Польові транзистори

n- і p-канальні MOSFET, комплементарні пари та здвоєні транзистори, наприклад у корпусах TO-220, TO-247 і D2PAK.

Показано 1–40 із 932

Показати 20 40 80

CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Junction (SJMOS)
Напруга Vds650 В (мін.)
Струм стоку Id24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C)
Поріг Vgs(th)3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Tj max150 °C
Час відновлення діода trr120 нс тип. (Isd 11 А)
КорпусTO-220F
ВиробникChina Resources Microelectronics (Chongqing)
Вхідна ємність Ciss1595 пФ
СтанОригінал

CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, Super Junction
ВиробникCR Micro (China Resources Microelectronics)
Напруга Vds650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)24 А (TC=25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)15.3 А (TC=100 °C)
Опір Rds(on)181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А)
Вхідна ємність Ciss1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd245 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN
Напруга Vds150 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)168 А (за корпусом 160 А)
Струм стоку Id (TC 100 °C)106 А
Опір Rds(on)4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg73,8 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss5096 пФ
Потужність Pd284 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)15 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)9,5 А
Опір Rds(on)0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А)
Поріг Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd180 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

FHA30N60 оригінальний транзистор (заміна для IXTQ30N60P , FQA30N60 , FQA30N60C , FQA30N60Y )(30A,600V), TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vdss600 В (Tj 25…150 °C)
Струм стоку Id30 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)240 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Вбудований діодшвидкий
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Ciss5050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P

В наявності

259,91 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
ВиробникFeiHong
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)50 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)31 А
Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А)88 мОм тип., 105 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg148 нКл
Вхідна ємність Ciss7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C)500 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

FHP13N50 оригінальний транзистор, TO220

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id13 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0,34 Ом (макс. 0,45 Ом) (Vgs 10 В, Id 6,5 А)
Заряд затвора Qg45 нКл (типове, Vds 250 В, Id 13 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В
Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусTO-220
ВиробникFeiHong
СтанОригінал

FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss85 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом)120 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)117,2 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А)4 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)208,3 Вт
Заряд затвора Qg124 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss6234 пФ (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,0…4,0 В
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN
Напруга Vds30 В
Струм Id (TC=25 °C, кристал)140 А
Струм Id (TC=25 °C, корпус)100 А
Струм Id (TC=100 °C)94 А
Rds(on)1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А)
Vgs(th)1,0–2,5 В
Заряд затвора Qg52,5 нКл
Вхідна ємність Ciss2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd78 Вт (TC=25 °C)
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

NCEP026N10 оригінальний транзистор, TO220

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникNCE
Напруга Vds100 В (VGS = 0, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)142 А
Rds(on)2.4 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 100 А), макс. 2,6 мОм
Заряд затвора Qg240 нКл типово
Вхідна ємність Ciss17500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3.0 В типово
trr діода101 нс типово
Потужність Pd300 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247

В наявності

194,58 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Junction
Напруга Vds650 В (Tj 25 °C)
Опір Rds(on)85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C)
Поріг Vgs(th)2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А)
Вхідна ємність Ciss2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSilan Microelectronics
СтанОригінал

PTP04N04N оригінальний транзистор (заміна для FTP04N04N ) , TO220

В наявності

237,82 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPIP
Тип каналуN (Trench)
Напруга Vds40 В
Струм Id (за кремнієм)206 А при TC = 25 °C
Струм Id (за корпусом)80 А при TC = 25 °C
Rds(on)до 4.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 80 А
Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg50.8 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss2980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd300 Вт при TC = 25 °C
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

SKD503T оригінальний транзистор, TO220

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds100 В
Струм Id (TC=25 °C)120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А)
Струм Id (TC=100 °C)109 А (за кремнієм)
Опір Rds(on)3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А)
Вхідна ємність Ciss6772 пФ
Потужність Pd (TC=25 °C)227 Вт
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Час відновлення діода trr80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
ВиробникCRMICRO (China Resources Microelectronics)
СтанОригінал

STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN, MDmesh M2
Напруга Vds600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА)
Струм стоку Id34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C)
Rds(on)0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Температура переходувід -55 до 150 °C
КорпусI2PAKFP (TO-281)
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал

