Магазин
Діод RU4Ds оригінал (демпф.Діод стр.розгортки ТВ)
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RU4Ds оригінал демонтаж (демпф.Діод рядк.розгортки ТВ)
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RU4Ds (демпф.Діод стр.розгортки ТВ)
В наявності
13,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | кремнієвий демпферний діод |
| Виробник | Sanken |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Зворотна напруга VRM | 1300 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 1350 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1.5 А (Ta 60 °C, без радіатора); 2.5 А (Ta 60 °C, з радіатором) |
| Ударний струм IFSM | 50 А (10 мс, напівсинусоїда, одиночний імпульс) |
| Пряма напруга VF | 1.80 В макс. (IF 3,0 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 50 мкА макс. (VR = VRM, Ta 25 °C); 500 мкА макс. (VR = VRM, Tj 100 °C) |
| Час відновлення trr | 0.4 мкс макс. (IF = IRP = 0,1 А, Ta 25 °C); 0.18 мкс макс. (IF 0,1 А, IRP 0,2 А, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–виводи | 8 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон від -40 до +150 °C) |
| Корпус | осьовий, у смоляному (Resin Molded) корпусі |
Діод RU3AM (600V,1.5A,400ns)
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Тип | Діод кремнієвий (меза), імпульсне випрямлення |
| Пікова зворотна напруга VRM | 600 В |
| Імпульсна зворотна напруга VRSM | 650 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 1,5 А |
| Піковий струм IFSM | 50 А, 10 мс |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1,1 В при IF 1,5 А |
| Час зворотного відновлення trr | 400 нс |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Корпус | осьовий, вивідний |
Діод RHRP1560 оригінал ( заміна для RHRP1540 ), TO220-2pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Діод швидкий (hyperfast) |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 600 В при TC 25 °C |
| Середній прямий струм IF(AV) | 15 А при TC 140 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2,1 В при IF 15 А, TC 25 °C; 1,7 В при IF 15 А, TC 150 °C |
| Час зворотного відновлення trr (макс.) | 40 нс при IF 15 А, dIF/dt 100 А/мкс |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Температура переходу Tj | -65…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RFN20NS3SW ( RFN20 NS3SW ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM Semiconductor |
| Тип | Діод швидкий (Super Fast Recovery) |
| Зворотна напруга VR | 350 В (постійна напруга) |
| Середній прямий струм | 20 А |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1,35 В при IF 20 А |
| Конструкція | кремнієвий епітаксіальний планарний |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RFN10NS3S , D2PAK
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний, спільний катод виводів 1-3 |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 350 В |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.5 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 4.0 °C/Вт |
Діод RF2001T3D (RF2001,F2001) оригінал , TO220F-3pin (350V,20A)(заміна для MURF1620CT )
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | TO-220FN |
| Конфігурація | здвоєний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В |
| Зворотна напруга VR (DC) | 300 В |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc=113 °C, половина Io на діод) |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, 1 період) |
| Пряма напруга VF | 1.3 В макс. (IF=10 А, Ta=25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. (IF=0.5 А, IR=1 А, Irr=0.25×IR) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RF2001NS3SW ( RF2001N3D , RF2001NS3D ) оригінал демонтаж, D2PAK (350V,20A)
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | здвоєний, спільний катод |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 300 В |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc=90 °C, половина Io на діод) |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.3 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C, на діод) |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. (IF=0.5 А, IR=1 А, Irr=0.25×IR) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RF1501 ( RF1501NS3S , RF1501NP3S ) , D2PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (шпаруватість 0.5) |
| Постійна зворотна напруга VR | 300 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 20 А (60 Гц напівсинусоїда, Tc 54 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 100 А (60 Гц напівсинусоїда, Tj 25 °C) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.5 В (IF 20 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR (макс.) | 10 мкА (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (IF 0.5 А, IR 1 А, Irr 0.25·IR, Tj 25 °C), типово 22 нс |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Діод RD2006 ( RD2006FR ) (600V,20A,50ns) , TO220F-2pin
