Польові транзистори
Транзистор Fair FQP17N40 ( 17N40 ) оригінал, TO220
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N-канал, збагачення (QFET) |
| Напруга Vdss | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C), 10.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 64 А |
| Rds(on) | 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 320 В, Id 17.2 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FCA22N60N ( 22N60N ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SupreMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C); 13,8 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS = 380 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1950 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FCPF400N80Z ( 400N80Z ) оригінал , TO220F
В наявності
137,24 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | N-канал, SUPERFET II |
| Напруга Vdss | 800 В (мін., VGS = 0 В, ID = 1 мА, TJ = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8,9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,4 Ом макс., 0,34 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл тип. (VDS = 640 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1770 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VGS = VDS, ID = 1,1 мА) |
| Потужність Pd | 35,7 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA16N50 ( 16N50 ) оригінал демонтаж (500V,16A) , TO-3P
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16,5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9,9 А |
| Опір Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDA59N30 ( 59N30 ) оригінал(300V,59A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 300 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 59 А (TC 25 °C), 35 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 236 А (імпульс, обмежений Tj max) |
| Rds(on) тип. | 0.047 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А) |
| Rds(on) макс. | 0.056 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл (тип.; Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id (25 °C) | 69 А |
| Струм Id (100 °C) | 44,2 А |
| Rds(on) | 0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 480 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDA70N20 ( 70N20 ) оригінал демонтаж(200V,70A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 200 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 70 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C) | 45 А |
| Імпульсний струм Idm | 280 А |
| Rds(on) | 35 мОм макс. (тип. 29 мОм) при Vgs = 10 В, Id = 35 А |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 417 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDB8447L оригінал (40V,50A,60W,0.0085R) , D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, PowerTrench |
| Напруга стік-витік Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (обмеження корпусом) | 50 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (обмеження кремнієм) | 66 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 4,5 В) | 11 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 60 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDD8447 ( FDD8447L ) (40V,50A,44W,0.01R) , D-Pak
В наявності
27,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id | 50 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (4,5 В) | 11,0 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0…3,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність (за назвою) | 44 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор FDP032N08B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал, PowerTrench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 211 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 149 А |
| Rds(on) типовий | 2,85 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) максимальний | 3,3 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Qg(tot) | 111 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±20 В |
| Pd | 263 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDP045N10A оригінал демонтаж(100V,164A,4.5mR) , TO220(Заміна для HY045N10P )
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id | 164 А при Tc 25 °C (корпус обмежує до 120 А; 116 А при Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3960 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 263 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220 (CASE 221A-09) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDP047AN08A0 ( FDP047AN08 , FDP047N08 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N (PowerTrench) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id | 80 А (безперервний, TC < 144 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 4 В макс. (мін. 2 В) |
| Qg | 92 нКл тип. (VDD = 40 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDP150N10 демонтаж, TO220
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Idm | 228 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 12 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 15 мОм |
| Заряд затвора Qg(tot) | 53 нК (макс. 69 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 3580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 110 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор FDP18N50 , TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,265 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 235 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
Транзистор FDP7030BL оригінал, TO220
В наявності
112,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 60 А (безперервний, TC = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 180 А |
| Rds(on) при VGS = 10 В | 9 мОм макс. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS = 4,5 В | 12 мОм макс. (ID = 25 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1760 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8860 оригінал, TO220
В наявності
99,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, VGS = 10 В) | 80 А (обмеження корпусу), 219 А (обмеження кремнію) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм тип., 2,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 80 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8880 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 30 В (Vgs = 0 В) |
| Струм Id безперервний | 54 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) макс. | 11,6 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) макс. при 4,5 В | 14,5 мОм (Vgs 4,5 В, Id 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,2–2,5 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Температура Tj і Tstg | від -55 до 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2,73 °C/Вт (TO-220) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8896 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 92 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 35 А) | 5,0 мОм (тип.), 5,9 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 35 А) | 6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,2–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.), 67 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2525 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 80 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF12N50NZ ( 12N50NZ ) оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (UniFET II) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11,5 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,46 Ом typ., 0,52 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF12N50UT ( 12N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Напруга Vds (TC = 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 6 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) | 0.8 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 21 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF18N50 оригінал ( заміна для FQPF18N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C), 10.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.220 Ом тип. / 0.265 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. / 60 нКл макс. (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 58 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF33N25T , TO220F
В наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | N-канальний MOSFET, UniFET |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 250 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id | 33 А (Tc 25 °C) |
| Id (Tc 100 °C) | 20.4 А |
| Імпульсний струм Idm | 132 А |
| Rds(on) макс. | 0.094 Ом (Vgs 10 В, Id 16.5 А) |
| Qg | 36.8 нКл тип., 48 нКл макс. (Vds 200 В, Id 33 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgss | ±30 В |
Демонтаж
Транзистор FDPF33N25T ( 33N25T ) оригінал демонтаж , TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TJ = 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 33 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 20,4 А |
| Опір Rds(on) | 94 мОм макс., VGS = 10 В, ID = 16,5 А (типово 77 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 36,8 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | до 5,0 В (макс.) |
| Потужність Pd | 37 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDPF51N25 ( 51N25 ) оригінал демонтаж , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 51 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм стоку | 204 А |
| Опір Rds(on) | 48 мОм (VGS=10 В, ID=25.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) макс. | 5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF5N50UT ( 5N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.65 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Опір Rds(on) максимальний | 2 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 11 нКл типовий (Vds 400 В, Id 4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | менше 50 нс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDS4935A (30V,7A,2W,0.035R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний P-канал |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (Ta 25 °C) | -7 А |
| Імпульсний струм Id | -30 А |
| Rds(on) тип. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 19 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 23 мОм |
| Rds(on) тип. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 28 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 35 мОм |
| Заряд затвора Qg | 15 нК (макс. 21 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 1233 пФ (f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | -1…-3 В |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FDS8958A , so-8
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Q1 N-канал + Q2 P-канал |
| Напруга Vdss Q1 | 30 В |
| Напруга Vdss Q2 | -30 В |
| Струм стоку Id Q1 | 7 А |
| Струм стоку Id Q2 | -5 А |
| Імпульсний струм Id (Q1 / Q2) | 20 / -20 А |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) | 19 / 28 мОм |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 4,5 В, Id 6 А) | 24 / 40 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -10 В, Id -5 А) | 42 / 52 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -4,5 В, Id -4 А) | 65 / 80 мОм |
| Заряд затвора Qg Q1 тип. / макс. | 11,4 / 16 нК |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FDS9435A ( APM9435A ) (30V,5.3A,0.05R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал, PowerTrench |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | -5.3 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | -50 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 50 мОм макс. (Vgs -10 В, Id -5.3 А, TA 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10 нКл тип., 14 нКл макс. (Vds -15 В, Id -4 А, Vgs -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 528 пФ (f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
Транзистор FDS9926A ( AP9926GM ) (20V,6.5A,2W)
В наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний MOSFET, N-канал, PowerTrench, 2.5 V specified |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | 20 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±10 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | 6.5 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | 20 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 30 мОм (Vgs 4.5 В, Id 6.5 А); 43 мОм (Vgs 2.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 6.2 нКл тип., 9 нКл макс. (Vds 10 В, Id 3 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FDT3N40 (400V,2A,3.4R) , sot223
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 4,5 нКл тип. (VDS = 320 В, ID = 2 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 173 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Транзистор FDT86106LZ ( 86106LZ )(100V,3.2A) , sot223
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vds | 100 В (TC = 25 °C) |
| Струм Id | 3.2 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 108 мОм (Vgs = 10 В, Id = 3.2 А) |
| Rds(on) макс. (4.5 В) | 153 мОм (Vgs = 4.5 В, Id = 2.7 А) |
| Vgs(th) | 1.0 мін. / 1.5 тип. / 2.2 макс. В (Id = 250 мкА) |
| Pd | 2.2 Вт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 234 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор FHA20N50 оригінал , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C), 12,9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,26 Ом макс. (типово 0,21 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA24N50 оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | FEIHONG |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А |
| Rds(on) | 0.170 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA26N50A ( FHA26N50 , 26N50A , 26N50 , A26N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
170,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,15 Ом типово, 0,24 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово, 120 нКл максимум (Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 26 А) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA28N50 ( 28N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
119,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 16.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.14 Ом тип., 0.18 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. (Vds 400 В, Id 28 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4085 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 479 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
