Біполярні транзистори
Транзистор BUT11AX , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 450 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1000 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 10 А |
| Потужність Ptot | 32 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 2,5 А, IB = 0,5 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (ефективна, f = 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SOT186A, повністю ізольований) |
Транзистор DTA124ES (22k-2шт)(p-n-p) , to92
В наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, цифровий (вбудовані резистори) |
| Напруга живлення VCC | -50 В (Ta 25 °C) |
| Вхідна напруга VIN | -40…+10 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм IO | -30 мА (Ta 25 °C) |
| Піковий струм IC(max) | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Резистор R1 | 22 кОм |
| R2/R1 | 1 |
| Підсилення | 56 мін. (VO = -5 В, IO = -5 мА) |
| VO(on) | -0.3 В макс. (IO/II = -10 мА / -0,5 мА) |
| fT | 250 МГц тип. (VCE = -10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор FMMT2222A ( MMBT2222 )(маркування 1P) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 40 В |
| Напруга VCBO | 75 В |
| Напруга VEBO | 6 В |
| Струм колектора IC | 600 мА |
| Потужність Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| VCE(sat) | 0.3 В макс. (IC = 150 мА, IB = 15 мА) |
| hFE | 100–300 (IC = 150 мА, VCE = 10 В) |
| fT | 300 МГц мін. (IC = 20 мА, VCE = 20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Транзистор FMMT2907A (PMBT2907A) (маркування 2F) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор-емітер VCEO | -60 В (IC = -10 мА) |
| Напруга колектор-база VCBO | -60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | -5 В |
| Струм колектора IC | -600 мА (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення VCE(sat) | -0.4 В макс. (IC = -150 мА, IB = -15 мА) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (IC = -150 мА, VCE = -10 В) |
| Гранична частота fT | 200 МГц мін. (IC = -50 мА, VCE = -20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор HD1750FX оригінал демонтаж ( Заміна для J6910 , FJAF6910 )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1700 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 24 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 36 А (tp < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Ptot | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 12 А, IB = 3 А, Tcase 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 6,5–9,5 (IC = 12 А, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 350 нс тип. |
| Час розсмоктування ts | 3,1 мкс тип. |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор J6920 ( J6920A , FJL6920 , FJL6920A ) , TO-264 оригінал демонтаж (Заміна 2SC5446 , 2SC5422 , 2SC5144 , 2SC5331 )
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5.5–8.5 (Vce 5 В, Ic 11 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс (Ic 11 А, Ib 2.75 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор KSP44 ( MPSA44 ) оригінал, to92
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–200 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.30 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | luJing |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор MD1802FX оригінал демонтаж
В наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–8,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MD1803DFX оригінал демонтаж ( ST1803DFX , ST1803DHI , SY1803 , MD2009DFX )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим діодом |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–7,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Vf діода | 1,6 В (макс., IF = 5 А) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MJ2955 , TO-3
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга Vcer | 70 В (RBE = 100 Ом) |
| Напруга Vceo | 60 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 115 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | 200 °C |
| Vce(sat) | 1 В (макс., IC = 4 А, IB = 400 мА) |
| hFE | 20–70 (IC = 4 А, VCE = 4 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-3 |
Транзистор MJE13001 , to92
В наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 600 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 200 мА |
| Потужність розсіювання Pc (корпус TO-92) | 750 мВт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 1,2 В |
| Гранична частота fT, мін. (Ic 20 мА, Vce 20 В, f 1 МГц) | 8 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13002 , to92
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) | 480 В |
| Напруга Vcbo (Ic 100 мкА, Ie 0, Ta 25 °C) | 700 В |
| Напруга Vebo (Ie 100 мкА, Ic 0) | 9 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE (Vce 2 В, Ic 0,5 А) | 8–40 |
| Vce(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 1,0 В |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13003 , TO-126
