Магазин
Мікросхема UCC27324 ( UCC27324DR , 27324 ) оригінал, so-8
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 2 |
| Пік вихідного струму | 4 А (VDD = 14 В) |
| Напруга живлення VDD | 4,5–15 В |
| Абсолютний максимум VDD | 16 В |
| Час наростання (CLOAD = 1,8 нФ) | 20 нс (тип.), 40 нс (макс.) |
| Час спаду (CLOAD = 1,8 нФ) | 15 нс (тип.), 40 нс (макс.) |
| Затримка розповсюдження | 35 / 25 нс |
| Опір виходу у високому стані (IOUT = 10 мА) | 0,6 Ом (тип.), 1,5 Ом (макс.) |
| Робоча температура переходу | -40…125 °C |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Кількість виводів | 8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP266EG оригінал, eSIP-7C
В наявності
120,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Пробивна напруга BVDSS | 725 В (мін., TJ = 25 °C) |
| Пікова напруга на виводі DRAIN | -0,3…725 В |
| Піковий струм виводу DRAIN | 4,08 А |
| RDS(on), TJ = 25 °C, ID = 300 мА | 2,8 Ом (тип.), 3,2 Ом (макс.) |
| RDS(on), TJ = 100 °C, ID = 300 мА | 4,1 Ом (тип.), 4,75 Ом (макс.) |
| Частота перемикання | 132 або 66 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 105 °C/Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт |
| Корпус | eSIP-7C (E package) |
| Кількість виводів | 7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LC1206A , DIP7
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Виробник | Lii Semiconductor |
| Пробивна напруга HV | 800 В (тип.; мін. 750 В) |
| Піковий струм ключа (рекомендований) | 300 мА |
| Піковий струм ключа (абс. макс.) | 1000 мА |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 18 В |
| Вихідна потужність | 6 Вт (піково 8 Вт) |
| Споживання в режимі очікування | до 0,10 Вт |
Мікросхема IR2101S оригінал, so-8
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Infineon |
| Напруга зміщення VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Вихідний струм IO- | 270 мА (мін.) |
| Затримка вмикання ton | 160 нс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5356-LED-BZ , QFN-40 світлодіодна індикація
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | SoC для портативного живлення (USB, PD) |
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-40 |
| Вихідна потужність (бустер) | 22,5 Вт |
| Потужність заряду | 18 Вт (струм заряду до 5,0 А) |
| Вихідний струм при 5 В | 3,1 А (VBAT = 3,7 В; fs = 350 кГц) |
| Вихідний струм при 9 В | 2,0 А (VBAT = 3,7 В) |
| Вихідний струм при 12 В | 1,5 А (VBAT = 3,7 В) |
| Вхідна напруга VIN/VBUS | 4,5…14 В |
| Напруга завершення заряду батареї | 4,20 / 4,30 / 4,35 / 4,40 В |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Захист ESD (HBM) | 4 кВ |
| Варіант індикації | LED (світлодіодна індикація, BZ) |
Мікросхема HT1621B , ssop48
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер LCD з пам’яттю 32×4 біти (128 сегментів) |
| Виробник | Holtek |
| Корпус | SSOP-48 |
| Інтерфейс | 3-провідний послідовний |
| Напруга живлення VDD | 2,4…5,2 В |
| Струм споживання (RC-генератор) | 200 мкА (типове; VDD = 5 В; без навантаження, LCD увімкнено) |
| Струм у режимі Power down | 5 мкА (максимум; VDD = 3 В) |
| Частота RC-генератора | 256 кГц (типова; VDD = 3 В) |
| Зміщення LCD | 1/2 або 1/3 |
| Частота звукового виходу | 2 / 4 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Демонтаж
Мікросхема FAN4800A ( FAN4800 ) оригінал демонтаж, DIP16
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC і ШІМ |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення VDD, максимум | 30 В |
| Поріг увімкнення VDD | 11 В (типове; RT = 6,8 кОм, CT = 1000 пФ) |
| Частота ШІМ і PFC | 64 кГц (RT = 6,8 кОм, CT = 1000 пФ) |
| Макс. коефіцієнт заповнення ШІМ | 49,9 % |
| Робочий струм споживання | 2,6 мА (типове; VDD = 15 В, TA 25 °C) |
| Піковий струм виходів | 0,5 А (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема CSC3120 , sop-16
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер з драйвером MOSFET |
| Виробник | E-youda |
| Корпус | SO-16 |
| Макс. частота перемикання | 800 кГц |
| Вихідний струм драйвера | 1,0 А / 1,5 А (джерело / стік) |
| Живлення драйвера VB–VS | VS+10…VS+18 В (VCC = 12 В, TA 25 °C) |
| Напруга на VS | -5…+200 В |
| IQBS | макс. 1 мА (VCC = VBS = 12 В, VAA = 10 В, TA 25 °C) |
| IQCC | макс. 3 мА (VDT = VCC) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
Мікросхема CSC2323F оригінал ( заміна для PT2323-S , PT2323S , BT2323M ) , SOP-28
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 6-канальний аудіоселектор |
| Інтерфейс | I2C |
| Корпус | SOP-28 |
| Напруга живлення | 9 В (тип.), мінімум 4,5 В |
| Макс. вхідна напруга | 3,75 В ефективне (1 кГц, THD менше 1 %, RL = 50 кОм) |
| THD | 0,005 % тип. (1 кГц, вхід 0,2 В ефективне, Vcc = 9 В) |
| Сигнал/шум | 100 дБ (Vcc = 9 В) |
| Розділення каналів | 95 дБ (Vin = 1 В ефективне, 1 кГц) |
| Перехресні завади | 80 дБ (Vin = 1 В ефективне, 1 кГц) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS6142D ( 6142D ) , TO252-5
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний розумний ключ верхнього плеча (PROFET) |
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,5–24 В |
| Макс. напруга Vbb | 38 В (Tj 25 °C) |
| Напруга захисту VON(CL) | 39 В |
| RDS(ON) | 12 мОм тип. / 17 мОм макс. (Vbb = 5,5 В, Tj 25 °C) |
| Струм IL(nom) | 7 А мін. (Ta = 85 °C) |
| Обмеження струму IL6(SC) | 50 А |
| Струм спокою Ibb(off) | 6 мкА |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | TO252-5L |
Мікросхема ACST4108 ( ACST410-8B ) оригінал, DPAK
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | ACST4108 |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки SS36 smd (3A,60V)
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 60 В |
| Діюча напруга Vrms | 42 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (при TL за Fig. 1) |
| Імпульсний струм Ifsm | 100 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.75 В (If 3,0 А, імпульс 300 мкс, шпаруватість 1 %) |
| Енергія лавини Eas | 20 мДж (Ias 2,0 А, L 10 мГн) |
| Тепловий опір Rθja | 55 °C/Вт (плата з мідними площадками 14 x 14 мм) |
| Тепловий опір Rθjl | 17 °C/Вт (плата з мідними площадками 14 x 14 мм) |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Маркування | S6 |
| Монтаж | smd |
Діод Шоттки SBR20A300CTB ( 20A300CTB ) оригінал (20A,300V), D2PAK
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В (на кожен діод, Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм на діод Io | 10 А (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм, обидва діоди Io | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 180 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на кожен діод) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.92 В (If 10 А, Tj 25 °C); 0.78 В (If 10 А, Tj 125 °C); 1.06 В (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 0.1 мА (Vr 300 В, Tj 25 °C); 10 мА (Vr 300 В, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr (тип.) | 45 нс (If 0,5 А, Ir 1 А, Irr 0,25 А) |
| Тепловий опір Rθjc | 2 °C/Вт (на кожен діод) |
| Діапазон температур Tj, Tstg | -65…+175 °C |
| Конфігурація | два діоди, спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
MBRF60100CT оригінал діод Шоттки (60A,100V), TO220F-3pin
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм, весь прилад If(av) | 60 А |
| Середній прямий струм на діод If(av) | 30 А |
| Імпульсний струм Ifsm | 350 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на діод) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.0 В (If 60 А на діод); 0.82 В (If 30 А на діод) |
| Конфігурація | два діоди, спільний катод |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR60100CT оригінал (60A,100V) , TO220-3pin
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шотткі, здвоєний зі спільним катодом |
| Виробник (за datasheet) | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | TO-220 |
| Vrrm | 100 В |
| IF(AV) | 60 А сумарно на прилад (30 А на діод) |
| IFSM | 350 А на діод (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf | 0,64 В (типове значення, IF = 30 А, Tj = 125 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Rth(j-c) типовий | 0,5 °C/Вт на діод |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR30150PTS оригінал ( заміна для MBR30150PT )(30A,150V) , TO247-3pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шотткі, здвоєний зі спільним катодом |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 150 В |
| IF(AV) | 30 А (Tc = 125 °C) |
| IFSM | 275 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf (макс.) | 0,87 В (IFM = 15 А, Tj = 25 °C) |
| Vf (макс., 125 °C) | 0,80 В (IFM = 15 А, Tj = 125 °C) |
| Ir | 0,01 мА (номінальна Vr, Tj = 25 °C); 1,5 мА (номінальна Vr, Tj = 125 °C) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Rth(j-c) типовий | 0,5 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст HD35SB120 ( D35SB120 ) оригінал
В наявності
400,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1200 В |
| Середній випрямлений струм If(av) | 35 А |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR6030DCS оригінал (300V,60A) , TO3P-3pin
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Тип | ультрашвидкий діод, здвоєний |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Прямий струм IF(AV) | 30 А на один діод, 60 А обидва (Tc 135 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 350 А (на один діод, tp 8.3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1.01 В тип., 1.15 В макс. (IF 30 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 33 нс тип., 45 нс макс. (VR 30 В, IF 1 А, dI/dt -50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1520 ( MUR1520G , U1520 , U1520G ) оригінал (200V,15A), TO220-2pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ультрашвидкий діод |
| Зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 15 А при номінальній VR, TC = 150 °C |
| Ударний струм IFSM | 200 А (одна півхвиля, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf | 0.85 В при IF = 15 А, TC = 150 °C; 1.05 В при IF = 15 А, TC = 25 °C (максимум) |
| Час відновлення trr | 35 нс при IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс (максимум) |
| Температура переходу Tj | 175 °C (максимум) |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод HFA30PA60C оригінал демонтаж, TO247-3pin
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | ультрашвидкий діод, здвоєний (center tap) |
| Зворотна напруга VR | 600 В (на гілку) |
| Прямий струм IF(AV) | 15 А (на гілку, TC 100 °C) |
| Пряма напруга Vf | 1.3 В тип., 1.7 В макс. (IF 15 А, Tj 25 °C, на гілку) |
| Час відновлення trr | 42 нс тип., 60 нс макс. (IF 15 А, VR 200 В, dIF/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор P18N50SE ( WGP18N50SE ) оригінал ( заміна для P18N50C , SIHP18N50C , HFP18N50U , FQP18N50V2 , PV2 18N50 ) , TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wild Goose |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.9 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 65 нКл макс. (Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 18 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 38.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF19N60T оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner (Shenzhen Invsemi) |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 19 А (умови не вказані) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 19 А, TC 25 °C) |
| Vce(sat) при 125 °C | 2.05 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (Ic 0.25 мА) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.6 В (If 19 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 07N60C3 ( SPA07N60C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 7.3 А (Tc 25 °C, версія SPA) |
| Струм Id (100 °C) | 4.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.54 Ом тип., макс. 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4.6 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 21 нКл тип., макс. 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 7.3 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF20N65S оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maplesemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 32.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SFP4024T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HI-SEMICON |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.8 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF13N50 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0 В мін., 3.0 В тип., 4.0 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2315 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MMBTA44 (маркування 3D ) , sot23
В наявності
17,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 450 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| hFE | 50–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Потужність Pd | 350 мВт (Ta 25 °C, алюмінієва підкладка 10×8×0,6 мм) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 20 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 10 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор KNP2404A оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 190 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом; обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2.2 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2 В мін., 4 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (Vds 40 В, Vgs 10 В, Id 32 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6010 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 123 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG016N04LS1W ( HYG016N04 , G016N04 , HYG016N04W ) оригінал, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 290 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 205 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 1.2 мОм тип., 1.5 мОм макс. (Id 40 А) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 1.6 мОм тип., 2.0 мОм макс. (Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1 В мін., 1.8 В тип., 3 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5538 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP039N12S ( HGP039N12S ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hunteck |
| Напруга Vds | 120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, корпусом 180 А); 139 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.2 мОм макс. TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL21N50 ( 21N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 21 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13,1 А) | 0,19 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 34,5 Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL21N50 ( 21N50 ) оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 21 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13,1 А) | 0,19 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL150N04 ( 150N04 ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP130N10 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 130 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А) | 7,5 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N50 оригінал (заміна для HF20N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.34 Ом макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 71 нКл (VDD 400 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2250 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 98 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd макс. 1.4 В (IS 18 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench 4-го покоління, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм IC (25 °C) | 150 А |
| Струм IC (100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм ICM | 300 А |
| Vce(sat) | 1.6 В тип., 2.1 В макс. (IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 128 нКл (VCE = 400 В, IC = 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGA60N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм IC (25 °C) | 120 А |
| Струм IC (100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм ICM | 180 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.5 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 600 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3504 ( K3504 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 500 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.46 Ом макс. (ID 7 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (ID 250 мкА, VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип., 50 нКл макс. (VCC 250 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Потужність Pd | 225 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd 1.0 В тип., 1.5 В макс., trr 0.65 мкс (IF 14 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |