Польові транзистори

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал, одинарний
Напруга Vds	250 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	0.79 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	0.50 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 0.47 А)	2.0 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Vgs 10 В)	8.2 нКл
Вхідна ємність Ciss	140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+150 °C
Корпус	SOT-223

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP064N оригінал (55V;110A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	55 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	110 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	80 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 59 А, Tj 25 °C)	0.008 Ом
Заряд затвора Qg макс.	170 нКл
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	200 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP140N та IRFP9140N транзистори TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP140N + IRFP9140N оригінали, TO247

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-247
IRFP140N: Vds	100 В
IRFP140N: Rds(on) макс.	0,052 Ом при Vgs 10 В, Id 16 А
IRFP140N: Id	33 А при Vgs 10 В
IRFP140N: Idm	110 А
IRFP140N: Pd	140 Вт при Tc 25 °C
IRFP9140N: Vds	-100 В
IRFP9140N: Rds(on) макс.	0,117 Ом при Vgs -10 В, Id -13 А
IRFP9140N: Id	-23 А при Vgs -10 В
IRFP9140N: Idm	-76 А
IRFP9140N: Pd	140 Вт при Tc 25 °C
Vgs	±20 В
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP150N оригінал (100V,44A,155W,0.03R) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	100 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	42 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	30 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 23 А, Tj 25 °C)	0.036 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Id 22 А, Vgs 10 В)	110 нКл
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	160 Вт
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP21N60L транзистор TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP21N60L оригінал демонтаж, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип каналу	N
Корпус	TO-247
Напруга Vds	600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	21 А (TC=25 °C, VGS=10 В)
Струм Id (100 °C)	13 А (TC=100 °C, VGS=10 В)
Rds(on)	0.27 Ом тип., макс. 0.32 (VGS=10 В, ID=13 А)
Vgs(th)	3–5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Qg	150 нКл макс. (VGS=10 В, ID=21 А, VDS=480 В)
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	330 Вт (TC=25 °C)
Tj max	150 °C
Вбудований діод	надшвидкий
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP22N50A MOSFET N-канал TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал (500V,22A) , TO247

В наявності

344,04 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	22 А (VGS 10 В, Tc 25 °C); 14 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Заряд затвора Qg	120 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 22 А, VDS = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd	277 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час зворотного відновлення trr	570 нс типове, макс. 850 нс (TJ 25 °C, IF = 22 А, dI/dt = 100 А/мкс)
Тип каналу	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP22N50A MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал демонтаж (500V,22A,277W,0.23R) , TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (мін.)
Струм стоку Id	22 А (TC = 25 °C); 14 А (TC = 100 °C)
Rds(on)	0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Потужність Pd	277 Вт (TC = 25 °C)
Заряд затвора Qg	120 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP22N60K MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N60K оригінал демонтаж, TO247

В наявності

208,21 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	MOSFET, N-канал, одиночний
Корпус	TO-247
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id при 25 °C	22 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C)
Струм Id при 100 °C	14 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Rds(on) типове	0,24 Ом (VGS = 10 В)
Rds(on) максимум	0,28 Ом (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Заряд затвора Qg максимум	150 нКл (ID = 22 А, VDS = 480 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs максимум	±30 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP23N50L MOSFET TO247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	23 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	15 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А)
Заряд затвора Qg	150 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	370 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	170 нс тип.
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP240 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP240 оригінал (200V,20A,150W,0.18R) , TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	200 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12 А
Опір Rds(on)	0.18 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 12 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	70 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP250N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	30 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	21 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А)	0.075 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	123 нКл
Вхідна ємність Ciss	2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	214 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP260N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP260N оригінал , TO247

В наявності

132,07 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	50 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	35 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А)	0.04 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	234 нКл
Вхідна ємність Ciss	4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	300 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP3006 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP3006 оригінал демонтаж, TO247(60V,195A)

В наявності

223,25 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (обмеження виводами корпусу)	195 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку Id (обмеження кристалом)	190 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on) макс.	2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 170 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	200 нКл тип. (ID = 170 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	8970 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	375 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-247
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP3206 транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP3206 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET, N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (по кремнію)	200 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку ID (по виводах)	120 А (VGS = 10 В)
Rds(on) тип.	2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Rds(on) макс.	3,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА)
Розсіювана потужність Pd	280 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	6540 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В макс.
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP32N50K MOSFET N-канал TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP32N50K оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	International Rectifier
Корпус	TO-247
Напруга Vds	500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (Tc 25 °C)	32 А (Vgs 10 В)
Струм Id (Tc 100 °C)	20 А (Vgs 10 В)
Rds(on), Vgs 10 В	0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Id 32 А, Tj 25 °C
Vgs(th)	3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	190 нКл макс. (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	460 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
trr діода	530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс
Вбудований діод	є, Vsd макс. 1.5 В (Is 32 А, Vgs 0 В)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP360 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP360 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C)	23 А
Струм Id (Tc 100 °C)	14 А
Опір Rds(on)	0.20 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 14 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	210 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4110 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Rds(on) типовий	3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Rds(on) максимальний	4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Струм стоку (обмеження виводами)	120 А (TC 25 °C, VGS = 10 В)
Розсіювана потужність Pd	370 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В (максимум)
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4332 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss (мін.)	250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Напруга лавинного пробою VDS(Avalanche), типова	300 В
Rds(on) типовий	29 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А)
Rds(on) максимальний	33 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А)
Заряд затвора Qg, типовий	130 нКл (VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Максимальна температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4468 оригінал, TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм стоку ID	195 А (VGS=10 В, TC=25 °C)
Rds(on) макс.	2,6 мОм (VGS=10 В, ID=180 А, Tj=25 °C)
Потужність розсіювання	517 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Заряд затвора Qg	363 нКл
Вхідна ємність Ciss	22000 пФ
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP450 транзистор TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP450 ( IRFP450A ) оригінал , TO247

В наявності

149,46 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	14 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	8.7 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	56 А
Опір Rds(on)	0.40 Ом (Vgs = 10 В, Id = 8.4 А)
Заряд затвора Qg	150 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 14 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	190 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4568 оригінал (150V,171A), TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	150 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id	171 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 121 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on) тип.	4.8 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	5.9 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg	151 нКл, макс. 227 нКл (VGS 10 В, VDS 75 В, ID 103 А)
Вхідна ємність Ciss	10470 пФ
Потужність Pd	517 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу	175 °C
Корпус	TO-247
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFP4568 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4568 оригінал демонтаж(150V,171A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	150 В
Струм стоку Id	171 А (Tc = 25 °C, Vgs = 10 В)
Опір Rds(on) типовий	4,8 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А)
Опір Rds(on) максимальний	5,9 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор–витік Vgs	±30 В
Температура переходу Tj	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Вхідна ємність Ciss	10470 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP460 транзистор TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP460 оригінал (заміна для IRFP460A , IRFP460LC , RJK5010 )(500V,20A), TO247

В наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	20 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	13 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	80 А
Опір Rds(on)	0.27 Ом (Vgs = 10 В, Id = 12 А)
Заряд затвора Qg	210 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 20 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	280 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP9240 P-канальний MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP9240 оригінал (200V,12A,150W,0.5R) , TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	P-канальний MOSFET
Виробник	Vishay Siliconix
Напруга Vds	-200 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id	-12 А (Vgs -10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,50 Ом макс. (Vgs -10 В, Id -7,2 А)
Розсіювана потужність Pd	150 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFPC50 N-канальний MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFPC50 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Виробник	Vishay Siliconix
Напруга Vds	600 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id	11 А (Vgs 10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,60 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,0 А)
Корпус	TO-247
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFPS43N50K транзистор Super-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFPS43N50K оригінал демонтаж, Super-247

В наявності

200,22 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (HEXFET)
Напруга Vds	500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id	47 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 29 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0.090 Ом макс., тип. 0.078 (Vgs 10 В, Id 28 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	540 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	8310 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	Super-247
Виробник	Infineon
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFR120N (FR120N) N-канальний MOSFET D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR120N ( FR120N ) оригінал, D-PAK

В наявності

32,43 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	100 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id	9,4 А (Vgs 10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,21 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,6 А, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd	48 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

IRFR9120N MOSFET P-канал D-Pak, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR9120N ( IRFU9120N ), D-PAK (100V;5.6A;0.6 Ohm)

В наявності

24,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал, HEXFET
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	-100 В (Vgs 0 В, Id -250 мкА)
Струм стоку Id	-6.6 А (Tc 25 °C, Vgs -10 В); -4.2 А (Tc 100 °C, Vgs -10 В)
Імпульсний струм Idm	-26 А
Опір Rds(on)	0.48 Ом max (Vgs -10 В, Id -3.9 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	27 нКл max (Id -4.0 А, Vds -80 В, Vgs -10 В)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-252 (D-PAK)

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFS3806 ( AUFS3806 ) оригінал демонтаж, D2PAK

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vdss	60 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	43 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	31 А
Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 25 А)	12.6 мОм
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 25 А)	15.8 мОм
Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 50 мкА)	2.0–4.0 В
Qg (Id 25 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)	22 нКл тип., 30 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	1150 пФ
Напруга Vgs	±20 В
Pd (Tc 25 °C)	71 Вт
Tj	-55…+175 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFU9024N P-канальний MOSFET I-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFU9024N , I-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)

В наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	55 В (за модулем, максимум)
Струм Id	11 А (при 25 °C, максимум)
Rds(on)	0,175 Ом (VGS = 10 В, максимум)
Заряд затвора Qg	19 нКл (макс., VGS = -10 В, Id = -7,2 А, Vds = -44 В)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Qgd	10 нКл (макс.)
Потужність Pd	38 Вт (максимум)
Tj max	150 °C
Rth(j-c)	3,3 °C/Вт (макс.)
Корпус	I-PAK (TO-251)

IRFZ24N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ24N оригінал

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	55 В
Струм Id (TC = 25 °C)	17 А
Струм Id (TC = 100 °C)	12 А
Імпульсний струм Idm	68 А
Rds(on)	0,07 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, TJ = 25 °C, макс.)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd (TC = 25 °C)	45 Вт
Вхідна ємність Ciss	370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj max	175 °C
Rth(j-c)	3,3 °C/Вт (макс.)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRFZ34N MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ34N оригінал (55V,26A,56W,0.04R)

В наявності

37,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Струм стоку Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)	29 А
Струм стоку Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)	20 А
Імпульсний струм Idm	100 А
Розсіювана потужність Pd (Tc = 25 °C)	68 Вт
Напруга Vdss	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Rds(on)	0,040 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 16 А, Tj 25 °C)
Qg	34 нКл макс. (ID = 16 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Vgs макс.	±20 В
Температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id	49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (100 °C)	35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on)	17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C)
Qg	63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ46N оригінал (55V,53A,107W,0.0165R), TO220

В наявності

61,57 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id	53 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (100 °C)	37 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on)	16,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А, Tj 25 °C)
Qg	72 нКл макс. (ID = 28 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1696 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

IRFZ48N транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ48N оригінал (55V,64A,130W,0.014R)

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	55 В
Струм Id (25 °C)	64 А
Струм Id (100 °C)	45 А
Опір Rds(on)	14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 32 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	81 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	130 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. Tj	175 °C
Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRFZ48V транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ48V оригінал (60V,72A,150W),TO220(Заміна для IRFZ44V )

В наявності

126,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	60 В
Струм Id (25 °C)	72 А
Струм Id (100 °C)	51 А
Опір Rds(on)	12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	110 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	1985 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. Tj	175 °C
Vgs макс.	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRL1404 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип каналу	N-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss	40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id	160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)	не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В (абсолютний максимум)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRL2505 транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRL2505 оригінал , TO220

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET), логічний рівень
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	55 В
Струм Id (25 °C)	104 А
Струм Id (100 °C)	74 А
Опір Rds(on)	8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 54 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–2,0 В
Заряд затвора Qg	130 нКл макс. (VGS = 5 В)
Вхідна ємність Ciss	5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. Tj	175 °C
Vgs макс.	±16 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRL3705N MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRL3705N ( L3705N ) оригінал, TO220

В наявності

123,14 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	55 В
Струм стоку Id (25 °C)	89 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	63 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on), макс.	0,010 Ом (VGS = 10 В, ID = 46 А)
Vgs(th)	1,0–2,0 В
Розсіювана потужність	170 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRL3713 оригінал демонтаж(30V,260A) , TO220

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	30 В
Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий	260 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Обмеження струму корпусом	75 А
Rds(on)	2,6 мОм типово, 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А)
Vgs(th)	1,0–2,5 В
Qg	75 нКл типово, 110 нКл макс. (VGS = 4,5 В)
Розсіювана потужність	330 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Польові транзистори