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА) |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 3 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 0.5 А, Vce 2 В); 5–25 (Ic 1 А, Vce 2 В) |
| Ємність Cob | 21 пФ (тип.) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 3.12 °C/Вт |
Транзистор MJE13005 ( E13005-1 , ST13005A , PHE13005 , E13005-2 ) оригінал, TO220
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcev | 700 В (Vbe(off) 1.5 В) |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 4 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 8 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C); 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–60 (Ic 1 А, Vce 5 В); 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Ємність Cob | 65 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.67 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13005D ( E13005D , 13005D , MJE13005 , E13005 ) оригінал, TO220F
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 5 А постійний, 10 А імпульсний |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 18–35 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,2 А) |
| fT | 4 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,5 А) |
| Vf діода | 1,6 В макс. (If 2 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13007 оригінал ( E13007A , E13007-1 , J13007-1 , J13007-2 , ST13007A , E13007-2 , D13007 ), TO220
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vces | 700 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В); 5–30 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | мін. 4 МГц, тип. 14 МГц (Ic 500 мА, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Ємність Cob | 80 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.56 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
48,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009L ( E13009L ) оригінал, TO247
В наявності
80,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 700 В |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic постійний | 12 А |
| Струм колектора Ic імпульсний | 24 А |
| Потужність розсіювання Pc | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 8–40 (Ic = 5 А, Vce = 5 В); 6–30 (Ic = 8 А, Vce = 5 В) |
| Vce(sat) (макс.) | 1 В (Ic = 5 А, Ib = 1 А); 1,5 В (Ic = 8 А, Ib = 1,6 А) |
| Час спаду tf (макс.) | 0,7 мкс |
| Гранична частота fT (мін.) | 4 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE2955T , TO220
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| hFE (Ic=4А, Vce=4В) | 20–100 |
| hFE (Ic=10А, Vce=4В) | не менше 5.0 |
| Vce(sat) (Ic=4А, Ib=0.4А) | 1.1 В |
| Vce(sat) (Ic=10А, Ib=3.3А) | 8.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (TC=25°C, дерейтинг 0.6 Вт/°C) |
| Гранична частота fT | не менше 2.0 МГц (Ic=500мА, Vce=10В, f=500кГц) |
| Робочий діапазон температури переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор MJE3055T , TO220
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор-база VCBO | 70 В |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | 5 В |
| Струм колектора IC | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм бази IB | 6 А |
| Потужність розсіювання PC | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| hFE (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 20–100 |
| hFE мін. (VCE = 4 В, IC = 10 А) | 5 |
| VCE(sat) макс. (IC = 4 А, IB = 0.4 А) | 1.1 В |
| VBE(on) макс. (VCE = 4 В, IC = 4 А) | 1.8 В |
| fT мін. (VCE = 10 В, IC = 500 мА) | 2 МГц |
| Температура переходу TJ / зберігання | 150 / -55…150 °C |
Транзистор MJE340 (KSE340)
В наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225 (CASE 77-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO | 300 В |
| VCEO(sus) мін. (IC = 1 мА, IB = 0) | 300 В |
| Напруга емітер-база VEB | 3 В |
| Струм колектора IC | 500 мА |
| Потужність розсіювання PD | 20 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 6.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 50 мА, VCE = 10 В) | 30–240 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
Транзистор MJF18004 , TO220F
В наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Напруга Vceo(sus) (Ic 100 мА, L 25 мГн) | 450 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Імпульсний струм Icm (5 мс, шпаруватість ≤10 %) | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd (Tc 25 °C) | 35 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| hFE, мін. (Ic 1 А, Vce 2,5 В) | 12 |
| Гранична частота fT, тип. (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) | 13 МГц |
| Напруга ізоляції Viso (тест №1, 1 с) | 4500 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор MMBT3906 , sot23
В наявності
1,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -200 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -350 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Vce(sat) макс. | -0,25 / -0,40 В (Ic/Ib -10/-1 мА; -50/-5 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4401 , sot23
В наявності
6,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.0 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = 150 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) макс | 0.4 В (Ic = 150 мА, Ib = 15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 250 МГц (Vce = 10 В, Ic = 20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBT4403 , sot23
В наявності
6,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 310 мВт (TA 25 °C, мінімальний майданчик 1 oz Cu на FR4); 350 мВт на майданчику 15×15 мм |
| hFE | 100–300 (Ic = -150 мА, Vce = -2 В) |
| Vce(sat) макс | -0.40 В (Ic = -150 мА, Ib = -15 мА) |
| Гранична частота fT (мін) | 200 МГц (Vce = -10 В, Ic = -20 мА, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MMBTA44 (маркування 3D ) , sot23
В наявності
17,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 450 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| hFE | 50–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Потужність Pd | 350 мВт (Ta 25 °C, алюмінієва підкладка 10×8×0,6 мм) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 20 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 10 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MPSA42 , to92
В наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ic = 1 мА, Ib = 0, мін) |
| Напруга Vcbo | 300 В |
| Напруга Vebo | 6.0 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА |
| Потужність Pd | 625 мВт (TA 25 °C, спад 5.0 мВт/°C вище 25 °C); 1.5 Вт при TC 25 °C |
| Гранична частота fT (мін) | 50 МГц (Ic = 10 мА, Vce = 20 В, f = 100 МГц) |
| Температури Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор ON MJE15032G+MJE15033G оригінали, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | MJE15032 – NPN, MJE15033 – PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo | 250 В |
| Напруга Vcb | 250 В |
| Напруга Veb | 5,0 В |
| Струм Ic (постійний) | 8,0 А |
| Струм Ic (імпульсний) | 16 А |
| Струм бази Ib | 2,0 А |
| Потужність Pd | 50 Вт при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 0,5 В (макс.) при Ic 1,0 А, Ib 0,1 А |
| hFE | 70 (мін.) при Ic 0,5 А, Vce 5,0 В |
| Гранична частота fT | 30 МГц (мін.) при Ic 500 мА, Vce 10 В |
| Температура Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ON NJW0281G+NJW0302G оригінали, TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NJW0281G – NPN, NJW0302G – PNP (комплементарна пара) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 250 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic постійний | 15 А |
| Струм колектора імпульсний | 30 А (імпульс 5 мс, шпаруватість <10 %) |
| Струм бази Ib | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | від -65 до +150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 75–150 (Vce = 5 В; Ic = 0,5 А, 1 А і 3 А) |
| Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 0,5 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц мін. (Ic = 1 А, Vce = 5 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SA1673 + 2SC4388 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SA1673 | PNP |
| Корпус | TO-3PF |
| Напруга Vceo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vcbo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vebo (2SA1673) | -6 В |
| Струм Ic (2SA1673) | -15 А |
| Потужність Pc (2SA1673) | 85 Вт при Tc = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (2SA1673) | від 50 при Vce = -4 В, Ic = -3 А |
| Гранична частота fT (2SA1673) | 20 МГц, тип., при Vce = -12 В, Ie = 0,5 А |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SD2562+2SB1649 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SD2562 | NPN Дарлінгтон |
| Комплемент | 2SB1649 (PNP) |
| Напруга Vcbo | 150 В |
| Напруга Vceo | 150 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Потужність Pc | 85 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 5000 мін. (Vce = 4 В, Ic = 10 А) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic = 10 А, Ib = 10 мА) |
| fT | 70 МГц тип. (Vce = 12 В, Ie = 2 А) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SS8050C (2SC8050) , sot23
В наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 40 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pc | 300 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (VCE = 1 В, IC = 100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC = 800 мА, IB = 80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. |
Транзистор SS8550C (2SC8550) , sot23
В наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | –25 В (Ic –2 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | –40 В (Ic –100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | –6 В (Ie –100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | –1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.3 Вт (Ta 25 °C, SOT-23) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (Vce –1 В, Ic –100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | –0.5 В макс. (Ic –800 мА, Ib –80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce –10 В, Ic –50 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | Galaxy Microelectronics |