Магазин
Транзистор BD436 (p-n-p 32V,4A,36W)
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 32 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 32 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD435 (n-p-n,32V,4A,36W)
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 32 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 32 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD434
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 22 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 22 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD244C , TO220
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В при Ic = -30 мА, Ib = 0, Tc 25 °C |
| Напруга Vcbo | -100 В при Ta 25 °C |
| Напруга Vebo | -5 В при Ta 25 °C |
| Струм колектора Ic | -6 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | -10 А |
| Розсіювана потужність Pc | 65 Вт при Tc = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -1.5 В макс. при Ic = -6 А, Ib = -1 А |
| hFE | 30 мін. при Ic = -0,3 А, Vce = -4 В; 15 мін. при Ic = -3 А, Vce = -4 В |
| Гранична частота fT | 3.0 МГц мін. при Ic = -0,5 А, Vce = -10 В, f = 1 МГц |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | -3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Демонтаж
Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А) | 250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 3–5 В |
| Qg | 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 192 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BC858B , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 30 В (відкрита база, Tamb 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 30 В (відкритий емітер) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (Tamb 25 °C) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| hFE | 220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА) |
| Гранична частота fT | від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Nexperia |
Транзистор BC856B (3B-PNP) (65V,0.1A,0.25W) , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 65 В (відкрита база, Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (Tamb 25 °C) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| hFE | 220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА, група B) |
| Гранична частота fT | від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Nexperia |
Транзистор IRF2805 оригінал (55V,75A),TO220
В наявності
156,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (обмеження корпусом) | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку ID (100 °C) | 120 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір каналу Rds(on) | 4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 104 А) |
| Макс. напруга затвор-витік | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Вхідна ємність Ciss | 5110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BC847C , sot23
В наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 225 мВт (TA 25 °C, плата FR-5) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Ic 2 мА, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,25 В (макс., Ic 10 мА, Ib 0,5 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 100 МГц |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC817-40 (45V,0.5A,0.25W) npn , sot23 ( 2SC3052 )
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 500 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (tp ≤ 1 мс, Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 250–600 (Vce 1 В, Ic 100 мА) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Потужність розсіювання Ptot (площадка колектора 1 см²) | 345 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Гранична частота fT (мін.) | 100 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC640
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -0,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типово, Ic -50 мА, Vce -2 В, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC639
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (епітаксіальний) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (TA 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1 Вт (TA 25 °C) |
| hFE, версія BC639-10 | 63…160 (VCE 2 В, IC 150 мА) |
| hFE, версія BC639-16 | 100…250 (VCE 2 В, IC 150 мА) |
| Vce(sat) макс. | 0.5 В (IC 500 мА, IB 50 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (VCE 5 В, IC 50 мА, f 100 МГц) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 125 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC558B , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Коефіцієнт шуму F | 2 дБ тип., 10 дБ макс. (VCE -5 В, IC -200 мкА, RG 2 кОм, f 1 кГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC556B (65V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo (BC556) | 65 В (TA 25 °C, база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo (BC556) | 80 В (TA 25 °C, емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC550C , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга Vceo | 45 В (абс. макс.) |
| Напруга Vcbo | 50 В (абс. макс.) |
| Напруга Vebo | 5 В (абс. макс.) |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність Pc | 500 мВт |
| hFE (група C) | 420–800 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TC 25 °C) |
| Частота fT | тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
Транзистор BC548B , to92
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 30 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C) |
| Частота fT | мін. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Diotec Semiconductor |
Транзистор BC547B , to92
В наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 50 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C) |
| Частота fT | тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Diotec Semiconductor |
Транзистор BC546 (BC546B) , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 65 В |
| Напруга Vces | 80 В |
| Напруга Vcbo | 80 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА |
| Потужність Ptot | 500 мВт |
| Гранична частота fT | 300 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC517
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vceo | 30 В |
| Напруга Vebo | 10 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 30000 мін. при Ic 100 мА, Vce 2 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.0 В макс. при Ic 100 мА, Ib 1 мА |
| Напруга Vbe(sat) | 1.5 В тип. (макс. 2,0 В) при Ic 100 мА, Ib 1 мА |
| Гранична частота fT | 220 МГц тип. |
| Вихідна ємність Cob | 5.0 пФ тип. при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC369
В наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -20 В |
| Напруга Vcbo | -25 В |
| Напруга Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1 А |
| Потужність Ptot | 800 мВт |
| Гранична частота fT (мін.) | 65 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD965 ( D965 ) , to92
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий епітаксіальний |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний); імпульсний Icp 8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 230–600 при Vce 2 В, Ic 0,5 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1 В макс. при Ic 3 А, Ib 0,1 А |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. |
| Вихідна ємність Cob | 50 пФ макс. при Vcb 20 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор FIR60N06P ( FQP60N06 , RFP60N06 , CS60N06 , HM60N06P , WFP60N06 , CEP60N06 , KIA60N06 ) , TO220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 0,0062 Ом тип., макс. 0,0072 Ом (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
Транзистор 2SD882P (2SD882) , TO126
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, комплементарний до 2SB772 |
| Виробник | EVVOSEMI |
| Напруга Vceo | 30 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 40 В (мін., Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга Vebo | 6 В (мін., Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| Vbe(sat) | 1.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| hFE | 160–320 (ранг P, Vce 2 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 5 В, Ic 0,1 мА, f 10 МГц) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SD734
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний кремнієвий |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 25 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 0.7 А (постійний), імпульсний Icp 1,5 А |
| Потужність Pd | 0.6 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА) |
| Гранична частота fT | 250 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat) | 0.13 В (тип., Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Cob | 8 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD718 ( D718 , KTD718 ) оригінал, TO-3P
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий потужний |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | 120 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс., Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| hFE | 55–160 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | 12 МГц (мін., Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD667 ( 2SD667A )
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | JSCJ |
| Напруга Vceo | 80 В (2SD667), 100 В (2SD667A), Ta 25 °C |
| Напруга Vcbo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 139 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–320 (VCE=5 В, IC=150 мА) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор FHP120N08 оригінал(80V,120A) , TO220(Заміна для CS120N08 )
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C), 84 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 8,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD5076 оригінал
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD5072 оригінал демонтаж
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| VF діода | 2,0 В макс. (IF=5 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD5071
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм колектора Ic | 3,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 10 А |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 8,0 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC 0,5 А, VCE 5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC 0,5 А, VCE 10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
Транзистор 2SD5024 (3DD5024) , TO220F
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 4 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10 мін. (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 0,9 А) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SD5023 (3DD5023) оригінал , TO220F
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Напруга BVcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга BVceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга BVebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 12 А) |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,6 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD400
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний кремнієвий |
| Виробник | SANYO |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vcbo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C, імпульс Icp 2 А) |
| Потужність Pc | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 180 МГц (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
Демонтаж
Транзистор 2SD3402 ( 3DD3402 , D3402 ) оригінал демонтаж
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 16 А) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А, Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD2539 оригінал демонтаж
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, вбудований демпферний діод |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 7 А (імпульс Icp 14 А) |
| hFE | 8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,0 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2498 оригінал
В наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 6 А (імпульс Icp 12 А) |
| Потужність Pc | 50 Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А); 5–9 (Vce 5 В, Ic 4 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (макс., Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (тип.) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2495
В наявності
125,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Виробник | JMnic |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vcbo | 110 В |
| Напруга Vceo | 110 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |