Польові транзистори

STP85NF55L MOSFET TO-220, фото маркування P85NF55L

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	55 В (VGS = 0)
Струм Id (25 °C)	80 А (обмеження корпусом)
Струм Id (100 °C)	80 А (обмеження корпусом)
Rds(on)	6.0 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 40 А), макс. 8 мОм
Заряд затвора Qg	80 нКл типово (VGS = 5 В)
Вхідна ємність Ciss	4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	1.6 В типово
Потужність Pd	300 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

STP9NC60FP (P9NC60FP) MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STP9NC60FP ( P9NC60FP ) оригінал, TO-220F

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга стік-витік Vds	600 В (VGS = 0)
Струм стоку Id (25 °C)	9 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	5,7 А (TC 100 °C)
Опір каналу Rds(on)	0,75 Ом макс., типово 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В (типово 3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	40 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Напруга ізоляції Viso	2500 В (DC)
Тип каналу	N
Корпус	TO-220F
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал

STP9NK50ZFP MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STP9NK50ZFP оригінал , TO-220F

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0)
Струм Id (25 °C)	7,2 А (TC = 25 °C)
Струм Id (100 °C)	4,5 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	28,8 А
Опір Rds(on)	0,72 Ом тип., 0,85 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 3,6 А)
Потужність Pd	30 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	910 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±30 В
Ізоляція Viso	2500 В (DC)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

STQ1NK60ZR (1NK60ZR) MOSFET TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STQ1NK60ZR (1NK60ZR) , TO-92

В наявності

34,78 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	TO-92
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА)
Струм Id	0.3 А при TL = 25 °C; 0.2 А при TL = 100 °C
Rds(on)	11 Ом тип., 15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0.3 А)
Заряд затвора Qg	4.9 нКл тип., 6.9 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 0.8 А, VGS = 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА)
Потужність Pd	3 Вт при TL = 25 °C
Tj макс.	150 °C

STU407DH складання MOSFET N+P D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STU407DH ( STU407D ) (40V,16A/12A,11W) , D-PAK

В наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналів	N + P (комплементарна пара)
Vds, N-канал	40 В (TA = 25 °C)
Vds, P-канал	-40 В (TA = 25 °C)
Id, N-канал	16 А (TC = 25 °C)
Id, P-канал	-12 А (TC = 25 °C)
Rds(on), N-канал	21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Pd	11 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252-4L
Виробник	SamHop Microelectronics

STU432S MOSFET N-канал D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STU432S оригінал, D-PAK

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	40 В
Струм стоку Id	50 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 70 °C)
Опір Rds(on)	7 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1.25–3.0 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd	42 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1130 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Напруга Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STU446S оригінал, D-PAK

В наявності

131,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Напруга Vds	40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id	38 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	13 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 19 А)
Потужність Pd	42 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

STW12NK80Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW12NK80Z ( W12NK80Z ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	800 В (Vgs 0 В, Id 1 мА)
Струм Id (Tc 25 °C)	10.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)	6.6 А
Rds(on)	585 мОм тип., 750 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5.25 А)
Заряд затвора Qg	87 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	190 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW12NK90Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW12NK90Z оригінал демонтаж, TO247(Заміна для HM12N80M , 12N80M , STW10NK80Z )

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Vds	900 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА)
Id (25 °C)	11 А (TC = 25 °C)
Id (100 °C)	7 А (TC = 100 °C)
Rds(on)	670 мОм тип., 880 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А)
Qg	113 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 10 А)
Вхідна ємність Ciss	3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	230 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW12NK95Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)	0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)	113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss	3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd	230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW20NA50 MOSFET TO-247, фото маркування W20NA50

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW20NA50 ( W20NA50 ) демонтаж, TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (25 °C)	20 А
Струм стоку Id (100 °C)	12.7 А
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)	0.27 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)	150 нКл
Вхідна ємність Ciss	3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (25 °C)	250 Вт
Корпус	TO-247
Маркування	W20NA50
Стан	Демонтаж б/в

STW20NK50Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW20NK50Z ( W20NK50Z ) оригінал демонтаж (500V,20A) , TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Vds	500 В (Tj 25 °C)
Id (25 °C)	20 А (Tc 25 °C)
Id (100 °C)	12.6 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.23 Ом тип., 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8.5 А)
Vgs(th)	3–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА)
Pd	190 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW20NM60 MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	12,6 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А)	250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.)
Vgs(th)	3–5 В
Qg	39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (TC 25 °C)	192 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW26NM60N MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW26NM60N ( STW26NM60 , 26NM60N , W26NM60 , ST26NM60N , W26NM60N ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

158,39 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (MDmesh II)
Напруга Vds	600 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12.6 А
Опір Rds(on)	135 мОм (тип.), 165 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Поріг Vgs(th)	2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	60 нКл при Vdd 480 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В
Вхідна ємність Ciss	1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	140 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW40N60M2 40N60M2 MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

258,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал (MDmesh M2)
Напруга Vds	600 В (Id 1 мА, Vgs 0 В)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	34 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	22 А
Rds(on)	78 мОм тип., 88 мОм макс., Vgs 10 В, Id 17 А
Заряд затвора Qg	57 нКл
Вхідна ємність Ciss	2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (тип. 3 В)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	250 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW40N95K5 MOSFET TO247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW40N95K5 ( 40N95K5 )(заміна для STWA40N95DK5 , STW40N95DK5 ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (MDmesh K5)
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	TO-247
Напруга Vds	950 В (Vgs 0, Id 1 мА)
Струм стоку Id	38 А (Tc 25 °C), 24 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	110 мОм (макс. 130) при Vgs 10 В, Id 19 А
Qg	93 нКл (типове) при Vdd 760 В, Id 38 А, Vgs 0–10 В
Вхідна ємність Ciss	3300 пФ (Vds 100 В, f 1 кГц)
Ptot	450 Вт (Tc 25 °C)
Tj max	150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STW45NM60 MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STW45NM60 ( W45NM60 ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В)
Струм Id (Tc 25 °C)	45 А
Струм Id (Tc 100 °C)	28 А
Rds(on)	90 мОм тип., 110 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22.5 А)
Заряд затвора Qg	96 нКл тип., 134 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	417 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SUB60N06-18 MOSFET D2PAK, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SUB60N06-18 ( SUB60N06 ) оригінал демонтаж, D2PAK

В наявності

127,84 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	60 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	39 А (TC = 100 °C, TJ = 175 °C)
Опір Rds(on)	14 мОм (тип.), 18 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А, TJ = 25 °C
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 1 мА)
Заряд затвора Qg	39 нКл (тип.), 60 нКл (макс.) при VDS = 30 В, VGS = 10 В, ID = 60 А
Вхідна ємність Ciss	2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	120 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Тип каналу	N
Корпус	D2PAK
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SUD25N06-45L MOSFET DPAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SUD25N06-45L ( 25N06-45 , ME25N06 , UTC25N06L ) оригінал (60V, 25A), DPAK

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	60 В (мін.)
Струм стоку Id	25 А (Tc 25 °C), 16 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.025 Ом тип., 0.035 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C)
Rds(on) при Vgs 4,5 В	0.036 Ом тип., 0.045 Ом макс.
Заряд затвора Qg	26 нКл
Вхідна ємність Ciss	1320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	1.0–3.0 В
Макс. напруга Vgs	±20 В
Потужність розсіювання Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SUD50N024 ( 50N024 ) оригінал, DPAK (22V, 80A ,6mR)

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	22 В
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	49 А (корпус обмежує до 25 А)
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А)	0,0095 Ом (макс.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	39,5 Вт
Поріг Vgs(th)	0,8–3,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (VDS = 10 В, f = 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK

В наявності

60,16 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	250 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм Id	45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А)
Опір Rds(on)	0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Поріг Vgs(th)	2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А
Вхідна ємність Ciss	5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	D2PAK
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SUM65N20 , D2PAK

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	200 В
Струм Id (Tc 25 °C, обмежено корпусом)	65 А
Струм Id (Tc 125 °C)	37 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А)	0.023 Ом тип., 0.030 Ом макс.
Заряд затвора Qg (Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А)	90 нКл тип., 130 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	375 Вт
Tj макс.	175 °C
Корпус	D2PAK
Виробник	Vishay

SVD4N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVD4N65F оригінал, TO220F

В наявності

84,60 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, Enhancement mode, DMOS
Напруга Vds	650 В
Струм стоку Id (25 °C)	4,0 А
Опір Rds(on)	макс. 3,0 Ом (тип. 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	15,8 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)	33 Вт
Напруга затвор–витік Vgs	±30 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Silan
Стан	Оригінал

SVF12N60F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, режим збагачення
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)	0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)	34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss	1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd	51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Silan
Стан	Оригінал

SVF12N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF12N65F оригінал ( заміна для FQPF12N65 , MDF12N65B , TF12N65 , GN12N65F , PFP12N65 , PFF12N65 , 12N65FA9K , CR12N65FA9K , SIF12N65F , UTC12N65L, 12N65L ) , TO220F

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	650 В
Струм Id (Tc 25 °C)	12 А
Струм Id (Tc 100 °C)	7.6 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6.0 А)	0.64 Ом тип., 0.8 Ом макс.
Поріг Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	33 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	51 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVF20N50F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)

В наявності

133,48 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id	20 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	12.6 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А)
Заряд затвора Qg	49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	72 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