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В (Ta 25 °C) |
| Середній вихідний струм Io | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 220 А (синус, 10 мс, один імпульс) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.75 В (IF 20 А, Ta 25 °C) |
| Час відновлення trr (тип.) | 21 нс (IF 10 А, di/dt 100 А/мкс), макс. 50 нс |
| Зворотний струм IR (макс.) | 100 мкА (VR 600 В, Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Діод R3000 (3000V, 200mA )
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SUNMATE Elec |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Конфігурація | одиночний, катод позначено смугою |
| Зворотна напруга VRRM | 3000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 200 мА (TL 55 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 25 А (8.3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга VFM | 3.0 В (IF 200 мА, Ta 25 °C) |
| Ємність переходу Cj | 7.0 пФ (1 МГц, VR 4 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 117 К/Вт |
| Робоча температура і зберігання | -65…+125 °C |
Діод R2M лавинний 135-150V, 1A
В наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою Vz | 135–150 В (Iz 1 мА, імпульсно) |
| Напруга блокування Vdc | від 130 В |
| Зворотний імпульсний струм IRSM | 1,0 А |
| Пряма напруга Vf | до 1,0 В (If 0,5 А) |
| Зворотний струм IR | до 10 мкА (Vr 130 В, 25 °C); до 50 мкА (Vr 130 В, 100 °C) |
| Температура переходу і зберігання | -55…+175 °C |
| Корпус | DO-15, аксіальні виводи |
Діод R2KY лавинний 120V, 2A, 100мкс
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EIC Semiconductor |
| Корпус | D2 (аксіальні виводи) |
| Макс. зворотна напруга VRM | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга лавинного пробою | 130–155 В (Iz 1 мА) |
| Лавинний струм IZSM | 2,0 А (імпульс 100 мкс) |
| Зворотний струм IR | 10 мкА (Ta 25 °C), 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+130 °C |
Діод R2KN лавинний 140V, 1A, 100мкс
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EIC Semiconductor |
| Корпус | D2 (аксіальні виводи) |
| Конфігурація | одиночний |
| Макс. зворотна напруга Vrm | 140 В (Ta 25 °C) |
| Напруга лавинного пробою | 150–170 В (Iz 1 мА) |
| Лавинний струм Izsm | 1,0 А (імпульс 100 мкс) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C), 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+130 °C |
Діод MUR460 (600V,4A,60ns)
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В (Ta 25 °C) |
| Середній випрямлений струм IF(AV) | 4 А (TL = 120 °C) |
| Піковий струм перевантаження IFSM | 110 А (8,3 мс) / 220 А (1 мс) |
| Пряма напруга VF | 1,28 В макс. (IF = 4 А, TJ = 25 °C) |
| Струм витоку IR | 10 мкА макс. (VR = 600 В, TJ = 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 50 нс макс. (IF = 0,5 А, Irr = 0,25 А, IR = 1,0 А, TJ = 25 °C) |
| Робоча температура | від -55 до +175 °C |
| Корпус | DO-201AD |
Діод MUR1660CT оригінал , загальний катод ( Заміна для MUR1640CT , MOSPEC F12C40C , MOSPEC F12C60C) TO220-3pin
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Діод LL4148 ( 1N4148 ) , smd (SOD-80, LL-34 ) 1206 скляний
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 100 В (Tamb 25 °C) |
| Зворотна напруга VR | 75 В (Tamb 25 °C) |
| Прямий постійний струм IF | 300 мА (Tamb 25 °C) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 150 мА (VR = 0, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга VF | 0,86 В тип. (IF = 50 мА, Tamb 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 4 нс (IF = 10 мА, VR = 6 В) |
| Ємність діода CD | 4 пФ (VR = 0 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | MiniMELF (SOD-80) |
| Конфігурація | одиночний діод, катод – чорна смужка |
Демонтаж
Діод HFA30PB120 оригінал демонтаж (заміна для 30EPF12 )(1200V,30A), TO247-2pin
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay (International Rectifier) |
| Зворотна напруга Vr | 1200 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Одноімпульсний прямий струм Ifsm | 120 А (tp = 10 мс) |
| Пряма напруга Vf | 2,4 В тип. / 4,1 В макс. (If 30 А, Tj 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 47 нс тип. (If 1,0 А, dIf/dt 200 А/мкс, Vr 30 В) |
| Заряд відновлення Qrr | 650 нКл тип. (If 30 А, Vr 200 В, dIf/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 350 Вт (Tc 25 °C); 140 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Схема | одиночний діод, два виводи (катод і анод) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод HFA25PB60 оригінал демонтаж (600V,25A,23ns) , TO247-2pin
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга Vr | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (Tc 100 °C) |
| Одноімпульсний прямий струм Ifsm | 225 А |
| Пряма напруга Vf | 1,3 В тип. / 1,7 В макс. (If 25 А, Tj 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 23 нс тип. (If 1,0 А, dIf/dt 200 А/мкс, Vr 30 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод HFA16TB120 оригінал (1200V,16A), TO220-2pin
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга Vr | 1200 В |
| Середній прямий струм If(av) | 16 А (Tc 100 °C) |
| Одноімпульсний прямий струм Ifsm | 190 А |
| Пряма напруга Vf | 2,5 В тип. / 3,0 В макс. (If 16 А, Tj 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс тип. (If 1,0 А, dIf/dt 200 А/мкс, Vr 30 В, Tj 25 °C) |
| Заряд відновлення Qrr | 260 нКл тип. (If 16 А, Vr 200 В, dIf/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST065N08N оригінал (Заміна для SKST065N08N ), TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C, обмеження корпусом); 77 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., макс. 6.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 164 Вт (TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод HER508 (1000V,5A,70ns)
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 1000 В |
| VRMS | 700 В |
| IF(AV) | 5,0 А (виводи 9,5 мм, Ta 55 °C) |
| IFSM | 200 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,7 В макс. (IF 5,0 А, Ta 25 °C) |
| trr | 75 нс макс. (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Корпус | DO-201AD |
| Температура переходу | -65…+150 °C |
Діод HER307 (800V,3A,75ns)
В наявності
7,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 800 В |
| VR(RMS) | 560 В (TA 25 °C) |
| IF | 3 А (TA 25 °C) |
| IFSM | 125 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,7 В макс. (IF 3 А, TJ 25 °C) |
| trr | 75 нс макс. (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| RθJA | 35 °C/Вт (тип.) |
| Корпус | DO-201AD |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
Діод HER207 (800V,2A,75ns)
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 800 В |
| VR(RMS) | 560 В (TA 25 °C) |
| IF | 2 А (TA 25 °C) |
| IFSM | 60 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,7 В макс. (IF 2 А, TJ 25 °C) |
| trr | 75 нс макс. (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Корпус | DO-15 |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
Діод FR207 ( RL207 ) (1000V,2A,150ns)
В наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Тип | Швидкий випрямний діод |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | DO-15 |
| Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| If(av) | 2,0 А (Ta 75 °C) |
| Ifsm | 70 А (8,3 мс, напівсинусоїда, номінальне навантаження, JEDEC) |
| Vf (макс.) | 1,30 В (If 2,0 А) |
| trr (макс.) | 500 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Tj max | 150 °C |
Діод DMV32F5 оригінал (маркування DMV32) (1500V,5A,135ns/600V,3A,50ns) , TO220-3pin
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діодна збірка: демпферний + модуляційний діод |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220I, ізольований (2500 В eff), виводи формовані, варіант F5 |
| Vrrm демпферного | 1500 В |
| If(av) демпферного | 6 А (Tc 120 °C, δ = 0,5) |
| Ifsm демпферного | 100 А (10 мс, напівсинусоїда, неповторюваний) |
| Vf демпферного | 1,3 В (If = 6 А) |
| trr демпферного | 175 нс |
| Vrrm модуляційного | 600 В |
| If(av) модуляційного | 5 А (Tc 120 °C, δ = 0,5) |
| Ifsm модуляційного | 75 А (10 мс, напівсинусоїда, неповторюваний) |
| Vf модуляційного | 1,2 В (If = 5 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод BYW95C
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Тип | Швидкий діод з м’яким відновленням, контрольована лавина |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Корпус | SOD64 |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 3,0 А (Ttp 60 °C, довжина виводу 10 мм) |
| Ifsm | 70 А (10 мс, напівсинусоїда, Tj = Tj max перед імпульсом, Vr = Vrrm max) |
| Vf (макс.) | 1,5 В (If = 5 А, Tj 25 °C) |
| V(br)r (мін.) | 700 В (Ir = 0,1 мА) |
| trr (макс.) | 250 нс |
| Tj max | 175 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор MGF65A4H ( MGF65A4L ) оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 65 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1,9 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий FRD) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY3208P ( HY3208 ) оригінал (80V,120A,7.0mR),TO220
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C); 85 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 7.0 мОм тип., макс. 8.5 мОм (VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Потужність Pd | 226 Вт (TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Діод BAV99 , sot23 , катод з’єднаний з анодом (100V , 0.22A ,4ns)
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
| Конфігурація | здвоєний послідовний |
| Vrrm | 100 В |
| If (один діод навантажений) | 215 мА |
| Ifrm | 500 мА |
| Ptot (на прилад, Tamb ≤ 25 °C) | 250 мВт |
| Tj | 150 °C |
| Vf макс. (If = 1 / 10 / 50 / 150 мА) | 715 / 855 / 1000 / 1250 мВ |
| Ir макс. (Vr = 25 В / 80 В) | 30 нА / 0,5 мкА |
| Cd макс. (Vr = 0 В, f = 1 МГц) | 1,5 пФ |
| trr макс. | 4 нс |
Діод BAV70 , sot23 , спільний катод (100V , 0.22A ,4ns)
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
| Конфігурація | здвоєний, спільний катод |
| Vrrm | 100 В |
| If (Tamb ≤ 25 °C) | 215 мА |
| Ifrm | 450 мА |
| Ptot (Tamb ≤ 25 °C, FR4) | 250 мВт |
| Tj | 150 °C |
| Vf макс. (If = 1 / 10 / 50 / 150 мА) | 715 / 855 / 1000 / 1250 мВ |
| Ir макс. (Vr = 25 В / 80 В) | 30 нА / 0,5 мкА |
| Cd макс. (Vr = 0 В, f = 1 МГц) | 1,5 пФ |
| trr макс. | 4 нс |
Діод BAV21 (250V-0,25A-50nS)
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Діод switching загального призначення |
| Vrrm | 250 В (меандр, Tj 25 °C) |
| Vr | 200 В (Tamb 25 °C) |
| If | 250 мА |
| Ifrm | 625 мА |
| Vf (макс.) | 1.0 В при If = 100 мА, Tj 25 °C; 1.25 В при If = 200 мА |
| trr (макс.) | 50 нс |
| Ir (макс.) | 100 нА (Vr = Vrmax, Tj 25 °C) |
| Cd (макс.) | 5 пФ (f = 1 МГц, Vr = 0) |
| Ptot | 400 мВт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | DO-35 (DO-204AH) |
| Корпус (докладно) | SOD27 (DO-35), герметичний скляний |
Діод BAT42
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Зворотна напруга Vrrm | 30 В |
| Прямий струм If | 200 мА |
| Повторюваний імпульсний струм Ifrm | 500 мА (tp < 1 с, δ < 0,5) |
| Ударний струм Ifsm | 4 А (tp < 10 мс) |
| Розсіювана потужність Ptot | 200 мВт (Tamb = 65 °C) |
| Пряма напруга Vf | 400 мВ (If = 10 мА); 650 мВ (If = 50 мА); 1000 мВ (If = 200 мА); Tamb = 25 °C |
| Час відновлення trr | 5 нс (If = 10 мА, Ir = 10 мА, ir = 1 мА, RL = 100 Ом) |
| Ємність Cd | 7 пФ (Vr = 1 В, f = 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | DO-35 (DO-204AH) |
| Конфігурація | одиночний діод Шотткі |
Демонтаж
Діод 30EPH06 оригінал демонтаж (заміна для SDUR1560W )(600V,30A) , TO247-2pin
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Повне позначення | VS-30EPH06-N3 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc = 116 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 300 А (Tj = 25 °C, tp = 10 мс) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2,6 В (If = 30 А, Tj = 25 °C); 1,75 В (If = 30 А, Tj = 150 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс макс. (If = 1,0 А, dIf/dt = 50 А/мкс, Vr = 30 В, Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFB7430 оригінал демонтаж , TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, StrongIRFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vdss | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (корпус) | 195 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм стоку Id (кремній) | 409 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.0 мОм typ, 1.3 мОм max (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2 … 3.9 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 300 нКл typ, 460 нКл max (Id 100 А, Vds 20 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 14240 пФ |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод 20F40HF оригінал, TO220F-2pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Тип | Діод швидкий (fast recovery) |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Vrrm | 400 В (Tc 25 °C) |
| If(av) | 20 А (Tc 100 °C) |
| Ifsm | 220 А (t = 10 мс, неповторюваний) |
| Vf (макс.) | 1.7 В при If = 20 А, Tj 25 °C |
| Vf (макс.) при 125 °C | 1.5 В при If = 20 А, Tj 125 °C |
| trr (макс.) | 30 нс (If = 1 А, Vr = 30 В, dIf/dt = -200 А/мкс) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220HF2L, ізольований, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Діод 1N4937 (600V,1A,200ns)
В наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 1,0 А (виводи 9,5 мм, TA = 75 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,2 В (If = 1,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5,0 мкА (номінальна зворотна напруга, TA = 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 200 нс (If = 1,0 А, Vr = 30 В, dI/dt = 50 А/мкс, Irr = 10 % Irm) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 12 пФ (Vr = 4,0 В, f = 1 МГц) |
| Температура переходу | -50…+150 °C |
Діод 1N4148
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DO-35 (DO-204AH) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В (Tamb 25 °C) |
| Зворотна напруга Vr | 75 В (Tamb 25 °C) |
| Постійний прямий струм If | 300 мА (l = 4 мм, Tamb 25 °C) |
| Повторюваний імпульсний прямий струм Ifrm | 500 мА (Tamb 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 150 мА (Vr = 0) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1 В (If = 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 25 нА (Vr = 20 В, Tamb 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 4 нс (If = 10 мА, Vr = 6 В, iR = 0,1 x Ir, RL = 100 Ом) |
| Ємність Cd (макс.) | 4 пФ (Vr = 0 В, f = 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |