Транзистори

S60R380F транзистор TO-220, фото маркування

В наявності

89,77 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (25 °C)	11 А
Струм стоку Id (100 °C)	6,93 А
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А	0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.)
Vgs(th)	3,0–5,0 В
Заряд затвора Qg	21,1 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)	100 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Belling
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор S68N08R оригінал, TO220

В наявності

69,09 ₴

Параметр	Значення
Виробник	SI-TECH
Тип каналу	N
Напруга Vds	68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.)
Струм Id (Tc 25 °C)	82 А
Струм Id (Tc 100 °C)	52 А
Rds(on)	6,5 мОм тип., 7,8 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg	72 нКл (VDD=48 В, VGS=10 В, ID=50 А)
Вхідна ємність Ciss	4166 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2,4–3,6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА)
Потужність Pd	113 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга затвор–витік Vgs	25 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор S80N08R оригінал, TO220

В наявності

91,65 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id	80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C)
Опір Rds(on)	6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.5–3.5 В
Заряд затвора Qg	110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А)
Вхідна ємність Ciss	3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	200 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Напруга затвор-витік Vgs	±25 В
Час зворотного відновлення діода trr	100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А)
Корпус	TO-220
Виробник	SI-TECH
Стан	Оригінал

S80N10R MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор S80N10R оригінал, TO220

В наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (TC=25 °C)	100 А
Струм Id (TC=100 °C)	63 А
Опір Rds(on)	6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC=25 °C)	160 Вт
Напруга затвор-витік Vgs	±25 В
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	SI-TECH
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	Польовий транзистор, N-канал
Виробник	SI-TECH
Корпус	TO-220
Напруга Vds	80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id	180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C
Rds(on)	3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А
Заряд затвора Qg	155 нКл
Вхідна ємність Ciss	6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	348 Вт при TC = 25 °C
Температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

2SA1673 + 2SC4388 пара транзисторів TO-3PF, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SanKen 2SA1673 + 2SC4388 оригінали, TO3PF б/в

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип 2SA1673	PNP
Корпус	TO-3PF
Напруга Vceo (2SA1673)	-180 В
Напруга Vcbo (2SA1673)	-180 В
Напруга Vebo (2SA1673)	-6 В
Струм Ic (2SA1673)	-15 А
Потужність Pc (2SA1673)	85 Вт при Tc = 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
hFE (2SA1673)	від 50 при Vce = -4 В, Ic = -3 А
Гранична частота fT (2SA1673)	20 МГц, тип., при Vce = -12 В, Ie = 0,5 А
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD2562 + 2SB1649 Sanken пара Дарлінгтона TO3PF, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SanKen 2SD2562+2SB1649 оригінали, TO3PF б/в

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Тип 2SD2562	NPN Дарлінгтон
Комплемент	2SB1649 (PNP)
Напруга Vcbo	150 В
Напруга Vceo	150 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	15 А
Струм бази Ib	1 А
Потужність Pc	85 Вт (Tc = 25 °C)
hFE	5000 мін. (Vce = 4 В, Ic = 10 А)
Vce(sat)	2,5 В макс. (Ic = 10 А, Ib = 10 мА)
fT	70 МГц тип. (Vce = 12 В, Ie = 2 А)
Температура переходу	150 °C
Корпус	TO-3PF
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SD20N60 оригінал, TO247

В наявності

192,70 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	600 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	20 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)	0,45 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±30 В
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

SFP4024T MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SFP4024T оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HI-SEMICON
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	240 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	150 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.2–3.8 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	250 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK

В наявності

105,75 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	215 А
Струм Id (100 °C)	136 А
Rds(on) тип.	3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А)
Rds(on) макс.	3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (тип. 3,0 В)
Qg	84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А)
Вхідна ємність Ciss	4797 пФ
Pd (25 °C)	312 Вт
Корпус	D2PAK
Тип каналу	N-канал
Tj, Tstg (робоча та зберігання)	від -55 до 150 °C
Стан	Оригінал

SH1004A JMSH1004AE MOSFET D2PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK

В наявності

244,40 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм стоку Id (25 °C)	190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А
Струм стоку Id (100 °C)	134 А
Опір Rds(on)	3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (тип. 2,7 В)
Заряд затвора Qg	66 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	4398 пФ
Потужність Pd (25 °C)	250 Вт
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В
Корпус	D2PAK
Виробник	Jiangsu JieJie Microelectronics
Стан	Оригінал

SH1004B JMSH1004BC MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SH1004B ( JMSH1004BC ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Jiangsu JieJie Microelectronics
Тип каналу	N
Напруга Vds	100 В (V(BR)DSS мін., Id 250 мкА, Vgs 0)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	139 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	88 А
Rds(on)	3.5 мОм типово, 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (типово 2.7 В)
Потужність розсіювання Pd	156 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	3433 пФ
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SH1504N ( JMSH1504NC ) оригінал, TO220

В наявності

103,40 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, SGT Power MOSFET
Напруга Vds	150 В
Струм стоку Id (25 °C)	200 А
Струм стоку Id (100 °C)	126 А
Опір Rds(on)	макс. 4,8 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А
Порогова напруга Vgs(th)	2,1–4,0 В (тип. 3,0 В)
Заряд затвора Qg	122 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	8537 пФ
Потужність Pd (25 °C)	250 Вт
Потужність Pd (100 °C)	100 Вт
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

SI2301DS P-канальний MOSFET SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SI2301DS (A1SHB) ,sot23

В наявності

5,64 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay (Siliconix)
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds (TA = 25 °C)	–20 В
Струм Id (TA = 25 °C, TJ = 150 °C)	–2,3 А
Струм Id (TA = 70 °C, TJ = 150 °C)	–1,5 А
Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –2,8 А)	0,105 Ом тип., 0,130 Ом макс.
Rds(on) (VGS = –2,5 В, ID = –2,0 А)	0,145 Ом тип., 0,190 Ом макс.
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1,25 Вт
Вхідна ємність Ciss	415 пФ (f 1 МГц)
Напруга Vgs	±8 В
Корпус	SOT-23

SI2302DS N-канальний MOSFET SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23

В наявності

5,64 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал (enhancement)
Напруга Vds (Ta = 25 °C)	20 В
Струм Id (Ta = 25 °C)	2,8 А
Струм Id (Ta = 70 °C)	2,2 А
Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А)	45 мОм тип., 85 мОм макс.
Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А)	70 мОм тип., 115 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)	0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс.
Потужність Pd (Ta = 25 °C)	1,25 Вт
Вхідна ємність Ciss	300 пФ
Напруга Vgs	±8 В
Корпус	SOT-23

SIF18N50C MOSFET TO-220F, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F

В наявності

108,10 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on) тип.	0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	65 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs макс.	±30 В
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Тип каналу	N
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SIF20N50C MOSFET TO220F, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)

В наявності

145,70 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум)
Струм Id при Tc 25 °C	20 А
Струм Id при Tc 100 °C	13 А
Rds(on)	0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом
Заряд затвора Qg	46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В
Потужність розсіювання Pd	65 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Тип каналу	N-канал
Вбудований діод	є
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SJ68N058 транзистор TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SJ68N058 оригінал (заміна для M08N68 , BLM08N68 ), TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SKD502T оригінал, TO220

В наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Виробник	CRMICRO (China Resources Microelectronics)
Напруга Vds	85 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	120 А (обмеження корпусу); 135 А (обмеження кремнію)
Струм стоку Id (TC 100 °C)	86 А, обмеження кремнію
Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А)	4.6 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В (тип. 3 В)
Заряд затвора Qg	55 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	3086 пФ
Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C)	174 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

SKSS055N08N MOSFET TO-263, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SKSS055N08N оригінал, TO263

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	120 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	86 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А)	4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	55 нКл
Вхідна ємність Ciss	3086 пФ
Потужність Pd (Tc 25 °C)	174 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	D2PAK
Виробник	CR Micro
Стан	Оригінал

SKST065N08N MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SKST065N08N оригінал, TO220

В наявності

69,56 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	CRMICRO
Корпус	TO-220
Напруга Vds	85 В
Струм Id (Tc 25 °C)	121 А (обмеження кристала, за корпусом 120 А)
Струм Id (Tc 100 °C)	70 А
Rds(on)	5,6 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2–4 В (тип. 3 В)
Qg	47 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 42,5 В, ID = 50 А)
Вхідна ємність Ciss	2860 пФ (f 1 МГц)
Pd (Tc 25 °C)	164 Вт
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

CRST049N08N MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SKY CRST049N08N оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	CRMICRO
Напруга Vds	85 В
Струм Id (Tc 25 °C)	120 А
Струм Id (Tc 100 °C)	95 А
Rds(on) (Vgs=10 В, Id=50 А)	4.1 мОм (макс. 4.9 мОм)
Qg (Vgs=10 В, Vds=42.5 В, Id=50 А)	64 нКл
Вхідна ємність Ciss	4027 пФ
Pd (Tc 25 °C)	189 Вт
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

SLF13N50A MOSFET N-канал TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Maplesemi
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	13 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	6.4 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	32.5 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

SLF20N65S транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SLF20N65S оригінал, TO220F

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

SLF65R170E7 MOSFET N-канал TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F

В наявності

94,47 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, суперперехід
Напруга Vds	650 В (VGS=0 В, ID=1 мА)
Струм Id (TC=25 °C)	22 А
Струм Id (TC=100 °C)	12 А
Опір Rds(on)	170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА)
Заряд затвора Qg	30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Час відновлення діода trr	274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс)
Потужність Pd (TC=25 °C)	36 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Msemitek
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SM1F02N ( SM1F02NSU ) , DPAK оригінал

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Sinopower
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	150 В (TA 25 °C)
Струм Id (TC 25 °C)	35 А
Струм Id (TC 100 °C)	22 А
Rds(on)	46 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 10 А)
Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	40 нКл тип. (VDS = 75 В, VGS = 10 В, IDS = 10 А)
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	113 Вт
Tj макс.	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм Id	13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А	0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	41 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SMK630D MOSFET D-PAK, фото маркування SMK630

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SMK630 ( SMK630D ) оригінал , D-PAK

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Kodenshi AUK Group
Напруга Vds	200 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В)
Струм Id	9 А (Tc 25 °C); 5,7 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,5 А, Tc 25 °C)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (Id 250 мкА)
Qg	12 нКл тип. (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 9 А)
Вхідна ємність Ciss	420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	45 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

SP8K3 здвоєний MOSFET SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SP8K3 , so-8

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	два N-канальні MOSFET в одному корпусі
Виробник	ROHM
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В (Ta = 25 °C)
Струм Id	7,0 А на транзистор (Ta = 25 °C)
Імпульсний струм	28 А (Pw ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Rds(on) при Vgs 10 В	17 мОм (тип.), 24 мОм (макс.)
Rds(on) при Vgs 4,5 В	23 мОм (тип.), 33 мОм (макс.)
Vgs(th)	1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd	2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі)
Вхідна ємність Ciss	600 пФ
Vgs	±20 В
Температура каналу	150 °C

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SP8M3 (30V,5A,-4.5A,2W) , so-8

В наявності

44,65 ₴

Параметр	Значення
Тип	один N-канал і один P-канал в одному корпусі
Виробник	ROHM
Корпус	SO-8
Vds N-канал	30 В (Ta = 25 °C)
Vds P-канал	–30 В (Ta = 25 °C)
Id N-канал	5,0 А (Ta = 25 °C)
Id P-канал	–4,5 А (Ta = 25 °C)
Rds(on) N-канал	36 мОм (тип.), 51 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 5,0 А
Rds(on) P-канал	40 мОм (тип.), 56 мОм (макс.) при Vgs –10 В, Id –4,5 А
Vgs(th) N-канал	1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Vgs(th) P-канал	–1,0…–2,5 В (Vds –10 В, Id –1 мА)
Потужність Pd	2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі)
Vgs	±20 В
Температура каналу	150 °C

SPP11N60C3 11N60C3 MOSFET TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPP11N60C3 ( 11N60C3 ) оригінал ( Заміна для SPP11N60CFD , 11N60CFD ) , TO220

В наявності

190,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал (Cool MOS)
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА)
Струм Id (25 °C)	11 А (TC 25 °C)
Струм Id (100 °C)	7 А (TC 100 °C)
Rds(on)	0,34 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,1–3,9 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА)
Заряд Qg	45 нКл тип., 60 нКл макс. (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	125 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

SPP11N80C3 MOSFET TO-220, фото маркування 11N80C3

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220

В наявності

163,56 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип	MOSFET N-канал, CoolMOS C3
Напруга Vds	800 В (Tj 25 °C)
Струм Id	11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм	33 А (Tc 25 °C)
Rds(on) макс.	0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність	156 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1600 пФ
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

SPP20N60C3 MOSFET TO220, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPP20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж (650V,20.7A) , TO220(Заміна для SPP20N60CFD , 20N60CFD )

В наявності

155,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (CoolMOS)
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Vds	650 В (при Tj max)
V(BR)DSS	600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Id при 25 °C	20.7 А (Tc = 25 °C)
Id при 100 °C	13.1 А (Tc = 100 °C)
Rds(on)	0.19 Ом макс., тип. 0,16 Ом (Vgs 10 В, Id 13,1 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.1–3.9 В (Id 1000 мкА, Vgs = Vds)
Потужність Ptot	208 Вт (Tc = 25 °C)
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SPW16N50C3 MOSFET TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS	500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id	16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg	66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss	1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot	160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs	±20 В
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

SPW20N60C3 (20N60C3) MOSFET TO247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

90,71 ₴

Параметр	Значення
Напруга стік-витік Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА)
Струм стоку Id	20,7 А (безперервний, Ta 25 °C)
Опір каналу Rds(on)	190 мОм (VGS = 10 В, ID = 13,1 А, TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,1–3,9 В (VDS = VGS, ID = 1 мА)
Потужність розсіювання Pd	208 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SPW20N60C3 MOSFET TO247, фото маркування 20N60C3

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247

В наявності

139,59 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал
Напруга V(BR)DSS	600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C)
Струм Id (Tc 25 °C)	20.7 А
Струм Id (Tc 100 °C)	13.1 А
Rds(on)	0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.1–3.9 В (тип. 3 В)
Потужність Pd	208 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

SPW21N50C3 MOSFET TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	500 В
Струм Id	21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id	63 А (макс.)
Опір Rds(on)	190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg	95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.1–3.9 В
Потужність Ptot	208 Вт (макс.)
Rth(j-c)	0.6 К/Вт (макс.)
Корпус	TO-247
Виробник	Infineon
Стан	Оригінал

SPW35N60C3 MOSFET TO-247, фото маркування 35N60C3

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (CoolMOS)
Виробник	Infineon
Напруга Vds	600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)	0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА)
Заряд затвора Qg	150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss	4500 пФ
Потужність розсіювання Pd	313 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SPW35N60CFD MOSFET TO-247, фото маркування 35N60CFD

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW35N60CFD ( 35N60CFD ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (25 °C)	34.1 А
Струм стоку Id (100 °C)	21.6 А
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 21.6 А)	0.118 Ом
Потужність Ptot (25 °C)	313 Вт
Вхідна ємність Ciss	5060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Маркування	35N60CFD
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SPW47N60C3 оригінал демонтаж( 47N60C3 , 47N60CFD , SPW47N60CFD )(47A,650V) , TO247

В наявності

298,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, Super Junction
Напруга Vds	650 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)	47 А (TC 25 °C, VGS 10 В)
Струм Id (100 °C)	30 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on)	0,06 Ом типово (VGS 10 В, ID 24 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Qg	182 нКл типово (VGS 10 В, ID 24 А, VDS 520 В)
Вхідна ємність Ciss	5682 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Pd	415 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.	150 °C
trr діода	753 нс типово (IF = IS = 24 А)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Транзистори