SVF20N50PN 20N50 транзистор TO-3P, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Silan (Hangzhou Silan Microelectronics)
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)	20 А (TC = 25 °C)
Струм Id (100 °C)	12.6 А (TC = 100 °C)
Rds(on) тип.	0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Rds(on) макс.	0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	252 Вт (TC = 25 °C)
Макс. Vgs	±30 В
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

SVF6N60F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF6N60F оригінал ( заміна для STP6NK60ZFP , FQPF6N60C , SSS6N60A , HM6N60F , 2SK1118 )(600V,6A ) , TO220F

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C)
Струм Id	6 А при TC 25 °C; 3.8 А при TC 100 °C
Опір Rds(on)	1.35 Ом (тип.), 1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3 А
Заряд затвора Qg	13.32 нКл (тип.) при VDS = 480 В, ID = 6 А, VGS = 10 В
Вхідна ємність Ciss	690.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)	2.0–4.0 В при ID = 250 мкА
Потужність Pd	42 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
Час відновлення діода trr	488 нс (тип.) при IS = 6 А, dIF/dt = 100 А/мкс
Корпус	TO-220F
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVF7N60F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Напруга Vds	600 В (TC 25 °C)
Струм Id (25 °C)	7,0 А
Струм Id (100 °C)	4,0 А
Rds(on)	0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Pd	45 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

SVF7N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdss	650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)	7 А
Струм Id (100 °C)	4.2 А
Rds(on)	1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А)
Заряд затвора Qg	28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Vgss	±30 В
Потужність Pd	52 Вт (25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

SVG076R5NT MOSFET N-канал TO-220, фото маркування 076R5NT

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG076R5NT ( 076R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

237,82 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Silan Microelectronics
Тип каналу	N-канал, режим збагачення (LVMOS)
Напруга Vds	70 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	100 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	63 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	6.5 мОм макс., тип. 5.4 мОм (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	50 нКл тип. (VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3052 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	114 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	45 нс тип. (IS=40 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

SVG086R0NT 086R0NT MOSFET TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Напруга Vds	80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	120 А (Tc 25 °C)
Струм Id (100 °C)	76 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Qg	66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А)
Вхідна ємність Ciss	3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	156 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

SVG095R0NT транзистор TO-220, фото маркування 095R0NT

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG095R0NT ( 095R0NT , SVG095RONT , 095RONT ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N, режим збагачення
Напруга Vds	90 В (Ta 25 °C)
Струм Id	120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом), 100 А (Tc 100 °C, по кристалу)
Rds(on)	4,4 мОм тип., макс. 5,0 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Qg	85 нКл тип. (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А)
Вхідна ємність Ciss	5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Tj max	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVG104R0NS (104R0NS) MOSFET N-канал D2PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG104R0NS ( 104R0NS , SVG104RONS , 104RONS ) оригінал (100V,120A) , D2PAK ( заміна для G10N054DM , AKG10N054DM , SUV90N06-5 з подовженням виводів )

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Silan
Напруга Vds	100 В
Струм Id (Tc 25 °C)	120 А
Струм Id (Tc 100 °C)	110 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 50 А, Tj 25 °C)	3.4 мОм тип., 4.0 макс.
Заряд затвора Qg	107 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	6560 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)	2.0–4.0 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)	208 Вт
Tj max	150 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

SVG104R5NT MOSFET TO-220-3L, фото маркування 104R5NT

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)	120 А
Струм стоку ID (100 °C)	110 А
Опір Rds(on)	3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	114 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	208 Вт (TC = 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVG105R5NT 105R5NT MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVG105R5NT ( 105R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	98 В
Струм стоку Id	120 А (Tc 25 °C), 100 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	4.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	80 нКл (Vdd 50 В, Vgs 10 В, Id 25 А)
Вхідна ємність Ciss	5208 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd	274 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Напруга Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-220
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVT068R5ND MOSFET D-PAK, фото маркування 068R5ND

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVT068R5ND ( 068R5ND ) оригінал(60V,80A) , D-PAK

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	80 А
Струм стоку Id (100 °C)	57 А
Rds(on)	7.0 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А)
Vgs(th)	2–4 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	89 нКл тип. (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 20 А)
Вхідна ємність Ciss	4890 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	107 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVT077R5NT MOSFET N-канал TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Silan Microelectronics
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id при 25 °C	95 А (Tc=25 °C)
Струм Id при 100 °C	67 А (Tc=100 °C)
Rds(on)	6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd	150 Вт (Tc=25 °C)
Вхідна ємність Ciss	4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Вбудований діод	є (Is 95 А)

SVT078R0NT MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Silan Microelectronics
Корпус	TO-220
Напруга Vds	68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	88 А
Струм Id (100 °C)	65 А
Rds(on)	6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	140 Вт (Tc=25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал