Магазин
Сімістор BT139-800E (16А;800V,Igt=0.01A) ,ТО220
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Сімістор |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm | 800 В (макс.) |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В (макс.; IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА (макс.; VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
Сімістор BT139-600 (16А;600V,Igt=0.025A) ,ТО220
Немає в наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| dVD/dt | 200 В/мкс мін. (VDM = 402 В, Tj = 125 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Сімістор BT134W-600D (600V,1A,5mA) , sot223
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 1 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 108 °C) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt (T2+ G+, T2+ G–, T2– G–) | 5 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Струм керування Igt (T2– G+) | 10 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.5 В макс. (IT = 2 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Сімістор 2N6075A (4A,600V,Igt=0,005A)(A1 A2 G)
Немає в наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj –40…110 °C, керуючий електрод розімкнений) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tc = 85 °C, повна синусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 30 А (один період, 60 Гц, Tj = +110 °C) |
| Струм керування Igt (квадранти I, II, III) | 5 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Струм керування Igt (квадрант IV) | 10 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vtm | 2 В макс. (Itm = 6.0 А пік) |
| Напруга керування Vgt | 2.5 В макс. (Tj = –40 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 110 °C |
| Корпус | TO-225 |
| Виробник | onsemi |
Транзистор PF610BL , sot223
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TA 25 °C) | 0,9 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C) | 0,5 А |
| Опір Rds(on) при VGS 10 В | 0,48 Ом тип., 0,7 Ом макс. (ID = 0,9 А; TJ 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,52 Ом тип., 0,9 Ом макс. (ID = 0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1,8 / 3 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 7,2 нКл (VDS = 0,5·V(BR)DSS, ID = 0,9 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 1,3 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Процесор TDA12025PQ/N1F80 ( T-GRN2PEU-1021 ) демонтаж ( T-GRN2PEU-1014 , T-GRN2PEU-1018 ) ( S16A , S16B)
Немає в наявності
705,00 ₴
Демонтаж
Діод SF5A400HD , D-PAK
Немає в наявності
33,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 5 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 5 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Діод SF10A400HD , D-PAK
Немає в наявності
34,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Демонтаж
Діод SF10A400H ( SF10A400SH ) оригінал демонтаж , TO220F-2pin ( RD1004 )
Немає в наявності
73,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 120 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний (вив. 1 – катод, 2 – анод) |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод S1M (1A , 1000V ) smd
Немає в наявності
4,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (TL 110 °C, однофазний напівперіод 60 Гц, активне навантаження) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1.10 В (If 1.0 А, Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон –55…+150 °C) |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод RU4AM (RU4A) (600V,3.5A,100ns)
Немає в наявності
26,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3.5 А (TA = 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 70 А (10 мс, півсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.3 В (If = 3.5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Vr = Vrrm, TA = 25 °C); 300 мкА (TA = 100 °C) |
| Час відновлення trr | 100 нс (If = 0,5 А, Ir = 1 А, Irr = 0,25 А) |
| Тепловий опір Rth(j-l) | 8 °C/Вт (перехід – вивід) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | DO-201AD |
| Конфігурація | одиночний |
Діод 8E2TH06 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
Немає в наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 8 А (TC 133 °C, TO-220AC) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 70 А (TJ 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 2,5 В (If 8 А, TJ 25 °C, макс.; тип. 2,1 В) |
| Пряма напруга Vf при 150 °C | 1,9 В (If 8 А, TJ 150 °C, макс.; тип. 1,6 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 17 нс (If 1,0 А, dIf/dt 100 А/мкс, Vr 30 В, тип.) |
| Зворотний струм Ir при 150 °C | 350 мкА (Vr = Vrrm, TJ 150 °C, макс.; тип. 50 мкА) |
| Ємність переходу Cj | 6 пФ (Vr 600 В, тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал |
Діод M7 (1N4007) (1A,1000V) smd
Немає в наявності
2,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 1 А (Ta 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, півсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1,1 В (If 1 А) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Vr = Vrrm, Ta 25 °C); 50 мкА (Vr = Vrrm, Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 15 пФ (1 МГц, Vr 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 50 °C/Вт |
| Робочий діапазон температур | -65…+150 °C |
| Корпус | SMA |
| Конфігурація | одиночний |
Діод FR607
Немає в наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 6 А (TA 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 300 А (8,3 мс, півсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1,3 В (If 6 А, TA 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Vr = Vrrm, TA 25 °C); 200 мкА (Vr = Vrrm, TA 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 150 пФ (1 МГц, Vr 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 10 °C/Вт |
| Робочий діапазон температур | -65…+150 °C |
| Корпус | R-6 |
| Конфігурація | одиночний |
Діод FR307
Немає в наявності
4,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий випрямний |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | DO-201AD |
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (TA 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 150 А (8,3 мс, півсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.30 В (If 3.0 А, TA 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 5.0 мкА (Vr = Vrrm, TA 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 500 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Ємність переходу Cj | 60 пФ (1 МГц, Vr = 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 20 °C/Вт (виводи 9,5 мм, монтаж на плату) |
Діод FFP30U60DN ( F30U60DN ) оригінал , TO-3P
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | спільний катод (два діоди) |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 600 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на діод (Tc 100 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 180 А (60 Гц, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 2.3 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 90 нс макс. (If 30 А, di/dt 200 А/мкс) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.8 °C/Вт |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Діод BAW56 , sot23 , спільний анод (85V , 0.2A ,6ns)
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкодіючий, здвоєний |
| Конфігурація | спільний анод |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. імпульсна зворотна напруга Vrm | 85 В (Ta 25 °C) |
| Зворотна напруга Vr | 80 В (Ta 25 °C) |
| Постійний прямий струм If | 250 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 2 А (10 мс) |
| Час зворотного відновлення trr | 4.0 нс макс. (If 10 мА) |
| Ємність Ct | 4.0 пФ макс. (Vr 0, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 225 мВт (на платі FR-5) |
| Виробник | KEC |
Діод 1N5408
Немає в наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GOODWORK |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 1000 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 100 А (8,3 мс, напівсинусоїда, метод JEDEC) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.98 В (If 3,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5.0 мкА (номінальна Vr, Ta 25 °C); 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 40 пФ (typ., f 1 МГц, Vr 4,0 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 30 °C/Вт (виводи 9,5 мм) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Діод 1N4007
Немає в наявності
2,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MSKSEMI |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 1000 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (виводи 9,5 мм, Ta 75 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, метод JEDEC) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.1 В (If 1,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5.0 мкА (номінальна Vr, Ta 25 °C); 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 15 пФ (typ., f 1 МГц, Vr 4,0 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 50 °C/Вт (typ.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |