Транзистори
Транзистор S60R380F ( BLS60R380F-P ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6,93 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А | 0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 21,1 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Belling |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S68N08R оригінал, TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SI-TECH |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 82 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 52 А |
| Rds(on) | 6,5 мОм тип., 7,8 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD=48 В, VGS=10 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4166 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 113 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | 25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N08R оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N10R оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 63 А |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 160 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 348 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SA1673 + 2SC4388 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SA1673 | PNP |
| Корпус | TO-3PF |
| Напруга Vceo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vcbo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vebo (2SA1673) | -6 В |
| Струм Ic (2SA1673) | -15 А |
| Потужність Pc (2SA1673) | 85 Вт при Tc = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (2SA1673) | від 50 при Vce = -4 В, Ic = -3 А |
| Гранична частота fT (2SA1673) | 20 МГц, тип., при Vce = -12 В, Ie = 0,5 А |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SD2562+2SB1649 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SD2562 | NPN Дарлінгтон |
| Комплемент | 2SB1649 (PNP) |
| Напруга Vcbo | 150 В |
| Напруга Vceo | 150 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Потужність Pc | 85 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 5000 мін. (Vce = 4 В, Ic = 10 А) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic = 10 А, Ib = 10 мА) |
| fT | 70 МГц тип. (Vce = 12 В, Ie = 2 А) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SFP4024T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HI-SEMICON |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.8 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK
В наявності
105,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 215 А |
| Струм Id (100 °C) | 136 А |
| Rds(on) тип. | 3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Rds(on) макс. | 3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Qg | 84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4797 пФ |
| Pd (25 °C) | 312 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | від -55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 134 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4398 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004B ( JMSH1004BC ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS мін., Id 250 мкА, Vgs 0) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 139 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 88 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм типово, 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 2.7 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3433 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1504N ( JMSH1504NC ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SGT Power MOSFET |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 200 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 126 А |
| Опір Rds(on) | макс. 4,8 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 122 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 8537 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Потужність Pd (100 °C) | 100 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SI2301DS (A1SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay (Siliconix) |
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds (TA = 25 °C) | –20 В |
| Струм Id (TA = 25 °C, TJ = 150 °C) | –2,3 А |
| Струм Id (TA = 70 °C, TJ = 150 °C) | –1,5 А |
| Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –2,8 А) | 0,105 Ом тип., 0,130 Ом макс. |
| Rds(on) (VGS = –2,5 В, ID = –2,0 А) | 0,145 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 415 пФ (f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (enhancement) |
| Напруга Vds (Ta = 25 °C) | 20 В |
| Струм Id (Ta = 25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (Ta = 70 °C) | 2,2 А |
| Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А) | 45 мОм тип., 85 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А) | 70 мОм тип., 115 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс. |
| Потужність Pd (Ta = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 300 пФ |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Демонтаж
Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 20 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 13 А |
| Rds(on) | 0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SKD502T оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А (обмеження корпусу); 135 А (обмеження кремнію) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 86 А, обмеження кремнію |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4.6 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKSS055N08N оригінал, TO263
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKST065N08N оригінал, TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 121 А (обмеження кристала, за корпусом 120 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 5,6 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 47 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 42,5 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 164 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maplesemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 32.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, суперперехід |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 22 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА) |
| Заряд затвора Qg | 30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Час відновлення діода trr | 274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 36 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Msemitek |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SM1F02N ( SM1F02NSU ) , DPAK оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sinopower |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 35 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 22 А |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VDS = 75 В, VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 113 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SMK630 ( SMK630D ) оригінал , D-PAK
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Напруга Vds | 200 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 9 А (Tc 25 °C); 5,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,5 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 12 нКл тип. (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SP8K3 , so-8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | два N-канальні MOSFET в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Id | 7,0 А на транзистор (Ta = 25 °C) |
| Імпульсний струм | 28 А (Pw ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 17 мОм (тип.), 24 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 23 мОм (тип.), 33 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Вхідна ємність Ciss | 600 пФ |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SP8M3 (30V,5A,-4.5A,2W) , so-8
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | один N-канал і один P-канал в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Vds N-канал | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Vds P-канал | –30 В (Ta = 25 °C) |
| Id N-канал | 5,0 А (Ta = 25 °C) |
| Id P-канал | –4,5 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) N-канал | 36 мОм (тип.), 51 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 5,0 А |
| Rds(on) P-канал | 40 мОм (тип.), 56 мОм (макс.) при Vgs –10 В, Id –4,5 А |
| Vgs(th) N-канал | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Vgs(th) P-канал | –1,0…–2,5 В (Vds –10 В, Id –1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SPP11N60C3 ( 11N60C3 ) оригінал ( Заміна для SPP11N60CFD , 11N60CFD ) , TO220
В наявності
190,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Cool MOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 11 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,9 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА) |
| Заряд Qg | 45 нКл тип., 60 нКл макс. (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220
В наявності
163,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал, CoolMOS C3 |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 33 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPP20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж (650V,20.7A) , TO220(Заміна для SPP20N60CFD , 20N60CFD )
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Vds | 650 В (при Tj max) |
| V(BR)DSS | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Id при 25 °C | 20.7 А (Tc = 25 °C) |
| Id при 100 °C | 13.1 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.19 Ом макс., тип. 0,16 Ом (Vgs 10 В, Id 13,1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (Id 1000 мкА, Vgs = Vds) |
| Потужність Ptot | 208 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id | 20,7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 13,1 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–3,9 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 208 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20.7 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13.1 А |
| Rds(on) | 0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 313 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор SPW47N60C3 оригінал демонтаж( 47N60C3 , 47N60CFD , SPW47N60CFD )(47A,650V) , TO247
В наявності
298,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 47 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 30 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 0,06 Ом типово (VGS 10 В, ID 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 182 нКл типово (VGS 10 В, ID 24 А, VDS 520 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5682 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 415 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 753 нс типово (IF = IS = 24 А) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |