Польові транзистори
Транзистор IRL3803 оригінал, TO220
В наявності
133,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 140 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 98 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при VGS = 10 В | 6 мОм макс., ID = 71 А |
| Опір Rds(on) при VGS = 4,5 В | 9 мОм макс., ID = 59 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 В мін. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нК макс., ID = 71 А, VDS = 24 В, VGS = 4,5 В |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±16 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC209 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 478 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 338 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.6 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.8 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.8 / 1.1 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 178 / 267 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 375 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL40SC209 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
310,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, logic level, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 478 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 100 А | 0,6 мОм тип. / 0,8 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS 4,5 В, ID 50 А | 0,8 мОм тип. / 1,1 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1,0–2,4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC228 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 557 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 393 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 360 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.50 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.65 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.60 / 0.90 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 205 / 307 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 416 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL40SC228 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (за кремнієм) | 557 А (Tc 25 °C, VGS 10 В); 393 А (Tc 100 °C); виводи обмежують до 360 А |
| Rds(on) | 0,50 мОм тип. / 0,65 мОм макс. (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,60 мОм тип. / 0,90 мОм макс. (ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 1,0 мін. / 2,4 макс. В (VDS = VGS, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 тип. / 307 макс. нКл (VGS 4,5 В, VDS 20 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 416 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL7833 (Заміна для IRL2203N ) оригінал демонтаж(30V,150A,3.8mR), TO220
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 150 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 3,1 мОм типово, 3,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В |
| Qg | 32 нКл типово, 47 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ |
| Розсіювана потужність | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRLB3034 оригінал, TO220
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, логічний рівень керування (4,5 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (обмеження кристалом) | 343 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (обмеження корпусом) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 1,4 мОм тип. / 1,7 макс. (VGS = 10 В, ID = 195 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10315 пФ |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3036 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vdss | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (кристал) | 270 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Rds(on) макс. | 2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 91 нКл тип. / 140 нКл макс. (ID = 165 А, VDS = 30 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 11210 пФ |
| Vgs | ±16 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB4132 оригінал , TO220
В наявності
114,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 100 А |
| Струм Id, обмеження корпусом (Tc 25 °C) | 78 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А, Tj 25 °C) | 3.5 мОм |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 32 А, Tj 25 °C) | 4.5 мОм |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5110 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал, HEXFET, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLML2803TR , sot23
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID | 1,2 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,91 А) |
| Потужність Pd | 540 мВт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 85 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
Транзистор IRLR2905Z оригінал ( LR2905Z , AULR2905Z ), D-PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 55 В (мін., VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Rds(on) | 13,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 36 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Qg | 23 нКл (тип., VGS = 5,0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ |
| Температура переходу і зберігання | від -55 до +175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR3410 , D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 12 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 60 А |
| Rds(on) | 0,105 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, макс.) |
| Qg | 34 нКл (ID = 9 А, VDS = 80 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 79 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR7833 , D-PAK
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 140 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 99 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 560 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А, макс.) |
| Qg | 50 нКл (VDS = 16 В, VGS = 4,5 В, ID = 12 А, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4010 пФ |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR8726 оригінал ( LR8726 ), D-PAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Rds(on) макс. | 5,8 мОм (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 15 нКл (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, VDS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1,35–2,35 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET, логічний рівень |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLZ44N оригінал (55V,47A,110W) , TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic-level (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 V, ID = 250 µA) |
| Струм стоку Id | 47 А (TC = 25 °C, VGS = 10 V) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C, VGS = 10 V) |
| Rds(on) при 10 В | 0.022 Ом (VGS = 10 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 5.0 В | 0.025 Ом (VGS = 5.0 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 4.0 В | 0.035 Ом (VGS = 4.0 V, ID = 21 A) |
| Vgs(th) | 1.0–2.0 В (VDS = VGS, ID = 250 µA) |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±16 В (максимум) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ITA13N60A ( 13N60 ) оригінал, TO220F
В наявності
165,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,65 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | від 2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD = 300 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 50 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH12N120 ( IXTH12N120 , IXFH12N120P , 12N120 ) демонтаж, TO247(заміна для STW11NK100Z , W11NK100Z )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Littelfuse (IXYS) |
| Напруга Vdss | 1200 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 12 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1,15 Ом типово (Vgs 10 В, Id 0,5 x Id25) |
| Qg(on) | 103 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–6,5 В |
| Pd | 543 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH21N50Q ( IXFH21N50 , IXTH21N50 , FH21N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id25 | 21 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 4 мА) |
| Qg(on) | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (TJ = 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 × ID25) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 37 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vdss | 650 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 22 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Qg(on) | 37 нКл (VGS = 10 В, VDS = 0,5·Vdss, ID = 0,5·ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 390 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH24N90P оригінал демонтаж ( заміна для 24N90 , PTF24N90 ) , TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга Vds | 900 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 24 А |
| Rds(on) | 420 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0,5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 660 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH26N50Q ( IXFH26N50 ) оригінал демонтаж(500V,26A,0.23R) , TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 26 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 95 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 250 нс макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH26N60Q ( IXFH26N60P , IXFH26N60 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25–150 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 26 А (Tc=25 °C), імпульсний 104 А |
| Опір Rds(on) | 0.25 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5·ID25) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл типово, макс. 200 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=4 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 360 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (trr макс. 250 нс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH30N50P ( IXFH30N50 , 30N50A , 30N50 ) оригінал демонтаж(500V,30A), TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, PolarHV HiPerFET |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 165 мОм (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25; макс. 200 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 200 нс макс. |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH34N65X2 ( IXTH34N65X2 , 34N65 ) оригінал демонтаж(650V,34A), TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (TJ 25–150 °C; VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id | 34 А при TC 25 °C |
| Rds(on) | до 100 мОм (VGS=10 В, ID=0.5·ID25, TJ 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.5–5.0 В (VDS=VGS, ID=2.5 мА) |
| Qg | 56 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3230 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 540 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH44N50P ( IXFH44N50 , 44N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 44 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22 А, імпульсний вимір) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 658 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXTH48N65X2 ( 48N65 ) оригінал демонтаж (заміна для PAJ65N950WMF )(650V,48A), TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм Id25 | 48 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 65 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg(on) | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 660 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTP60N10T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В (Tj 25–175 °C) |
| Струм Id | 60 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 14.8 мОм тип., 18 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 25 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | швидкий, trr 59 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXTQ69N30P оригінал демонтаж(Заміна для FDA69N30 )(300V,69A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Polar Power) |
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vdss | 300 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 69 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 49 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0.5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 156 нКл тип., 180 нКл макс. (VGS 10 В, VDS 0.5 × VDSS, ID 0.5 × ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 4960 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–5.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 330 нс тип. (IF 25 А, -di/dt 100 А/мкс, VR 100 В, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXFH24N50 ( FH24N50 , IXFH24N50Q , FH24N50Q ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Vgs | ±20 В постійна; імпульсна ±30 В |
| Qg(on) | 135 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JCS11N90WT оригінал, TO247
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.90 Ом тип., 1.10 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл (Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS120N08 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C); 96 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А, 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS12N60FT оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.56 Ом тип., 0.65 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 418 нс тип. (Is 12 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS4N60F оригінал, TO220F
В наявності
45,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C), 2,5 А (Tc 100 °C) |
| Idm | 16 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом, макс. 2,5 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 33 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | –55…+150 °C |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS50N06FH оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 50 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 31.7 А |
| Опір Rds(on) | 19 мОм, макс. 23 мОм (Vgs 10 В, Id 25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 200 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS88N75 ( JCS88N75I ) оригінал (Заміна для MSN0880K ), TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 64 А |
| Rds(on) | 7 мОм тип., 9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл тип. (VDS=50 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |