Магазин
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсічки затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс (Ic 35 А, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Rl 8,5 Ом, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP63K2 , D2PAK
Немає в наявності
37,13 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсікання затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс тип. (Ic 35 А, Rl 8,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK
Немає в наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 360 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ, макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 2,5–5 В (VCE = 10 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (typ; VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Час спаду tf | 150 нс (typ) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Renesas Electronics |
IGBT-транзистор IRG7IC28U (600V,225A) оригінал , TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 25 А (TC = 25 °C, VGE = 15 В) |
| Струм Ic при 100 °C | 12 А (TC = 100 °C, VGE = 15 В) |
| Піковий струм Irp | 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,70 В (typ, макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2–4,7 В (VCE = VGE, ICE = 250 мкА) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (typ; VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak (TO-220F) |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD оригінал , TO-247
Немає в наявності
145,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | так (HEXFRED, ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30F оригінал (600V,31A,100W) , TO-247
Немає в наявності
163,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) , TO-247
Немає в наявності
83,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA) |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (типово, IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (IC = 0.7 mA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP70N33 оригінал демонтаж б/в (заміна для FGPF70N33 ) , TO220F
Немає в наявності
216,20 ₴
IGBT-транзистор GP07N120 ( SGP07N120 ) (1200V,16.5A,125W) , TO220
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 16.5 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 7.9 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.1 В (типово, IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3–5 В (IC = 350 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Стійкість до КЗ | 10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
IGBT-транзистор FGPF4633 оригінал , TO220F (Заміна для FGT313 , GT30F126 , 30F126 )
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Імпульсний струм колектора Ic | 300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01) |
| Напруга насичення Vce(sat) (20 А) | 1.1 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) (70 А) | 1.55 В (типово, IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.4–4.0 В (IC = 250 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (типово, VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 30.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | 30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSPF10N80 ( PF10N80 )(10A,800V)(заміна для FQPF10N70 , FQPF10N80 , HM10N80F , FIR10N80F ), TO220F
Немає в наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 10 А |
| Rds(on) | 0.68 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 5 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 45 нКл (тип., макс. 58) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 10 А |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.4 В при Is 10 А, Vgs 0 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 8 А |
| Опір Rds(on) | 285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В) |
| Потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SP8K4 , so-8
Немає в наявності
45,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, два транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А) |
| Потужність Pd | 2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8
Немає в наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 55 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 41 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
Транзистор J201 , TO92
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | JFET N-канал |
| Напруга пробою затвор–джерело V(BR)GSS | –40 В (мін.; IG –1 мА, VDS 0 В, TA 25 °C) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | –0.3…–1.5 В (VDS 15 В, ID 10 нА, TA 25 °C) |
| Струм насичення стоку Idss | 0.2–1 мА (VDS 15 В, VGS 0 В, TA 25 °C) |
| Крутизна gfs | 0.5 мСм (мін.; VDS 15 В, VGS 0 В, f 1 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 350 мВт (TA 25 °C; спад 2,8 мВт/°C вище 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. струм затвора | 50 мА |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор IRLR024N , D-PAK
Немає в наявності
24,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 0,065 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRLML2502 , sot23
Немає в наявності
10,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vds | 20 В (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4,2 А (TA = 25 °C, постійний) |
| Опір Rds(on) | 45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 4,2 А, TA = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,6–1,2 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 5 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 1,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRFS640B ( заміна для IRFS640A , IRFS630A , IRF630MFP ) , TO220F
Немає в наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11,4 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,18 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS = 160 В, ID = 18 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 43 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRFR9220 , D-PAK (200V;3.6A;42W;1.5 Ohm)
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –200 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | –3.6 А (TC 25 °C, Vgs –10 В) |
| Струм Id (100 °C) | –2.3 А (TC 100 °C, Vgs –10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.5 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –2.2 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл макс. (Vgs –10 В, Id –3.9 А, Vds –160 В) |
| Потужність Pd | 42 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип каналу | P |
| Вбудований діод | є (trr тип. 150 нс, макс. 300 нс) |
Транзистор IRFR9024N , D-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)
Немає в наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | –11 А (TC 25 °C, Vgs –10 В) |
| Струм Id (100 °C) | –8 А (TC 100 °C, Vgs –10 В) |
| Опір Rds(on) | 0.175 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –6.6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл макс. (Id –7.2 А, Vds –44 В, Vgs –10 В) |
| Потужність Pd | 38 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип каналу | P |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. –1.6 В при Is –7.2 А) |
Демонтаж
Транзистор IRFR024N ( IRFR024 ) (55V,17A,45W,0.075R) D-PAK демонтаж
Немає в наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 17 А (TC 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 12 А (TC 100 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) | 0.075 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл макс. (Id 10 А, Vds 44 В, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип каналу | N |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор IRFL210 (200V;0.96A;3.1W;1,5 Ohm) , SOT-223
Немає в наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 0.96 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 0.6 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 0.58 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В (макс.) |
| Qg | 8.2 нКл (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3.3 А, VDS = 160 В |
| Потужність Pd | 3.1 Вт (TC 25 °C; 2.0 Вт при монтажі на плату, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | Vishay |
Транзистор IRFL024N , sot223
Немає в наявності
21,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (HEXFET) |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 4.0 А (TA 25 °C, VGS 10 В, плата 1 кв. дюйм міді) |
| Струм Id (мінімальна площадка) | 2.8 А (TA 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 2.3 А (TA 70 °C, VGS 10 В, мінімальна площадка FR-4) |
| Rds(on) | 0.075 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В (макс.) |
| Qg | 18.3 нКл (макс.) при ID = 1.68 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В |
| Потужність Pd | 2.1 Вт (TA 25 °C, плата 1 кв. дюйм міді) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | International Rectifier |
Транзистор IRF820 оригінал
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj від 25 до 125 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 2.5 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1.4 А, Tc 25 °C (тип. 2.5 Ом) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Id 250 мкА |
| Qg | 12 нКл (тип., макс. 19) при Vgs 10 В, Id 2.5 А, Vds 0.8 × Vdss |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Intersil |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF7424 (30V,11A,0.0135R) , so-8
Немає в наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (TA 25 °C, Vgs -10 В) | -12 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C, Vgs -10 В) | -9.1 А |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -10 А, Tj 25 °C) | 15 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5 А, Tj 25 °C) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.6 В (тип.; від -1.0 до -2.5; Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (тип.; Vds -15 В, Id -5 А, Vgs -10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.5 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор IRF7328 (30V,8A,2W,0.021R) , so-8
Немає в наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | 2 × P-канал (здвоєний) |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (TA 25 °C) | -8 А |
| Струм стоку Id (TA 100 °C) | -5.8 А |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -8 А, TA 25 °C) | 16 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5.6 А, TA 25 °C) | 25 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.65 В (тип.; від -1 до -2.5; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (тип.; Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -8 А) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 16.3 нс (тип.; Isd -8 А, dIsd/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.5 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор IRF7316 (30V,4.9A,2W,0.058R) , so-8
Немає в наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | 2 × P-канал (здвоєний) |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (TA 25 °C) | -4.9 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C) | -3.9 А |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -4.9 А, Tj 25 °C) | 0.058 Ом |
| Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -3.6 А, Tj 25 °C) | 0.098 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) мін. | -1.0 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (тип.; Id -4.9 А, Vds -15 В, Vgs -10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.0 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
Транзистор IRF7313 (30V,6.5A,2W,0.029R) , so-8
Немає в наявності
19,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | 2 × N-канал (здвоєний) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (25 °C) | 6.5 А (TA 25 °C) |
| Струм Id (70 °C) | 5.2 А (TA 70 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 29 мОм макс. (тип. 23 мОм), Id 5.8 А, Tj 25 °C |
| Rds(on) при Vgs 4.5 В | 46 мОм макс. (тип. 32 мОм), Id 2 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | мін. 1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл тип. (макс. 33), Id 5.8 А, Vds 15 В, Vgs 10 В |
| Потужність Pd | 2 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор IRF7309 (30V,4.7A,-3.5A,1.4W) , so-8
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал + P-канал в одному корпусі (HEXFET, 5-е покоління) |
| Напруга Vds (N / P) | 30 / −30 В (Vgs 0, Id ±250 мкА) |
| Струм Id (N / P), 25 °C | 4,0 / −3,0 А (неперервний, Ta 25 °C, Vgs ±10 В) |
| Струм Id (N / P), 70 °C | 3,2 / −2,4 А (неперервний, Ta 70 °C, Vgs ±10 В) |
| Струм Id, імпульс 10 с (N / P) | 4,7 / −3,5 А (Ta 25 °C, Vgs ±10 В) |
| Rds(on) при Vgs ±10 В (N / P) | 0,050 / 0,10 Ом макс. (Id 2,4 А (N) / −1,8 А (P)) |
| Rds(on) при Vgs ±4,5 В (N / P) | 0,080 / 0,16 Ом макс. (Id 2,0 А (N) / −1,5 А (P)) |
| Vgs(th) (N / P) | мін. 1,0 / мін. −1,0 В (Vds = Vgs, Id ±250 мкА) |
| Потужність Pd | 1,4 Вт (Ta 25 °C, монтаж на плату) |
| Макс. напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 (8 виводів, два кристали) |
Транзистор IRF7241 , so-8
Немає в наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал (HEXFET, trench) |
| Напруга Vds | −40 В (Vgs 0, Id −250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | −6,2 А (Ta 25 °C, Vgs −10 В) |
| Струм Id (70 °C) | −4,9 А (Ta 70 °C, Vgs −10 В) |
| Rds(on) при Vgs −10 В | 41 мОм макс. (тип. 25), Id −6,2 А |
| Rds(on) при Vgs −4,5 В | 70 мОм макс. (тип. 45), Id −5,0 А |
| Vgs(th) | −1,0…−3,0 В (Vds = Vgs, Id −250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 53 нКл тип., 80 нКл макс. (Vgs −10 В, Id −6,2 А, Vds −32 В) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (Ta 25 °C; 1,6 Вт при Ta 70 °C) |
| Макс. напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор IRF710 оригінал (400V,2A,36W,3.6R),TO220
Немає в наявності
31,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,2 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 3,6 Ом (макс.; тип. 3,3 Ом; Vgs 10 В, Id 1,1 А) |
| Заряд затвора Qg | 7,0 нКл тип., 12 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Vds 0,8 × 400 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт (Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF614 оригінал (N-,250V,2.7A,36W,2R) , TO220
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 250 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,7 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,7 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2,0 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1,6 А) |
| Заряд затвора Qg | 8,2 нКл (макс., Vgs 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт (Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Макс. напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF540N оригінал (100V,28A,150W) , TO220
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 35 мОм (тип., Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип., Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 33 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Макс. напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF5305 оригінал (55V,31A,0.06R,110W) , TO220
Немає в наявності
39,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | –31 А (Vgs –10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | –22 А (Vgs –10 В) |
| Опір Rds(on) | 0.06 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –16 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл макс. (Id –16 А, Vds –44 В, Vgs –10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | P |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є, trr 170 нс typ. (di/dt –100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF4905 оригінал (55V,74A,200W,0.02R) , TO220
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –55 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | –74 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.02 Ом (Vgs –10 В, Id –38 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | P |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF8N60C ( HM8N60F ) , TO220F
Немає в наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 7.5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 4.6 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом typ. (макс. 1.2 Ом), Vgs 10 В, Id 3.75 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл typ. (Vds 480 В, Id 7.5 А, Vgs 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1.4 В (Is 7.5 А, Vgs 0 В) |
Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F
Немає в наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (обмежено макс. температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Truesemi |
| Стан | Оригінал |