Комплект 6шт CRST041N08N оригінал, TO220

В наявності

410,31 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
ТипMOSFET N-канал
Кількість у комплекті6 шт
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом), 109 А (TC=100 °C, за кремнієм)
Rds(on) тип.3.4 мОм (VGS=10 В, ID=50 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd208 Вт (TC=25 °C)
Вхідна ємність Ciss6050 пФ
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор IRLR2905 оригінал ( LR2905 ), D-PAK

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором
Напруга Vdss55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id42 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (TC = 100 °C)30 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм Idm160 А
Rds(on)0,027 Ом (VGS = 10 В, ID = 25 А, макс.)
Qg48 нКл (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В, макс.)
Вхідна ємність Ciss1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Pd110 Вт (TC = 25 °C)
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор SPW20N60S5 ( 20N60S5 ) оригінал (заміна для K20N60W , TK20N60W ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

159,80 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Тип каналуN
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)13 А
Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13 А, макс.)0.19 Ом
Порогова напруга Vgs(th)3.5–5.5 В
Заряд затвора Qg (VDD = 350 В, ID = 20 А, тип.)79 нКл
Вхідна ємність Ciss3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (TC = 25 °C)208 Вт
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 07N60C3 ( SPA07N60C3 ) оригінал, TO220F

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET
ВиробникInfineon
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА)
Струм Id (25 °C)7.3 А (Tc 25 °C, версія SPA)
Струм Id (100 °C)4.6 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.54 Ом тип., макс. 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4.6 А, Tj 25 °C)
Qg21 нКл тип., макс. 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 7.3 А)
Вхідна ємність Ciss790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd32 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220

В наявності

69,09 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Тип каналуN
СеріяSTripFET F6
Напруга Vds68 В
Струм Id (25 °C)110 А
Струм Id (100 °C)80 А
Rds(on) при Vgs 10 В0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg100 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd176 Вт
Макс. температура Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор 2N0608 ( SPB80N06S2-08 ) оригінал, TO263

В наявності

203,04 ₴
ПараметрЗначення
ТипПольовий транзистор, N-канал
ВиробникInfineon
КорпусD2PAK
Напруга Vds55 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.)
Струм Id80 А при TC = 25 °C (обмежено виводами корпусу)
Rds(on)6,5 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 58 А
Заряд затвора Qg72 нКл (тип.), 96 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss2860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd215 Вт при TC = 25 °C
Температура переходу175 °C
СтанОригінал

Транзистор 2N7000 (60V,0.2A,0.4W)

В наявності

8,46 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id0.2 А при Tamb 25 °C
Струм стоку імпульсний Idm0.5 А при Tamb 25 °C
Опір Rds(on), макс.5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА
Порогова напруга Vgs(th)0.8–3.0 В при ID=1 мА
Напруга затвор-витік Vgs, макс.±40 В
Потужність розсіювання400 мВт при Tamb 25 °C
Вхідна ємність Ciss, макс.60 пФ при VDS=25 В, VGS=0, f=1 МГц
КорпусTO-92
Тип каналуN-канал, режим збагачення

Транзистор 2SK117

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипПольовий транзистор JFET, N-канал
КорпусTO-92
Напруга затвор–стік Vgds-50 В (Ta 25 °C, абс. максимум)
Струм затвора Ig10 мА (Ta 25 °C, абс. максимум)
Потужність Pd300 мВт (Ta 25 °C)
Струм стоку Idss1,2–14 мА (Vds 10 В, Vgs 0)
Напруга відсічки Vgs(off)-0,2…-1,5 В (Vds 10 В, Id 0,1 мкА)
Вхідна ємність Ciss13 пФ (Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц)

Транзистор 2SK1460

В наявності

60,16 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникSanyo
КорпусTO-220F
Корпус (докладно)TO-220FI (LS)
Напруга Vds900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id3.5 А (DC)
Імпульсний струм IDP7 А (PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1%)
Опір Rds(on)2.8 Ом тип., 3.6 Ом макс. (ID 2 А, VGS 10 В)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Напруга VGSS±30 В
Вхідна ємність Ciss700 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SK1462

В наявності

125,96 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникSanyo
КорпусTO-3PB
Напруга Vds900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id8 А (Tc 25 °C, DC)
Імпульсний струм IDP16 А
Опір Rds(on)1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (ID 4 А, VGS 10 В)
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Напруга VGSS±30 В
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SK1574 ( K1574 ) оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS = 0, мін., V(BR)DSS при ID = 10 мА)
Струм стоку Id8 А (Tc 25 °C, постійний)
Rds(on)0,85 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4 А
Vgs(th)2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при ID = 1 мА
Потужність розсіювання Pd125 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор–витік Vgs±30 В
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор 2SK1938 ( K1938 ) оригінал демонтаж(500V,18A), TO-3PML

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В мін. (VGS = 0, ID = 1 мА)
Струм стоку Id18 А (TC 25 °C)
Опір Rds(on)0,25 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 1 мА)
Потужність Pd100 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура Tj150 °C
Тип каналуN-канал
КорпусTO-3PML
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2101

В наявності

112,33 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds800 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id6 А (Tc 25 °C, DC)
Опір Rds(on)1.7 Ом тип., макс. 2.1 Ом (ID 3 А, VGS 10 В)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
ВиробникFuji Electric

Транзистор 2SK2313 ( K2313 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

130,19 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В (Ta = 25 °C)
Струм стоку Id (DC)60 А (Ta = 25 °C)
Rds(on) при VGS = 10 В, ID = 30 А8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.)
Rds(on) при VGS = 4 В, ID = 30 А12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.)
Заряд затвора Qg170 нКл (VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А)
Вхідна ємність Ciss5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vth0,8 В (мін.), 2,0 В (макс.) при VDS = 10 В, ID = 1 мА
Потужність Pd150 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Тип каналуN-канал
КорпусTO-3P
ВиробникToshiba
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2372 ( K2372 ) оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3P

В наявності

165,44 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В (для 2SK2372)
Струм стоку Id (DC)25 А
Опір Rds(on)0.22 Ом типово, макс. 0.27 Ом (VGS 10 В, ID 13 А)
Заряд затвора Qg95 нКл типово
Вхідна ємність Ciss3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(off)2.5–3.5 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)160 Вт
Tch max150 °C
Час відновлення діода trr500 нс
Тип каналуN
КорпусTO-3P
ВиробникNEC
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2545 оригінал (600V,6A,40W,0.9R)

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id6 А (DC)
Опір Rds(on)0.9 Ом тип., макс. 1.25 Ом (VGS 10 В, ID 3 А)
Заряд затвора Qg30 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 6 А)
Вхідна ємність Ciss1300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор 2SK2611 оригінал демонтаж(900V,9A,150W) , TO3P

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id9 А (DC)
Опір Rds(on)1.2 Ом тип., макс. 1.4 Ом (VGS 10 В, ID 4 А)
Заряд затвора Qg58 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 9 А)
Вхідна ємність Ciss2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P
ВиробникToshiba
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2640 оригінал демонтаж (500V,10A,50W) ( 2SK4096 )

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Vgs = 0 В, Id = 1 мА)
Струм стоку Id10 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)0.73 Ом типово, максимум 0.90 Ом (Id = 5 А, Vgs = 10 В)
Vgs(th)3.5–4.5 В (Id = 1 мА, Vds = Vgs)
Потужність Pd50 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура каналу150 °C
ВиробникFuji Electric
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум)
Струм стоку Id15 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА)
Заряд затвора Qg58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А)
Вхідна ємність Ciss2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd150 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
КорпусTO-3P
ВиробникToshiba
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2750 (N-,600V,3.5A,35W,1.7R)(Заміна для 2SK3567 )

В наявності

55,46 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум)
Струм стоку Id3.5 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)1.7 Ом типово, максимум 2.2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 1.8 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА)
Заряд затвора Qg20 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 3.5 А)
Вхідна ємність Ciss800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd35 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba

Транзистор 2SK2756 оригінал, TO-3PF

В наявності

143,35 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникFuji Electric
Напруга Vds450 В (TC=25 °C)
Струм стоку Id18 А (TC=25 °C)
Опір Rds(on)0.4 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Id 9 А, Vgs 10 В)
Порогова напруга Vgs(th)3.5–4.5 В (Id 1 мА, Vds=Vgs)
Потужність Pd80 Вт (TC=25 °C)
Вхідна ємність Ciss1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура каналу Tch150 °C
КорпусTO-3PF
СтанОригінал

Транзистор 2SK2837 ( K2837 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникToshiba
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (DC)20 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)0.21 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А, типове значення)
Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл
Вхідна ємність Ciss3720 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd150 Вт (Tc = 25 °C)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SK2842 ( K2842 ) оригінал, TO220F

В наявності

89,77 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (π-MOSV)
ВиробникToshiba
Напруга Vds500 В (Ta 25 °C)
Струм Id (DC)12 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.4 Ом тип., 0.52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А, Ta 25 °C)
Заряд затвора Qg45 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А)
Вхідна ємність Ciss2040 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
Час відновлення діода trr1200 нс тип. (IDR 12 А, VGS 0 В, dIDR/dt 100 А/мкс)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SK2996 оригінал (600V,10A,45W,0.74R)

В наявності

82,25 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникToshiba
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (DC)10 А (Tc = 25 °C)
Rds(on)0.74 Ом (Vgs = 10 В, Id = 5 А, типове значення)
Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg38 нКл
Вхідна ємність Ciss1500 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd45 Вт (Tc = 25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

IRF3205, IRLZ44N, IRF740 та інші MOSFET: параметри з карток, тип каналу, корпуси

Номери, які найчастіше вводять у пошук, – IRF3205, IRFZ44N, IRF740, IRLZ44N, IRF1404 і IRF840 – є в розділі. IRF3205 є у корпусі TO-220. Є також демонтаж AUIRF3205ZS у корпусі TO-263, у назві якого вказано, що він замінює IRF3205S і F3205S.

  • IRLZ44N – 55 В, 47 А, 110 Вт, корпус TO-220.
  • IRF740 – корпус TO-220.
  • IRF840 (IRF840A) – корпус TO-220.
  • IRF1404 – корпус TO-220. Є також IRF1404Z (F1404Z).

Vds, Id і Rds(on): три числа в картці MOSFET

  • Напруга стік-витік Vds – максимально допустима напруга між стоком і витоком. У картках найчастіше стоїть 500 або 600 В. Серед моделей на меншу напругу часто трапляються 100 і 60 В.
  • Струм стоку Id – максимально допустимий постійний струм стоку. У картці його вказано при 25 °C. Трапляються, наприклад, значення 20, 80 і 120 А.
  • Опір каналу Rds(on) – опір між стоком і витоком, коли транзистор відкритий. Цим опором керує затвор. У картках є, наприклад, 4,5 мОм, 6,5 мОм і 200 мОм.

Тип каналу, режим збагачення і комплементарні пари

Тип каналу – N чи P – вказано в картках. У частини n-канальних транзисторів у картці додано «режим збагачення». Так називають режим, у якому позитивна напруга на затворі збільшує провідність n-каналу, і струм стоку зростає.

Є й комплементарні пари N+P: в одній деталі транзистор з n-каналом і транзистор з p-каналом. У підручнику на прикладі такої пари показано, що позитивна вхідна напруга відкриває транзистор з n-каналом, а транзистор з p-каналом у цей час закритий. Серед інших позначок у картках – здвоєний N-канал і logic level.

TO-220AB, D2PAK, SO-8 та інші корпуси

Крім TO-220 і TO-220F, у картках трапляються TO-220AB, TO-220FP, TO-3P і TO-247AC. Є й такі корпуси, як TO-252, D-PAK, D2PAK, TO-263, SO-8, SOT-223 і SOT-23. Найбільше моделей Infineon. Серед інших виробників – HUAYI, NCE Power, Vishay Siliconix, MagnaChip і Alpha & Omega Semiconductor.

Крім нових деталей, є демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». До польових транзисторів у замовленнях часто додають мікросхеми та електролітичні конденсатори. Інші види транзисторів – у розділі Транзистори. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою по всій Україні – в день оплати або наступного дня.

Часті запитання

Мосфет – що це?

MOSFET – так в англомовній літературі називають МОН-транзистори. МОН означає «метал – оксид – напівпровідник»: затвор відділений від каналу шаром оксиду SiO2.

Як працює польовий транзистор у ключовому режимі?

Коли вхідна напруга менша за порогову напругу МОН-транзистора, він закритий, і струм стоку дорівнює нулю. Коли на вхід подати високу напругу, що відповідає логічній одиниці, транзистор відкритий.

Де застосовують ключі на польових транзисторах?

За підручником, транзисторні ключі на польових транзисторах широко використовують у цифровій техніці.