Магазин
Демонтаж
Транзистор FTP11N08A демонтаж ( FTP11N08 )(75V,100A) , TO220
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 75 В (Tj 25…175 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом 75 А) |
| Rds(on) | 9.5 мОм тип., 11 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| trr діода | 89 нс тип., 134 нс макс. (IF 75 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор SVT068R5ND ( 068R5ND ) оригінал(60V,80A) , D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 7.0 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4890 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 107 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор TK39N60W ( K39N60W ) оригінал демонтаж (заміна для K39N60W5 , TK39N60W5 ) (600V,38.8A,0.055R) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET N-канал (DTMOS, super junction) |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 38.8 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Idp | 155 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) typ | 0.055 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) max | 0.065 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.7–3.7 В (Vds 10 В, Id 1.9 мА) |
| Qg | 110 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 38.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ |
| Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch max | 150 °C |
| Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C) | 1.8 В тип., 2.4 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема MAX3485 ( MAX3485EPA ) , DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | приймач-передавач RS-485/RS-422 |
| Напруга живлення | 3,0–3,6 В |
| Швидкість передачі | 10 Мбіт/с |
| Режим | напівдуплекс |
| Струм у режимі вимкнення | 2 нА |
| Кількість трансиверів на шині | до 32 |
| Робочий діапазон температур | від –40 до +85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема HR1000A , so-16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VCC | 8,9–15,5 В |
| Максимальна частота генератора | 600 кГц (CT = 470 пФ) |
| Мертвий час | 350 нс (TJ 25 °C) |
| Скважність виходу | 50 % (TJ 25 °C) |
| Напруга плаваючого живлення | 618 В (макс.) |
| Робоча температура переходу | −40…+125 °C |
Демонтаж
Мікросхема KID65004AP демонтаж , DIP16
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість каналів | 7 (NPN Darlington) |
| Витримувана напруга виходу | 50 В (мін.) |
| Вихідний струм | 500 мА/канал (Ta 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,3 В (IOUT = 350 мА) |
| hFE | 1000 (мін., VCE = 2 В, IOUT = 350 мА) |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Оптрон TLP521
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | Фототранзистор |
| CTR (IF=5 мА, VCE=5 В, Ta=25 °C) | 50–600 % |
| Vceo (IC=0,5 мА, мін.) | 55 В |
| Напруга ізоляції (AC, 1 хв) | 2500 В |
| IF max (Ta=25 °C) | 70 мА |
| IC max (Ta=25 °C) | 50 мА |
| VF (тип., IF=10 мА) | 1,15 В |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40T120SMD ( FGH40T120 ) оригінал демонтаж б/в (40A,1200V), TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 370 нКл тип. (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 555 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FHP100N08 оригінал демонтаж(Заміна для CS100N08 , SSF7509 )(80V,100A) , TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (TC 25 °C, обмеження температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,5 мОм типово (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 75 нКл типово (VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP110N8F6 ( 110N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET F6 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 85 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,0056 Ом типово (VGS 10 В, ID 55 А) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 150 нКл типово (VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9130 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75H603 ( IKW75N60H3 ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IKW75N60H3 |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами); 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 225 А |
| Vce(sat) | 1.85 В (макс. 2.30 В) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Qg | 470 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (f 1 МГц) |
| Ptot | 428 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.00 В) при If 50 А, Tvj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор BTA41-600B ( BTA41-600BQ ) оригінал (40A,600V) , TOP3
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В, Tj 25 °C |
| Струм It(rms) | 40 А при Tc 81 °C |
| Ударний струм Itsm | 420 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C |
| Струм керування Igt | 50 мА макс., квадранти I–III (70 мА для IV), VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс., VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Спад напруги Vt | 1.4 В макс., Itm = 60 А, tp = 380 мкс, Tj 25 °C |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TOP3 |
| Корпус (докладно) | TOP3, ізоляція 2500 В (діюче), UL |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
248,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop II Trench) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,80 В тип. (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В тип. (VGE = Vce, Ic = 350 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл тип. (Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 417 Вт (Tc = 25 °C); 208 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Світлодіод 3528 (2835) smd LEXTAR 3V 2W холодний білий
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LEXTAR |
| Корпус | 3528 (2835) |
| Пряма напруга Vf | 3 В |
| Потужність | 2 Вт |
| Колірність | холодний білий |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SMD оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop 2-го покоління) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 80 А (Tc = 25 °C); 40 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 40 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В тип. (Ic = 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 349 Вт (Tc = 25 °C); 174 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема CSC7222 , DIP8
В наявності
67,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CSChip |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна потужність | 12 Вт (85–265 В змінної) |
| Напруга колектора вбудованого транзистора | 700 В (мін., IOC = 10 мА) |
| Частота генератора | 61 кГц (Vcc = 5 В) |
| Обмеження струму | 680 мА (25 °C) |
| Теплове відключення | 140 °C |
| Робоча температура переходу | 0…150 °C |
Мікросхема ETA9640 , so-8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронний boost до 5 В/1 А плюс лінійний зарядний пристрій до 1 А для Li-Ion |
| Вихідна напруга USB | 5,05 В (4,9–5,2 В), VBAT = 3,6 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм boost | до 1 А (від Li-Ion, при 5 В) |
| Вихідна потужність boost | 5 Вт |
| ККД у режимі boost | до 96 % |
| Струм спокою від акумулятора | 100 мкА макс. (VBAT = 3,6 В, без навантаження) |
| Частота перемикання | 1,8 МГц (1,4–2,2 МГц), VBAT = 3,6 В |
| Rds(on) нижнього ключа | 180 мОм (типово) |
| Rds(on) синхронного ключа | 120 мОм (типово) |
| Обмеження струму ключа | 1,85 А (1,6 А мін.) |
| Напруга закінчення заряду | 4,2 В (4,15–4,24 В) |
| Струм заряду | 1 А (0,85–1,15 А), Rset = 1 кОм |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Виробник | ETA Solution |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1602 ( IHW30N160R2 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IHW30N160R2 |
| Напруга Vce | 1600 В |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 90 А |
| Vce(sat) | 1.8 В (макс. 2.1 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C |
| Qg | 94 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 312 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.0 В) при If 30 А, Tj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20PR5 ( IHW20N135R5 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A) , TO-247
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1360 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал демонтаж б/в ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N120R5 |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1340 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА) |
| Струм колектора Ic | 30 А при Tc=25 °C; 15 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 45 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C |
| Пряма напруга діода Vf | 1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF=15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 254 Вт при Tc=25 °C |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VCC=960 В, IC=15 А, VGE=15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор XNS15N120T оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner (Shenzhen Invsemi) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 15 А |
| Vce(sat) | 2.1 В (макс. 2.5 В) при Vge 15 В, Ic 15 А |
| Vge(th) | 5.8 В (4.0–6.5 В) при Vge = Vce, Ic 0.4 мА |
| Вбудований діод | є, Vf 2.1 В (макс. 2.6 В) при Ic 15 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW47N60C3 оригінал демонтаж( 47N60C3 , 47N60CFD , SPW47N60CFD )(47A,650V) , TO247
В наявності
298,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 47 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 30 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 0,06 Ом типово (VGS 10 В, ID 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 182 нКл типово (VGS 10 В, ID 24 А, VDS 520 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5682 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 415 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 753 нс типово (IF = IS = 24 А) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.4 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 357 Вт |
| Заряд затвора Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
Діодний міст GBJ5010 ( Заміна для KBJ5010 , D50XB100 )(1000V,50A)
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча зворотна напруга Vrms | 700 В |
| Середній прямий струм If(av) | 50 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (напівхвиля 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (If 25 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Tj 25 °C) / 200 мкА (Tj 125 °C) |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | GBJ |
| Виробник | MCC |
Транзистор STD13NM60N ( 13NM60N , ST13NM60N ) оригінал, D-PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при Tjmax) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.93 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 230 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор M2GZ47 , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В |
| Струм It(rms) | 2 А при Tc 110 °C |
| Ударний струм Itsm | 8 А при 50 Гц |
| Струм керування Igt | 8 мА макс. (5 мА для SM2GZ47A), VD = 12 В, RL = 20 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс., квадрант I |
| Спад напруги Vt | 1.7 В макс., Itm = 3 А, Ta 25 °C |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Діодний міст KBP310 ( 1000V,3A )
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 1000 В |
| Vr(RMS) | 700 В |
| Io | 3,0 А (TA 50 °C) |
| Ifsm | 80 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,1 В (If 2,0 А) |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор AP18N20GH (18N20GH ) оригінал (заміна для P1820BD ), D-PAK
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | APEC (Advanced Power Electronics Corp) |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 9.5 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1065 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 89 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 180 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOD403 ( D403 ) оригінал (заміна для AP30P03D , AP40P03GH , 40P03G , AOD417 , AOD425 , UD3015 )(30V,70A) , D-PAK
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -70 А (TC 25 °C, обмеження за приміткою G); -55 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | -200 А |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs -10 В, Id -20 А); 6.2 мОм (Vgs -20 В, Id -20 А) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2890 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.5 … -3.5 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | -55 … 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDT86106LZ ( 86106LZ )(100V,3.2A) , sot223
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vds | 100 В (TC = 25 °C) |
| Струм Id | 3.2 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 108 мОм (Vgs = 10 В, Id = 3.2 А) |
| Rds(on) макс. (4.5 В) | 153 мОм (Vgs = 4.5 В, Id = 2.7 А) |
| Vgs(th) | 1.0 мін. / 1.5 тип. / 2.2 макс. В (Id = 250 мкА) |
| Pd | 2.2 Вт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 234 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор FTP08N06A оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Опір Rds(on) | 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AP86T02GH ( 86T02GH ) демонтаж , D-PAK
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (режим збагачення) |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp |
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 62 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 6 мОм (макс.; ID = 45 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10 мОм (макс.; ID = 30 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (тип.; VGS = 4,5 В, VDS = 20 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1830 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор AOD3N40 оригінал ( D3N40 , STD3NK40 , 3N40 ) , D-PAK
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 2.6 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Id (Tc 100 °C) | 1.6 А |
| Rds(on) макс. | 3.1 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Qg | 4.2 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 320 В, Id 2.6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 186 пФ |
| Vgs(th) | 4 В тип. (3.4–4.5 В) |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF33N25T , TO220F
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | N-канальний MOSFET, UniFET |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 250 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id | 33 А (Tc 25 °C) |
| Id (Tc 100 °C) | 20.4 А |
| Імпульсний струм Idm | 132 А |
| Rds(on) макс. | 0.094 Ом (Vgs 10 В, Id 16.5 А) |
| Qg | 36.8 нКл тип., 48 нКл макс. (Vds 200 В, Id 33 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgss | ±30 В |
Мікросхема TDA8943SF
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку |
| Напруга живлення | 6–18 В (типово 12 В), RL = 8 Ом |
| Вихідна потужність | 6 Вт (THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Вихідна потужність (THD 0,5 %) | 4 Вт (RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,03 % (Po = 1 Вт, VCC = 12 В, RL = 8 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ (31–33 дБ) |
| Струм спокою | 15 мА (VCC = 12 В, RL = ∞) |
| Піковий вихідний струм | 2 А (повторюваний) |
| Повна розсіювана потужність | 7 Вт (макс.) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема LNK623PG оригінал, DIP7
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | мережевий перемикач із первинною стабілізацією напруги (CV), без оптрона |
| Максимальна напруга Drain | 725 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 400 мА (абсолютний максимум; 600 мА при напрузі Drain нижче 400 В) |
| Частота перетворення | 100 кГц (93–106 кГц, TJ = 25 °C) |
| Вихідна потужність (адаптер) | 6,5 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 5,0 Вт) |
| Вихідна потужність (відкрита рама) | 9 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 6 Вт) |
| Споживання без навантаження | <200 мВт (230 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP7 (у документі PDIP-8C, суфікс P) |
| Виробник | Power Integrations |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PIC16F648A-I/SO , smd
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Тип | 8-бітний Flash-мікроконтролер |
| Пам'ять програм Flash | 4096 x 14 (4K слів) |
| ОЗП (SRAM) | 256 байт |
| EEPROM даних | 256 байт |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Лінії вводу-виводу | 16 шт |
| Струм у режимі очікування | 100 нА (типове, 2,0 В) |
| Корпус | SOIC (smd) |
Мікросхема XA9901 оригінал, so-8
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | X-Audio |
| Напруга живлення | 2,5–9 В |
| Вихідна потужність | 10 Вт (VDD = 8,4 В, 4 Ом, BTL, THD+N = 10 %, 1 кГц) |
| Добуток підсилення на смугу | 2,5 МГц |
| Частота перемикання | 342 кГц (клас D, VDD = 2,5–8,4 В) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Стан | Оригінал |