , BU1508DX , ST1803DFH , MD1803DFH , MD1803DFP )
В наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Імпульсний струм колектора Icp | 15 А |
| Потужність розсіювання Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TIP42C (p-n-p,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (DC) | -6 А (TC 25 °C) |
| Струм Icp імпульсний | -10 А (TC 25 °C) |
| Потужність Pc | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | мін. 30 при Vce -4 В, Ic -0,3 А |
| Vce(sat) | -1,5 В макс. при Ic -6 А, Ib -600 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP41C (n-p-n,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 6 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–75 (IC = 3 А, VCE = 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 6 А, IB = 0,6 А) |
Транзистор TIP36C оригінал , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В макс. (IC = 15 А, IB = 1,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP35C оригінал (Заміна для TIP33C ) , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 25 при IC = 1,5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 1,8 В при IC = 15 А, IB = 1,5 А |
| Гранична частота fT (мін.) | 3 МГц при IC = 1 А, VCE = 10 В, f = 1 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP147T , TO220
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 20 А |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 1000 при IC = 5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 2 В при IC = 5 А, IB = 10 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP147 оригінал , TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP142 оригінал (n-p-n,100V,10A,125W составний ) , TO247
В наявності
135,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP127 оригінал (p-n-p,100V,5A), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -100 В (IB = 0, Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic (DC) | -5 А |
| Піковий струм колектора | -8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 1000 (мін.) при Vce -3 В, Ic -3 А |
| Vce(sat) | -2 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -12 мА |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP122 оригінал (n-p-n,100V,5A), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Vceo | 100 В (IB = 0, Tc 25 °C) |
| Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Ic | 5 А |
| Піковий Ic | 8 А |
| Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | від 1000 (Vce 3 В, Ic 3 А) |
| Vce(sat) | до 2 В (Ic 3 А, Ib 12 мА) |
| Rth(j-c) | 1,92 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP116 (p-n-p,80V,2A,50W) , TO220
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Vceo | -80 В (Ic 30 мА, Ib 0) |
| Vcb | -80 В |
| Veb | -5 В |
| Ic | -2 А |
| Імпульсний Ic | -4 А |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| hFE | від 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | до 2,5 В (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Cob | до 200 пФ (Vcb 10 В, f 0,1 МГц) |
Демонтаж
Транзистор IRFP22N60K оригінал демонтаж, TO247
В наявності
208,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип | MOSFET, N-канал, одиночний |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 22 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 14 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C) |
| Rds(on) типове | 0,24 Ом (VGS = 10 В) |
| Rds(on) максимум | 0,28 Ом (VGS = 10 В, ID = 13 А) |
| Заряд затвора Qg максимум | 150 нКл (ID = 22 А, VDS = 480 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs максимум | ±30 В |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TIP111 (n-p-n,80V,2A,50W) , TO220
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Vceo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Vcbo | 80 В |
| Vebo | 5 В |
| Ic | 2 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний Ic | 4 А |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | від 1000 (Vce 4 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | до 2,5 В (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
Транзистор TIP106 , TO220
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон, епітаксіальний кремній, вбудовані резистори база–емітер |
| Виробник | Fairchild |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -8 А (DC, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм | -15 А |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 1000–20000 (Vce -4 В, Ic -3 А) |
| Vce(sat) | -2 В макс. (Ic -3 А, Ib -6 мА) |
| Vbe(on) | -2,8 В макс. (Vce -4 В, Ic -8 А) |
| Cob | 300 пФ макс. (Vcb -10 В, f 0,1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор STX112 , to92
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, монолітний Дарлінгтон з антипаралельним діодом колектор–емітер |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (імпульсний Icm 4 А) |
| Потужність Ptot | 1,2 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE | мін. 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Vbe(on) | 2,8 В макс. (Ic 2 А, Vce 4 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор ST8812FX оригінал
В наявності
88,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, високовольтний швидкодіючий |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1150 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 15 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 7 А |
| Імпульсний струм Icm | 12 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 60 нс типово, 120 нс макс. (Ic 4 А, Ib1 0,8 А, Vclamp 480 В) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (RMS) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SS9018 , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 15 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 28–198 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 1100 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 5 мА) |
| Cob | 1,3 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9015 , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | –50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–1000 (Vce –5 В, Ic –1 мА) |
| Vce(sat) | –0,7 В макс. (Ic –100 мА, Ib –5 мА) |
| fT | 190 МГц тип. (Vce –5 В, Ic –10 мА) |
| NF | 0,7 дБ тип. (Vce –5 В, Ic –0,2 мА, f 1 кГц, Rs 1 кОм) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9014C ( SS9014 , KTC9014 , C9014 ) , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60…1000 (Vce 5 В, Ic 1 мА, повний діапазон усіх класів) |
| Гранична частота fT | мін. 150 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0.3 В (Ic 100 мА, Ib 5 мА) |
| Вихідна ємність Cob | тип. 2.2 пФ, макс. 3.5 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор SS9013H ( S9013H , SS9013G , S9013G) , to92
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 25 В (Ic 0,1 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | 40 В (Ic 100 мкА, Ie 0, мін.) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ie 100 мкА, мін.) |
| Струм Ic | 0,5 А |
| Потужність Pd | 0,625 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE (клас H) | 144–202 (Ic 50 мА, Vce 1 В) |
| Vce(sat) | 0,6 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| fT | 150 МГц мін. (Ic 20 мА, Vce 6 В, f 30 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9012G (S9012G) , to92
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -20 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 64…202 (Vce -1 В, Ic -50 мА, повний діапазон усіх класів) |
| hFE2 | мін. 40 (Vce -1 В, Ic -500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. -0.6 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
Транзистор SS8550C (2SC8550) , sot23
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | –25 В (Ic –2 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | –40 В (Ic –100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | –6 В (Ie –100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | –1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.3 Вт (Ta 25 °C, SOT-23) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (Vce –1 В, Ic –100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | –0.5 В макс. (Ic –800 мА, Ib –80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce –10 В, Ic –50 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | Galaxy Microelectronics |
Транзистор SS8050C (2SC8050) , sot23
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 40 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pc | 300 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (VCE = 1 В, IC = 100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC = 800 мА, IB = 80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. |
Транзистор KSP44 ( MPSA44 ) оригінал, to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–200 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.30 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | luJing |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPSA42 , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ic = 1 мА, Ib = 0, мін) |
| Напруга Vcbo | 300 В |
| Напруга Vebo | 6.0 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА |
| Потужність Pd | 625 мВт (TA 25 °C, спад 5.0 мВт/°C вище 25 °C); 1.5 Вт при TC 25 °C |
| Гранична частота fT (мін) | 50 МГц (Ic = 10 мА, Vce = 20 В, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MMBT4403 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = -150 мА, Vce = -2 В) |
| Vce(sat) макс | -0.40 В (Ic = -150 мА, Ib = -15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 200 МГц (Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4401 , sot23
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.0 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = 150 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) макс | 0.4 В (Ic = 150 мА, Ib = 15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 250 МГц (Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT3906 , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -200 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -350 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Vce(sat) макс. | -0,25 / -0,40 В (Ic/Ib -10/-1 мА; -50/-5 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MJF18004 , TO220F
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Напруга Vceo(sus) (Ic 100 мА, L 25 мГн) | 450 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Імпульсний струм Icm (5 мс, шпаруватість ≤10 %) | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd (Tc 25 °C) | 35 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| hFE, мін. (Ic 1 А, Vce 2,5 В) | 12 |
| Гранична частота fT, тип. (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) | 13 МГц |
| Напруга ізоляції Viso (тест №1, 1 с) | 4500 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор MJE350( KSE350)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 20 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| hFE | 30–240 (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор MJE340 (KSE340)
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225 (CASE 77-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 300 В |
| VCEO(sus) мін. (IC = 1 мА, IB = 0) | 300 В |
| Напруга емітер-база VEB | 3 В |
| Струм колектора IC | 500 мА |
| Потужність розсіювання PD | 20 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 6.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 50 мА, VCE = 10 В) | 30–240 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
Транзистор MJE3055T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор-база VCBO | 70 В |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | 5 В |
| Струм колектора IC | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм бази IB | 6 А |
| Потужність розсіювання PC | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| hFE (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 20–100 |
| hFE мін. (VCE = 4 В, IC = 10 А) | 5 |
| VCE(sat) макс. (IC = 4 А, IB = 0.4 А) | 1.1 В |
| VBE(on) макс. (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 1.8 В |
| fT мін. (VCE = 10 В, IC = 500 мА) | 2 МГц |
| Температура переходу TJ / зберігання | 150 / -55…150 °C |
Транзистор MJE2955T , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| hFE (Ic=4А, Vce=4В) | 20–100 |
| hFE (Ic=10А, Vce=4В) | не менше 5.0 |
| Vce(sat) (Ic=4А, Ib=0.4А) | 1.1 В |
| Vce(sat) (Ic=10А, Ib=3.3А) | 8.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (TC=25°C, дерейтинг 0.6 Вт/°C) |
| Гранична частота fT | не менше 2.0 МГц (Ic=500мА, Vce=10В, f=500кГц) |
| Робочий діапазон температури переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |