Стан
- Оригінал 12
Корпус
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Діодні мости
Діодні мости для мостових випрямлячів, наприклад у корпусах GBJ, GBU, KBU і SIP.
Діодний міст D15SB80 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Максимальний середній струм If(AV) | 15 А (Tc 100 °C, з радіатором) |
| Ударний струм Ifsm | 250 А |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,0 В (при 7,5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Виробник | LRC (Leshan Radio Company) |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Діодний міст D35XB100
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Струм If(av) з радіатором | 35 А (Tc 100 °C) |
| Струм If(av) без радіатора | 10 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,1 В (при 10 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Показник плавкості I²t | 660 А²·с |
Діодний міст GBJ2508 (800V,25A)(Заміна для GBJ2508A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 800 В (TJ 25 °C) |
| Середній прямий струм If(AV) | 25 А (з радіатором, TJ 150 °C) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If 12,5 А, TJ 25 °C, максимум) |
| Пік струму перевантаження Ifsm | 350 А (одна напівхвиля 8,3 мс) |
| I²t | 510 А²с (t = 8,3 мс) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (TJ 25 °C, максимум) |
| Робоча температура | –55…+150 °C |
| Корпус | GBJ |
| Корпус (докладно) | GBJ (4-SIP, гвинтове кріплення на радіатор), маса 6,6 г |
Діодний міст GBJ5010 ( Заміна для KBJ5010 , D50XB100 )(1000V,50A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча зворотна напруга Vrms | 700 В |
| Середній прямий струм If(av) | 50 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (напівхвиля 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (If 25 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Tj 25 °C) / 200 мкА (Tj 125 °C) |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | GBJ |
| Виробник | MCC |
Діодний міст GBU2510 ( Заміна для GBU25M ) (1000V,25A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA=25°C) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (з тепловідводом) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.) |
| Ударний струм Ifsm (8,3мс) | 350 А (Tj=25°C) / 280 А (Tj=125°C) |
| Ударний струм Ifsm (1,0мс) | 700 А (Tj=25°C) / 560 А (Tj=125°C) |
| Робоча температура переходу | -40…+150°C |
| Корпус | GBU |
| Маса | 4,1 г |
Діодний міст HD35SB100 ( D35SB100 ) оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній випрямлений струм If(av) | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 400 А (8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В при 17,5 А |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура Tj | до 150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Середній випрямлений струм без радіатора | 10 А (Ta 25 °C) |
| Температура зберігання Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст HD50SB100 ( D50SB100 ) оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Струм Io з тепловідводом | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Io без тепловідводу | 5,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 500 А |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (при 25 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Значення I²t | 830 А²с |
| Тепловий опір перехід – корпус | 1,0 °C/Вт |
| Тепловий опір перехід – середовище | 22 °C/Вт |
| Електрична міцність ізоляції | 2500 В |
| Корпус | HD5, пластиковий, 4 виводи в ряд |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст KBPC3510 ( MB3510 )(1000V,35A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Master Instrument Corporation (MIC) |
| Повторювана напруга Vrrm | 1000 В |
| Максимальна діюча напруга Vrms | 700 В |
| Середній прямий струм If(av) | 35 А (Tc 50 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,1 В (If 17,5 А) |
| Ізоляційна напруга Viso | 2500 В AC |
| Корпус | пластиковий, отвір під гвинт #10, Faston 0,25″ |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
Діодний міст RBV5010 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана пікова зворотна напруга Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (Ta 25 °C) |
| Постійна блокувальна напруга Vdc | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(AV) | 50 А (Tc 55 °C) |
| Пряма напруга на діод Vf | 1,1 В (If 25 А, максимум) |
| Пік струму перевантаження Ifsm | 400 А (одна напівхвиля 8,3 мс) |
| I²t | 660 А²с (t < 8,3 мс) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (Ta 25 °C) / 200 мкА (Ta 100 °C) |
| Тепловий опір Rjc | 1,5 °C/Вт (типове, на радіаторі) |
| Робоча температура | –40…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, гвинтове кріплення на радіатор, маса 8,17 г |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст RS207 ( заміна для KBP210 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Максимальна діюча напруга Vrms | 700 В |
| Максимальна постійна зворотна напруга Vdc | 1000 В |
| Максимальний середній струм If(AV) | 2 А (Ta 50 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 50 А |
| Пряме падіння напруги Vf | 1 В (при 1 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+125 °C |
| Корпус | KBP |
Діодний міст S35VB100 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm (макс. зворотна напруга) | 1000 В |
| Vrms (діюча напруга) | 700 В |
| Vdc (макс. постійна зворотна напруга) | 1000 В |
| If(AV) (Tc = Ta) | 35 А |
| Ifsm (8,3 мс) | 400 А |
| Vf (If 17,5 А) | 1,05 В |
| Ir (Tj 25 °C / 125 °C) | 5 мкА / 500 мкА |
| I²t | 660 А²с |
| Cj (1,0 МГц, Vr 4,0 В) | 150 пФ |
| Rjc | 1,4 °C/Вт |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | Квадратний, отвір під гвинт #10 |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D35SB100 (Заміна для D30SB100 )
Немає в наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LRC (Leshan Radio Company) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, в одну лінію, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Середній струм Io | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Середній струм Io (без радіатора) | 10 А (на платі, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 400 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| I2t | 660 А2с (t < 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1.05 В (If 17,5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (125 °C) | 500 мкА (Ta 125 °C, номінальна Vr) |
| Ізоляція Viso | 2.5 кВ (AC, 1 хв, 1 мА) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 0.8 °C/Вт (на радіаторі Al, на гілку) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, однорядний (SIP), 4 виводи |
Діодний міст DB107
Немає в наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація |
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Макс. діюча напруга Vrms | 700 В |
| Макс. постійна блокувальна напруга Vdc | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 1,0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf на діод | 1,1 В (If 1 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr); 500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr) |
| Діапазон робочих температур Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | DB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи) |
Діодний міст DB207
Немає в наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Прямий струм If(av) | 2.0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц) |
| Імпульсний струм Ifsm | 50 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf | 1.1 В (If 2 А, на діод) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (100 °C) | 500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | DB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи) |
Діодний міст KBU8M(RS807 , KBU810 )(8A,1000V)
Немає в наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація кристала |
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Макс. діюча напруга Vrms | 700 В |
| Макс. постійна блокувальна напруга Vdc | 1000 В |
| Середній вихідний струм If(av) | 8,0 А (60 Гц, синус, активне навантаження) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 175 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні); 350 А (1,0 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (If 4,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Vr = Vdc, Tj 25 °C); 500 мкА (Vr = Vdc, Tj 100 °C) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | KBU (пластик, UL 94V-0) |
Діодний міст MB10S (0,8A 1000V soic-4 (корпус 3.8×4.7мм))
Немає в наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація, SMD |
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, неповторюваний) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (If 0,5 А, Ta 25 °C); 1,1 В (If 0,8 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Vr = Vrrm, Ta 25 °C); 40 мкА (Vr = Vrrm, Ta 125 °C) |
| Ємність переходу Cj | 13 пФ (Vr 4 В, 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід-середовище Rth(j-a) | 90 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | MB-S (SMD, 4 виводи; 4,5-4,9 x 3,8-4,2 мм) |
Діодні мости KBPC, GBU, GBJ та інші: як працює міст, корпуси і моделі з назвами аналогів
Найбільше тут шукають KBPC5010, і він є в наявності: діодний міст KBPC5010. Інші мости в розділі – це, наприклад, GBU2510, GBJ3510, KBU1010, RS207 і круглий 2W10M. Виробники – Diodes, Shindengen Electric Manufacturing, LRC, Kingtronics та інші.
Як міст випрямляє змінну напругу
У підручнику діодні мости названо поряд з окремими діодами: це діоди, ввімкнені за мостовою схемою. Змінну напругу подають на одну діагональ моста, а навантаження підключають до іншої. Діоди проводять струм попарно. Поки одна пара відкрита, друга закрита, і до неї прикладена зворотна напруга. У наступному півперіоді пари міняються ролями. Струм навантаження при цьому не змінює напрямку: міст пропускає через навантаження обидві півхвилі змінного струму.
Що вказано в назві моста і в його картці
У дужках після назви часто стоять напруга і струм. Так, KBPC3510 – це 1000 В і 35 А, KBP310 – 1000 В і 3 А. У картці ті самі величини підписано так:
- Зворотна напруга Vrrm – здебільшого 1000 В, трапляються мости на 600, 800 і 1200 В.
- Вихідний струм If(av) – найчастіше 25 або 35 А. Є й менші, як 2W10M на 2 А, і більші, як KBPC5010 на 50 А.
- Ударний струм Ifsm – у багатьох картках 400 або 350 А.
Корпуси й кріплення на радіатор
Найчастіше мости мають корпус GBJ або GBU. Поширені й однорядні SIP-4P та компактний SIP. Є також KBU, KBP, RS-4, D5-25SB та інші корпуси. У картках частини GBJ вказано монтаж на радіатор гвинтом, у частини GBU – отвір під гвинт. Серед мостів трапляється й металевий корпус з болтовим кріпленням і виводами Faston.
Популярні мости та аналоги з назви
- D25XB80 – у назві вказано, що він замінює TS25P06G.
- GBJ2510 – 1000 В, 25 А. За назвою, він замінює GBJ2010 і GBK25M.
- RS407 (KBU4K) – 4 А, 1000 В.
Окремі діоди зібрано в розділі Діоди, а діоди Шотткі – у розділі Діоди Шоттки. Покупці мостів часто додають до замовлення електролітичні конденсатори, IGBT-транзистори та оптрони. Посилку передаємо Новій Пошті в день оплати або наступного дня, доставка по всій Україні з Запоріжжя.
Часті запитання
Які характеристики KBPC5010?
У назві товару вказано 1000 В і 50 А. Там само наведено позначення MB5010, GBPC5010 і KBPC5010W.
Як підключити діодний міст: де плюс, мінус і змінна напруга?
У корпусі KBP, наприклад, чотири виводи стоять в ряд у такому порядку: +, AC, AC, –.
Навіщо після діодного моста ставлять конденсатор?
Випрямлена напруга, крім постійної складової, містить пульсації. Найпростіший фільтр, що їх згладжує, – конденсатор великої ємності, підключений паралельно навантаженню.
Чим міст відрізняється від схеми на двох діодах?
У схемі з нульовим виводом два діоди, а вторинна обмотка трансформатора має вивід від середини. Мостова схема краще використовує трансформатор, дає меншу зворотну напругу на діодах і може працювати без трансформатора. Її недолік – більше діодів.