Магазин
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
48,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13007 оригінал ( E13007A , E13007-1 , J13007-1 , J13007-2 , ST13007A , E13007-2 , D13007 ), TO220
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vces | 700 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В); 5–30 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | мін. 4 МГц, тип. 14 МГц (Ic 500 мА, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Ємність Cob | 80 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.56 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13005 ( E13005-1 , ST13005A , PHE13005 , E13005-2 ) оригінал, TO220
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcev | 700 В (Vbe(off) 1.5 В) |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 4 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 8 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C); 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–60 (Ic 1 А, Vce 5 В); 8–40 (Ic 2 А, Vce 5 В) |
| Ємність Cob | 65 пФ (тип.; Vcb 10 В, Ie 0, f 0.1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.67 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13003 , TO-126
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vceo(sus) | 400 В (Ic 10 мА) |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 3 А (імпульс 5 мс, скважність ≤10 %) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 8–40 (Ic 0.5 А, Vce 2 В); 5–25 (Ic 1 А, Vce 2 В) |
| Ємність Cob | 21 пФ (тип.) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 3.12 °C/Вт |
Транзистор MJE13002 , to92
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) | 480 В |
| Напруга Vcbo (Ic 100 мкА, Ie 0, Ta 25 °C) | 700 В |
| Напруга Vebo (Ie 100 мкА, Ic 0) | 9 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE (Vce 2 В, Ic 0,5 А) | 8–40 |
| Vce(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 0,5 А, Ib 0,1 А) | 1,0 В |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJE13001 , to92
В наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 600 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 200 мА |
| Потужність розсіювання Pc (корпус TO-92) | 750 мВт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 0,5 В |
| Vbe(sat), макс. (Ic 50 мА, Ib 10 мА) | 1,2 В |
| Гранична частота fT, мін. (Ic 20 мА, Vce 20 В, f 1 МГц) | 8 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MJ2955 , TO-3
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга Vcer | 70 В (RBE = 100 Ом) |
| Напруга Vceo | 60 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 115 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | 200 °C |
| Vce(sat) | 1 В (макс., IC = 4 А, IB = 400 мА) |
| hFE | 20–70 (IC = 4 А, VCE = 4 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-3 |
Демонтаж
Транзистор MD1803DFX оригінал демонтаж ( ST1803DFX , ST1803DHI , SY1803 , MD2009DFX )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим діодом |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–7,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Vf діода | 1,6 В (макс., IF = 5 А) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MD1802FX оригінал демонтаж
В наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–8,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FSW25N50A оригінал, TO-3P
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом тип., 0,26 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Захист ESD (HBM) | 6000 В |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HD1750FX оригінал демонтаж ( Заміна для J6910 , FJAF6910 )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1700 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 24 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 36 А (tp < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Ptot | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 12 А, IB = 3 А, Tcase 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 6,5–9,5 (IC = 12 А, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 350 нс тип. |
| Час розсмоктування ts | 3,1 мкс тип. |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FMMT2907A (PMBT2907A) (маркування 2F) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор-емітер VCEO | -60 В (IC = -10 мА) |
| Напруга колектор-база VCBO | -60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | -5 В |
| Струм колектора IC | -600 мА (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення VCE(sat) | -0.4 В макс. (IC = -150 мА, IB = -15 мА) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (IC = -150 мА, VCE = -10 В) |
| Гранична частота fT | 200 МГц мін. (IC = -50 мА, VCE = -20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Транзистор FMMT2222A ( MMBT2222 )(маркування 1P) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 40 В |
| Напруга VCBO | 75 В |
| Напруга VEBO | 6 В |
| Струм колектора IC | 600 мА |
| Потужність Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| VCE(sat) | 0.3 В макс. (IC = 150 мА, IB = 15 мА) |
| hFE | 100–300 (IC = 150 мА, VCE = 10 В) |
| fT | 300 МГц мін. (IC = 20 мА, VCE = 20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Транзистор DTA124ES (22k-2шт)(p-n-p) , to92
В наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, цифровий (вбудовані резистори) |
| Напруга живлення VCC | -50 В (Ta 25 °C) |
| Вхідна напруга VIN | -40…+10 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм IO | -30 мА (Ta 25 °C) |
| Піковий струм IC(max) | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Резистор R1 | 22 кОм |
| R2/R1 | 1 |
| Підсилення | 56 мін. (VO = -5 В, IO = -5 мА) |
| VO(on) | -0.3 В макс. (IO/II = -10 мА / -0,5 мА) |
| fT | 250 МГц тип. (VCE = -10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор FTP23N10A оригінал, TO220
В наявності
125,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 23 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 28 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4563 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUH1015HI оригінал (1500V,14A,70W) ( BUH515 )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 700 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 10 В |
| Струм колектора Ic | 14 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 18 А при tp < 5 мс |
| Потужність розсіювання Ptot | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.8 °C/Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В при Ic 10 А, Ib 2 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 7–14 при Ic 10 А, Vce 5 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU4525AX оригінал
В наявності
150,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм Ic (DC) | 12 А |
| Струм Icm (імпульс) | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 3.0 В (Ic = 9,0 А; Ib = 2,25 А макс.) |
| hFE | 5.8 (4,2–7,6) при Ic = 9,0 А; Vce = 5 В |
| Visol | 2500 В (макс.) |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS100N03 ( CS100N03B4 , 100N03 ) оригінал (заміна для FM3080SA , 3080SA , SE3080K , HY3403D , HY3403 , AP85T03GH , P0603BDG , P0403BDG ), D-PAK(30V,100A)
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 75 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4,0 мОм (тип.), 5,3 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Qg | 68 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU406 , TO220 ( MX362-0 )
В наявності
15,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo (sus) | 200 В (Ic = 100 мА; Ib = 0) |
| Vcev | 400 В |
| Vcbo | 400 В |
| Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 7 А |
| Струм колектора піковий | 15 А (10 мс) |
| Струм бази Ib | 4 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| Vbe(sat) | 1.2 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| fT | 10 МГц мін. (Ic = 0.5 А; Vce = 10 В; f = 20 МГц) |
| Cob | 80 пФ тип. (Vcb = 10 В; f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (Case 221A) |
| Tj (перехід) і Tstg (зберігання) | -65…150 °C |
Демонтаж
Транзистор BU2720DX оригінал демонтаж (заміна для 2SD5036 , 3DD5036 )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1700 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 825 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 10 А |
| Струм колектора піковий Icm | 25 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (Ic = 5.5 А; Ib = 1.38 А) |
| Час розсмоктування ts | 7.4 мкс тип. / 8.5 мкс макс. (Icsat = 5.5 А; f = 16 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| ESD (HBM, 250 пФ, 1.5 кОм) | 10 кВ |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU2527DX оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 12 А |
| Струм колектора піковий Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic = 8.0 А; Ib = 1.6 А) |
| Час розсмоктування ts | 1.7 мкс тип. / 2.0 мкс макс. (Icsat = 6.0 А; f = 64 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор BU1508AX (1500V,8A,35W)
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (база розімкнена) |
| Струм Ic | 8 А (DC), імпульсний 15 А |
| hFE | 4.0–7.0, тип. 5.5 (IC 4,5 А, VCE 1 В, Ths 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,1 А) |
| Час спаду tf | 0.4 мкс тип., 0.6 мкс макс. |
| Потужність Ptot | 35 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS (f 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор BSR52 (SR52) 80V,1A,0.83W , to92
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vces | 80 В (VBE = 0) |
| Напруга Vcbo | 90 В (емітер розімкнений) |
| Струм Ic | 1 А (DC), імпульсний 2 А |
| hFE | 1000 мін. (VCE 10 В, IC 150 мА); 2000 мін. (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Vce(sat) | 1.3 В макс. (IC 0,5 А, IB 0,5 мА) |
| Потужність Ptot | 0.83 Вт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| Частота fT | 200 МГц тип. (IC 500 мА, VCE 5 В, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор S60N12R оригінал, TO220(60V,120A)
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=40 А) | 4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В |
| Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 162 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BF421 , to92
В наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | -300 В |
| Напруга Vcbo | -300 В |
| Струм Ic | -50 мА (DC), імпульсний -100 мА |
| hFE | 50–300 (VCE -20 В, IC -25 мА, Ta 25 °C) |
| Vce(sat) | -0.6 В макс. (IC -30 мА, IB -5 мА, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Частота fT | 60 МГц мін. (VCE -10 В, IC -10 мА, Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BDX53C
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний), 12 А (імпульсний) |
| Потужність Ptot | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 750 (Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Vce(sat) | не більше 2 В (Ic 3 А, Ib 12 мА) |
| Vf діода | 1.8 В тип. (If 3 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BD912 оригінал (p-n-p,100V,15A,90W) , TO220
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Потужність Ptot | 90 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | від 40 (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| fT | від 3 МГц (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | не більше 1 В (Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BD437
В наявності
19,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 45 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 0.6 В (Ic = 2 А; Ib = 0,2 А; Tcase 25 °C) |
| fT мін. | 3 МГц (Ic = 250 мА; Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |