Магазин
Діод 60F30 оригінал ( SFR60F30PN )(заміна для SL60F30 , 60F30SAB3 , 60F30SW3 , GR60U30DB ) , TO-3P-3pin
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SPTECH |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (2×30 А, TC = 110 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 600 А (прямокутний імпульс, 20 кГц) |
| Пряма напруга Vf | 0.96 В тип. (IF = 30 А на діод, Ta = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 25 нс (тип.) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3PB |
| Конфігурація | два діоди в корпусі (2×30 А) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FAN73933 оригінал, so-14
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Корпус | SO-14 |
| Плаваючий канал | до +600 В |
| Живлення VDD | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2.5 А (тип.) |
| Затримка tON | 160 нс (тип.) |
| Мертва зона | 220 нс при RDT = 0 |
| Температура | –40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR21363S оригінал, so-28
В наявності
271,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SOP-28 |
| Напруга верхнього плеча VS | 600 В |
| Живлення VCC | 12–20 В |
| Канали | 3 напівмости |
| Поріг ITRIP+ | 0.46 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW15N120F1 оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.9 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS037N10N оригінал, D2PAK
Артикул:
10
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 116 А (TC 100 °C, обмеження кристалом) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип. / 3.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, корпус TO-263) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VGS = 10 В, VDS = 50 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6920 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10 оригінал, TO220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1001P ( HY1001 ) оригінал,TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 70 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 56.5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7.2 мОм тип. / 8.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл (VDS = 56 В, VGS = 10 В, IDS = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 115 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE20TD60B оригінал, TO220
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) typ (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В |
| Qg typ (Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В) | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода typ (If 20 А) | 1.45 В |
| trr діода | 182 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 40X60 , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
Транзистор 75344G ( HUF75344G ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип. / 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Заряд затвора Qg(tot) | 175 нКл тип. / 210 нКл макс. (VGS 0–20 В, VDD = 30 В, ID = 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 285 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1P , G025N06P ) оригінал, TO220
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 160 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 113 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) при 10 В | 2.5 мОм тип., 3.2 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 3.7 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=4.5 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 1.0–3.0 В, тип. 2.1 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58.3 нКл тип. (VDS=48 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В, trr тип. 41.1 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AK ( NCE8295 )(заміна для 80N07 , 6888K , FM6888K ) оригінал, D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.6 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 2.9 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл тип. (VDS=40 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.2 В, trr 37 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є (Is 95 А) |
Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 88 А |
| Струм Id (100 °C) | 65 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS75N75 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А |
| Струм Id (100 °C) | 71 А |
| Rds(on) | 10.2 мОм тип., 11.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS88N75 ( JCS88N75I ) оригінал (Заміна для MSN0880K ), TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 64 А |
| Rds(on) | 7 мОм тип., 9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл тип. (VDS=50 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2132 , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга плеча VB | 300 В |
| Напруга живлення VCC | 8…20 В |
| Струм відкриття IO+ | 1,0 А |
| Струм закриття IO- | 1,5 А |
| Логічні входи | 3,3 / 5 В |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Температура | -45…125 °C (абсолютний максимум) |
Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd | 227 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TOP265VG демонтаж, eDIP-12
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V) |
| Макс. напруга DRAIN | 725 В |
| Піковий струм DRAIN | 2,72 А |
| Частота перетворення | 132 кГц (є варіант 66 кГц) |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема LNK6777V оригінал, DIP-11
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 725 В (абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 132 кГц (Tj 25 °C, діапазон 120–136 кГц) |
| Потужність при 230 В AC ±15 % | 25 Вт адаптер / 41 Вт відкрита рама |
| Потужність при 85–265 В AC | 19 Вт адаптер / 30 Вт відкрита рама |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Корпус | eDIP-12B (V), 12 виводів |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор NGD8201AG оригінал демонтаж б/в ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 440 В (TJ = 25 °C) |
| Напруга обмеження BVces | 370–420 В (IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C) |
| Струм Ic | 20 А при TC = 25 °C |
| VCE(on) | 1.3 В (IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В) |
| Pd | 125 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Tj max | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8.0 кВ |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор DXG60N65HSE оригінал, TO247
В наявності
143,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 120 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 240 А |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 416 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | так |
| Розпіновка | 1 – G, 2 – C, 3 – E |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H40PR5 ( IHW40N135R5 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce (Tvj 25 °C) | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) typ (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) | 1.65 В |
| Vf діода typ (If 40 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 394 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2360 пФ |
| Макс. температура Tvj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB10N60A ( G10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10.6 А |
| Vce(sat) typ (Ic 10 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 2.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 92 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор 07096 оригінал демонтаж б/в (заміна для N718AG , N40BG , NGD8201NG , 8201NG , G18N40BG , ISL9V2040D3ST , V2040D , DB48BB , NS3801 , F5025 ), DPAK
В наявності
192,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT запалювання |
| Vces | 440 В (Tj 25 °C) |
| BVces типово | 395 В (Ic 2 мА) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Vce(on) типово | 1,3 В (Ic 10 А, Vge 4,5 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Захист затвора | ESD-діод затвор–емітер |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRLR8726 оригінал ( LR8726 ), D-PAK
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Rds(on) макс. | 5,8 мОм (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 15 нКл (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, VDS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1,35–2,35 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET, логічний рівень |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Біполярний транзистор BU931P ( BU931ZP , BU931 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vces | 500 В (Vbe = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (піковий Icm 30 А) |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,6 В макс. (Ic 7 А, Ib 70 мА) |
| hFE | 300 мін. (Ic 5 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,5 мкс тип. (індуктивне навантаження, Ic 7 А, Ib 70 мА, Vcc 12 В) |
| Вбудований діод | є, Vf 2,5 В макс. (If 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFP21N60L оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 21 А (TC=25 °C, VGS=10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 0.27 Ом тип., макс. 0.32 (VGS=10 В, ID=13 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 150 нКл макс. (VGS=10 В, ID=21 А, VDS=480 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 330 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | надшвидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AP2761I ( A2761I , A276II , A27611 ) оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | APEC |
| Корпус | TO-220CFM(I) (TO-220F), ізольований |
| Напруга Vds | 700 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 6 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3.7 А |
| Rds(on) | 1.3 Ом макс. (VGS=10 В, ID=3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 67 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2750 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 37 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | Vsd 1.5 В макс., trr 430 нс тип. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST041N08N оригінал, TO220
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 109 А |
| Rds(on) | 3.4 мОм тип., 4.1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 74 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6050 пФ |
| Потужність розсіювання | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1D ) оригінал (заміна для HYG023N04LS1D )(45V,140A), D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 45 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип., 2.9 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3412 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FD2103S , so-8
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fortior |
| Тип | Драйвер напівмоста для N-MOSFET |
| Напруга VS | -5…180 В |
| Макс. напруга VB (абсолютний максимум) | 205 В |
| Напруга живлення VCC | 10…20 В |
| Вихідний струм IO+ / IO- | 1,0 А / 1,0 А (TA 25 °C, VCC = VBS = 15 В) |
| Рівень логічних входів | 3,3 / 5 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема TNY179PN , DIP7
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | Off-line ключ TinySwitch-LT |
| Напруга MOSFET | 650 В |
| Вихідна потужність при 230 В AC ±15 % | 18 Вт (адаптер, +50 °C) |
| Вихідна потужність при 85–265 В AC | 12 Вт (адаптер, +50 °C) |
| Напруга на виводі BP/M | 5.85 В |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (P), 8 виводів |
IGBT-транзистор RJH65T14 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-247A |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | 30 В (максимум) |
| Струм Ic | 100 А при Tc = 25 °C; 50 А при Tc = 100 °C |
| Імпульсний струм | 180 А (обмежений областю безпечної роботи) |
| Vce(sat) | 1,45 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Tc = 25 °C |
| Vge(off) | 4–7 В при Vce = 10 В, Ic = 1 мА, Tc = 25 °C |
| Потужність Pc | 250 Вт |
| Температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | так, швидкий (fast recovery) |
| Струм діода Idf | 40 А при Tc = 25 °C; 20 А при Tc = 100 °C |
| Vecf діода | 1,2 В (тип.), 1,6 В (макс.) при If = 20 А |
| trr діода | 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс |
| Заряд затвора Qg | 80 нК при Vge = 15 В, Vce = 300 В, Ic = 50 А |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ при Vce = 25 В, Vge = 0, f = 1 МГц |
| Eoff | 1,2 мДж (25 °C), 1,45 мДж (150 °C) при Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 50 А, Rg = 10 Ом |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,6 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G75T60AK3HD оригінал ( CRG75T60AK3HD ), TO247
В наявності
195,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Технологія | Field Stop (FS) |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Vce(sat) типово | 1,7 В (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Qg | 433 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1707P ( HY1707 ) оригінал,TO220
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (BVDSS) | 70 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 6 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS=55 В, VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |