Магазин
Транзистор 2SC2655G ( 2SC2655G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Струм Ic | 2 А постійний; імпульсний 3 А (PW ≤ 16 мс, шпаруватість ≤ 50 %) |
| Потужність Pd | 500 мВт (корпус SOT-89) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP152 ( P152 , TLP152(TPL,E ) , 5pin
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферний, totem-pole (джерело і стік струму) |
| Піковий вихідний струм | ±2,5 А (абсолютний максимум, Ta -40…100 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Струм споживання | 3,0 мА (макс.) |
| Робочий вхідний струм | 10–15 мА |
| Затримка tpHL | 190 нс (макс.) при IF = 10 → 0 мА, Vcc = 30 В |
| Затримка tpLH | 170 нс (макс.) при IF = 0 → 10 мА, Vcc = 30 В |
| Напруга ізоляції BVS | 3750 В (діюче, мін.) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 11-4L1S |
| Маркування | P152 |
Мікросхема NSI8221N0D ( NSI8221N0-DSPR , NSI8221NOD , NSI8221NO-DSPR ) оригінал, sop8
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний цифровий ізолятор: 1 канал прямий, 1 зворотний |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Напруга ізоляції | 3,75 кВ |
| Швидкість передачі даних | 0–150 Мбіт/с |
| Напруга живлення VDD1, VDD2 | 2,5–5,5 В |
| Стан виходу за замовчуванням | низький рівень (варіант N0) |
| Затримка поширення tPLH / tPHL | 9,9 / 8,7 нс (тип.), 18 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 250 кВ/мкс |
| Струм споживання на канал | 1,5 мА при 1 Мбіт/с |
| Робочий діапазон температур | −55…125 °C |
| Захист від ESD (HBM) | ±8 кВ |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP8, 150 mil, 4,90 × 3,90 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM393 3PEAK ( LM393-SR ) оригінал, so-8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Два незалежні компаратори, вихід з відкритим колектором |
| Виробник | 3PEAK |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2–36 В (одне джерело) або ±1–±18 В (двополярне) |
| Макс. різниця напруг живлення V+ − V− | 42 В |
| Струм споживання на компаратор | 150 мкА (тип.) / 300 мкА (макс.), VCC = 5 В |
| Напруга зміщення входу VOS | ±3 мВ (макс.) |
| Вхідний струм зміщення IB | 4 нА (тип.) |
| Вихідна напруга низького рівня VOL | 250 мВ (тип.) / 400 мВ (макс.), IOL = 4 мА, VID = −1 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Захист від ESD | 2 кВ (HBM) / 2 кВ (CDM) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID5S609 ( ID5S609SEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер двох N-канальних MOSFET або IGBT у напівмостовій схемі |
| Виробник | IDRIVER |
| Робоча напруга силового каскаду | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу IO+ | 400 мА |
| Струм виходу IO− | 800 мА |
| Вхідна логічна «1» VIH | 2,3 В (мін.) |
| Вхідний логічний «0» VIL | 0,8 В (макс.) |
| Затримка вмикання/вимикання | 220 нс (тип.) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS6163D ( 6163D ) оригінал демонтаж, TO252-5
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO252-5L |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,5–62 В (VIN = 0, Tj −40…150 °C) |
| RON | 16 мОм тип. / 20 мОм макс. (VIN = 0, Vbb 12–24 В, IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| RON при Vbb = 5,5 В | 19 мОм тип. / 25 мОм макс. (IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм IL(nom) | 5,5 А мін. / 6,5 А тип. (TA = 85 °C) |
| Обмеження струму IL12(SC) | 70 А |
| Струм спокою Ibb(off) | 3 мкА тип. / 6 мкА макс. (Tj −40…+120 °C) |
| Потужність Ptot | 59 Вт |
| EAS | 0,25 Дж (IL = 20 А, Vbb = 24 В, Tj = 150 °C) |
| ESD | 3,0 кВ |
| Тепловий опір RthJC | 1,1 К/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема BTS142D оригінал, TO252
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип | N-канальний вертикальний MOSFET Smart SIPMOS із вбудованим захистом |
| Напруга Vds | 42 В |
| Rds(on) | 28 мОм (умови не вказані) |
| Струм ID(Nom) | 4.6 А |
| Енергія затискання EAS | 3.5 Дж |
| Вхідна напруга VIN | -0.2…10 В (неперервна) |
| Напруга затискання VDS(AZ) | 42–55 В (ID = 10 мА, Tj = -40…150 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор резонансний неполярний 0,47мкФ*1600V MKPH (0,47mkF*1600V MKPH) для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 0,47 мкФ |
| Номінальна напруга | 1600 В |
| Тип | MKPH |
| Полярність | неполярний |
Діод Шоттки MBR40200PT оригінал (40A,200V) , TO247-3pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шотткі, здвоєний зі спільним катодом |
| Виробник (за datasheet) | Micro Commercial Components (MCC) |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 200 В |
| IF(AV) | 40 А (Tc = 110 °C, номінальна Vr, 20 кГц, шпаруватість 50 %) |
| IFSM | 250 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf (макс.) | 0,91 В (IFM = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vf | 0,80 В (IFM = 20 А, Tj = 125 °C) |
| Ir | 0,05 мА (номінальна Vr, Tj = 25 °C); 25 мА (номінальна Vr, Tj = 125 °C) |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Rth(j-c) типовий | 0,5 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR30200PT оригінал (30A,200V) , TO247-3pin
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм Io | 30 А (на весь корпус, TC 125 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 900 мВ (If=15А) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (Vr=200В) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки STPS30H100CT оригінал ( заміна для MBR30H100CT ) , TO220-3pin
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Конфігурація | здвоєний 2 × 15 А, спільний катод |
| Корпус | TO-220 |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А на діод, Tc = 155 °C, δ = 0,5 (30 А на прилад) |
| Прямий струм If(rms) | 30 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 250 А, tp = 10 мс, синусоїда, на діод |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.80 В при If = 15 А, Tj = 25 °C |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5 мкА при Vr = Vrrm, Tj = 25 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.6 °C/Вт на діод |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод SFR15F60F2 оригінал, TO220F-2pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | швидкий діод, одиночний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Iav | 15 А |
| Ударний струм Ifsm | 100 А (t 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.4 В (IF 20 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 60 нс (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irec 0,25 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RHRP3060 оригінал демонтаж (30A,600V), TO220-2pin
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | Діод надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Iav | 30 А при Tc 120 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2,1 В при IF 30 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 45 нс при IF 30 А, dIF/dt 200 А/мкс |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 250 мкА при VR 600 В, Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст HD35SB100 ( D35SB100 ) оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній випрямлений струм If(av) | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 400 А (8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В при 17,5 А |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура Tj | до 150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Середній випрямлений струм без радіатора | 10 А (Ta 25 °C) |
| Температура зберігання Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF1060CT оригінал (заміна для MUR1060FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний |
| Конфігурація | спільний катод, два діоди в корпусі |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В при Tc 25 °C |
| Середній прямий струм Iav | 5 А на діод, 10 А на обидва діоди, Tc 100 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,6 В при IF 5 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 35 нс при VR 30 В, IF 1 А, -dI/dt 50 А/мкс |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5 мкА при VR 600 В, Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA04TB60 оригінал (600V,4A), TO220-2pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Діод ультрашвидкий (HEXFRED), одиночний |
| Зворотна напруга VR | 600 В |
| Прямий струм IF | 4 А при Tc 100 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,8 В при IF 4 А, Tj 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 42 нс при IF 4 А, dIF/dt 200 А/мкс, VR 200 В, Tj 25 °C |
| Ємність переходу Ct (макс.) | 8 пФ при VR 200 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N50MR оригінал, TO-3P
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарна DMOS |
| Виробник | Truesemi |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | макс. 0.3 Ом, тип. 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJH65T14 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено зоною безпечної роботи); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 180 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В тип. (Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є, швидкий |
| Прямий струм діода | 20 А (Tc 100 °C) |
| trr діода | 250 нс (If = 20 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP60T12A оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом); 100 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 4.0 мОм макс., тип. 3.5 (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–2.4 В (тип. 1.7, Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 15 А (TC 25 °C, TO-220IS) |
| Струм Ic (100 °C) | 7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF60N65KDF ( 60N65KDF ) оригінал (заміна для KGF50N65KDF , 50N65KDF ), TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 650 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | 20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) | 1.77 В тип., 2.2 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 60 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C); 170 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2981 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JRA28N50 оригінал, TO-3P
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS120N08 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C); 96 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А, 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFPS43N50K оригінал демонтаж, Super-247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 47 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 29 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.090 Ом макс., тип. 0.078 (Vgs 10 В, Id 28 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 540 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 8310 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFI730G оригінал, TO220F
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Vishay |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 400 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 3.7 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C), 2.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 3.7 А, Vds 320 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IGW60T60K оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW40T60U оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1W , HYG100N20W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP028N08A ( HGP028N08A ) оригінал, TO220
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою Vdss | 80 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 182 А |
| Rds(on) за Vgs 10 В, TA 25 °C | 2.9 мОм тип. / 3.4 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл тип. |
| Заряд Qgs | 20 нКл тип. |
| Заряд Qgd | 36 нКл тип. |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP18N50 , TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,265 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 235 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
Демонтаж
Транзистор FCH47N60F оригінал демонтаж (заміна для FCH47N60 , FCH47N60N , COS47N60 ), TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 47 А (Tc 25 °C), 29.7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.062 Ом тип., 0.073 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 23.5 А) |
| Потужність Pd | 417 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,5 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (тип.) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ99N65G2BF оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction (SJMOS), швидкий вбудований діод |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 31 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vgs(th) | 2,9–4,9 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| trr | 140 нс тип. (ISD 17 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK4106 ( K4106 ) оригінал, TO220F
В наявності
109,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, MOSVI |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SC-67, 2-10R1B) |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C), імпульсний 48 А (1 мс) |
| Rds(on) | 0,4 Ом тип., 0,52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV-T350 ( LTV-T350S-TA1 ) оригінал, SMD-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Затримка поширення | 500 нс (макс.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Струм споживання ICC | 3,0 мА (макс.) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 390uF 450V 105C ( 390мкФ 450В 105град , 390*450*105гр ) жорсткі виводи 25*50мм
В наявності
338,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 390 мкФ |
| Робоча напруга | 450 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 25×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
Діод MUR6060DCT оригінал (600V,60A) , TO3P-3pin
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vrrm | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 620 В мін. (Ir 100 мкА) |
| Струм Iav на діод | 30 А (Tc 135 °C) |
| Струм Iav обидва діоди | 60 А (Tc 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 300 А на діод (t 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,7 В макс. (If 30 А; Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс макс. |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Конфігурація | спільний катод |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод DSEP30-12A оригінал демонтаж, TO247-2pin
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vrrm | 1200 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм If(av) | 30 А (Tc = 120 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 10 мс; Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 2,74 В (If = 30 А; Tvj = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс (If = 30 А; Vr = 800 В; Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 165 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Конфігурація | одиночний |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор XNF30N60T оригінал, TO220F
В наявності
129,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал, TO220
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 80 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C), обмежено корпусом |
| Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип. (VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |